【产品】采用低传导损耗技术的IGBT功率模块，额定电压高达1200V

【产品】1500V/600A的IGBT功率模块B0-SP10NAE600S7-LQ89F08T

Vincotech（威科）的B0-SP10NAE600S7-LQ89F08T型IGBT功率模块，该产品击穿电压为1500V，标称芯片额定电流为600A，采用三电平ANPC拓扑结构，可应用于太阳能逆变器中。

【产品】PIM (CIB) 拓扑结构IGBT功率模块V23990-P764-A/AY-PM，可用于电机驱动和发电

Vincotech公司推出600V/75A功率模块V23990-P764-A-PM、V23990-P764-AY-PM，属于flowPIM® 2产品系列，分别使用焊接引脚和压接引脚的电气互连方式，采用PIM (CIB)拓扑结构和IGBT3芯片技术，封装尺寸107.2 mm x 47 mm x 17 mm，可用于电机驱动和发电。

【产品】1200V/80A的IGBT功率模块10-PY126PA016ME-L227F13Y

Vincotech（威科）的IGBT功率模块10-PY126PA016ME-L227F13Y，属于flowPACK 1 SiC产品系列，拓扑结构为Sixpack，击穿电压为1200V，标称芯片额定电流为80A，标准包装数量为100，模块外壳为flow 1，可应用于充电站，电源等领域。

研讨会2024功率器件新技术研讨会

描述- 11月21日在线直播，带来低导通电阻的功率MOS、集成驱动的GaN IC、IGBT新技术、用于电机驱动/BMS/移动储能的SGT MOS、高压车规SiC功率MOS、国产车规IGBT模块等功率器件新产品新技术，点击了解报名

议题- 降低20%导通电阻的功率MOS  |  集成驱动的GaN IC  |  沟槽栅场截止型IGBT新技术  |  适用于电机驱动/BMS/移动储能等应用SGT MOSFET  |  1700V SiC功率MOS  |  国产50A IPM模块  |  高可靠国产车规IGBT模块  |  ROHM——专注功率，电源和模拟技术的全球知名半导体厂商  |  EPC——基于氮化镓（GaN）功率管理器件的领先供应商  |  致力于功率器件和智能传感器技术的专业半导体厂商——瑶芯微（ALKAIDSEMI）  |  中国半导体功率器件十强企业：扬杰科技（YANGJIE）  |  致力于成为双碳时代功率半导体中国领跑者——阿基米德半导体（Archimedes）  |  中国领先的碳化硅（SiC）半导体和芯片解决方案提供商——瞻芯电子（InventChip）  |  专业从事电源管理、电机驱动、微控制器、传感器的集成电路和系统方案的设计与开发——华润微电子（CRM ICBG ）  |  Kyocera（京瓷）——全球领先的材料与电子元件制造商  |  Shindengen（新电元）——“桥王”，整流桥全球份额占比约40%  |  中国半导体功率器件十强的主板上市企业——新洁能（NCEPOWER）  |  国内首家抗负压能力可达-40V/600ns的电机驱动（HVIC）制造商——数明半导体  |  国内领先的半导体分立器件整合制造商 (IDM) —— 捷捷微电(JieJie Microelectronics）  |  国产一站式电路保护解决方案专家——硕凯（SOCAY）  | 

【应用】Vincotech七单元IGBT功率模块为变频器提供低成本应用方案

随着变频器市场的竞争越来越大，各大厂商对成本也越来越敏感，本文介绍一种七单元模块，可以降低变频器成本。

【产品】全新紧凑型模块小封装IGBT功率模块，实现多种拓扑结构

Vincotech的flowPACK 0B具有更小的封装尺寸，能够满足嵌入式驱动器、通用变频器和开关模式电源的应用要求。

【产品】1200V/80A的IGBT功率模块 10-PY12B2A080N3-LP26L26Y

Vincotech（威科）的IGBT功率模块10-PY12B2A080N3-LP26L26Y，属于flowBOOST 1 dual产品系列，采用Booster拓扑结构，该器件采用最新的IGBT和SiC技术，为低电感设计，击穿电压为1200V，标称芯片额定电流为80A，可应用于太阳能逆变器等领域。

【经验】Vincotech flow E2封装六管IGBT功率模块L197实现高效率四象限变频器

普通的变频器大多采用二极管整流桥将交流电转化为直流电，电机回馈能量直接被制动单元消耗，无法送回电网，造成能源浪费。高效率11kW四象限变频器方案采用2PCS Vincotech公司的flow E2封装六管模块实现能量双向流动，变频器四象限运行，不仅有效降低模块损耗，提高产品效率，而且产品可靠性更高。

【产品】额定电流600A的IGBT功率模块B0-SP10NAD600S7-LQ79F08T，击穿电压950V

全球领先的IGBT功率模块解决方案的供应商Vincotech（威科）推出的B0-SP10NAD600S7-LQ79F08T 型IGBT功率模块，该产品击穿电压为950V，标称芯片额定电流为600A，且产品采用三电平NPC拓扑结构，集成了超高效碳化硅二极管以及低电感中功率组件，可应用于太阳能逆变器中。

【产品】电压高达1600V的IGBT功率模块flow90CON 1，支持90°垂直PCB插入式安装

Vincotech推出的flow90CON 1系列IGBT模块的击穿电压高达1600V，标称芯片电流额定值包括36A、39A、43A、52A、75A，广泛的电流范围使其适用于更多的驱动器应用场景。该器件采用了flow90 1封装，尺寸为84mm x 35mm；其存储温度范围为-40℃到+125℃，工作温度范围为 -40℃到+(Tjmax-25)℃。可用于电机驱动器，伺服驱动器。

【选型】 除了体积小、结构紧，PIM还要具备哪些技能？

Vincotech Flow具有免费的销定位，模块管脚布置灵活，引脚应力消除，具有管脚减压效果。

【产品】75A/1600V的IGBT功率模块80-M2166BA075AS-K369G71

Vincotech公司的80-M2166BA075AS-K369G71 IGBT功率模块，属于MiniSKiiP® CON 2产品系列。该产品击穿电压1600V，标称芯片额定电流为75A，采用整流器（+制动器）拓扑结构和IGBT M7芯片技术，封装尺寸58.9mm x 51.9mm x 16mm，适用于工业驱动应用。