【产品】开关速度快的P沟道增强型FET MMFTP6341KW,栅极具有ESD保护能力

2022-07-15 Diotec
P沟道增强型FET,MMFTP6341KW,DIOTEC P沟道增强型FET,MMFTP6341KW,DIOTEC P沟道增强型FET,MMFTP6341KW,DIOTEC P沟道增强型FET,MMFTP6341KW,DIOTEC

DIOTEC(德欧泰克)推出的P沟道增强型FETMMFTP6341KW,采用SOT-323外壳封装,器件栅极具有ESD保护能力,开关速度快等产品特性,器件符合RoHS、REACH标准,以及Conflict Minerals(冲突矿产)的管理规定。


最大额定参数和电气特性方面,当TA=25℃时,该产品漏-源电压为-30V,栅-源电压为±20V@DC,漏极电流为-5A@DC,器件存储温度范围宽至-55~+150℃,主要应用于信号处理应用,驱动器,逻辑电平转换器,商业级应用等领域。


产品封装及PIN脚图如下所示:

主要特征

  • 栅极具有ESD保护能力

  • 开关速度快

  • 符合RoHS、REACH标准,以及Conflict Minerals(冲突矿产)的管理规定


典型应用

  • 信号处理应用

  • 驱动器

  • 逻辑电平转换器

  • 商业级应用


机械参数

  • 编带和卷盘包装:3000/7”

  • 重量约0.01g

  • 外壳材料的阻燃等级:UL 94V-0

  • 焊接和装配条件:260℃/10s,MSL(湿度敏感等级)=3级


最大额定值(TA=25℃,除非另外特殊标注)

电气特性(静态)

授权代理商:世强先进(深圳)科技股份有限公司
技术资料,数据手册,3D模型库,原理图,PCB封装文件,选型指南来源平台:世强硬创平台www.sekorm.com
现货商城,价格查询,交期查询,订货,现货采购,在线购买,样品申请渠道:世强硬创平台电子商城www.sekorm.com/supply/
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产品型号
品类
Type
Package
Drain Source Voltage VDS[V]
Drain Current ID[A]
Junction Temperature Tjmax[℃]
Polarity pol
Power Dissipation Ptot [W]
Peak Drain Current IDM [A]
Threshold Voltage VGSth[V]
On-Resistance RDSon[Ω]
On-Resistance ID[A]
On-Resistance VGS[V]
Turn-OnTime ton[ns]
Turn-Off Time toff[ns]
2N7000
MOSFETs
Wire-lead
TO-92
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N
0.35
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