【应用】国产超级结功率MOSFET TPP65R170M用于智能调光模块，导通电阻低至150mΩ

时间： 2021-12-17 来源：世强

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无锡紫光微的TPP65R170M的智能调光模块中的应用，具有低导通电阻的特点。如今智能家居已开始慢慢走入人们的家庭，并给人们带来了更好的使用体验。智能家居包含的范围很多，例如智能灯光系统、智能家电控制系统和影音控制系统等等，而智能调光模块就是智能灯光系统的一个组成部分。

智能调光模块主要的功能就是可以通过触摸控制灯光的亮度，也可以采用zigbee等无线的方式来实现远程控制，而在调光过程中往往会用到1颗MOS管来实现电路的设计。推荐无锡紫光微的超级结功率MOSFET TPP65R170M在智能调光模块中应用。

无锡紫光微的超级结功率MOSFET TPP65R170M的智能调光模块设计应用的特点：

1、漏源电压最大额定值为650V，具有耐高压的特点。

2、在25℃是持续漏极电流为20A，可以满足对大电流应用的要求。

3、导通电阻的典型值为150mΩ，具有低导通电阻的优势。

4、在25℃时耗散功率最大为151W。

5、工作结点和存储温度范围为-55~+150℃，具有高稳定性的特点，可以满足多种应用场景。

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无锡紫光微MOS选型表

无锡紫光微SJ-MOS,Multi-EPI SJ MOS,Trench MOS,DT MOS产品可供选型

产品型号	品类	Package	BVdss(V)	ID(A)Tc=25℃	Vth(V)min	Vth(V)max	Rdson(Ω)Vgs=10Vtyp	Rdson(Ω)Vgs=10Vmax
TPW50R060C	Super Junction MOSFET	TO-247	500	47	2.5	4	0.043	0.06

选型表 - 无锡紫光微立即选型

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产品型号	品类	Product State	封装形式	Rdson（mΩ） Vgs=10V FT typ	Rdson（mΩ） Vgs=10V FT max	BVdss（V） min	BVdss（V） typ	ID（A）	Vth（V）min	Vth（V）max	应用建议
TPW120R800A	SJ-MOSFET	M	TO-247	640	800	1200	1320	12	2.5	4	辅助电源/负载电源/电力操作电源/适配电源

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型号- TPG65R360M

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型号- TPA80R300A,TPP80R300A,TPR80R300A

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型号- TPA50R1K6C

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