【产品】电容典型值低至0.05pF的ESD保护器件CESD12MS0402，低漏电流＜10nA
世晶半导体新推出的单通道超低电容ESD保护器件CESD12MS0402，尺寸为1.00×0.52×0.38（mm）。TA=25℃时，具有超低电容的特点，低至0.05pF（典型值，在10MHz下测得），漏电流低（<10nA，DC 12V施加在组件上），快速响应时间（<1ns）。该产品可用于双向、单线保护，广泛应用于USB 3.0/3.1，HDMI 1.3/1.4/2.0，射频天线，SATA和eSATA接口。
特点
超低电容：0.05pF（典型值）
低漏电流（<10nA）
快速响应时间（<1ns）
双向，单线保护
IEC 61000-4-2（ESD 空气）：15kV
IEC 61000-4-2（ESD 接触）：8kV
应用
USB 3.0/3.1
HDMI 1.3/1.4/2.0
射频天线
SATA和eSATA接口
订购信息
电气特性（TA=25℃，除非另有说明）
电气特性（TA=25℃，除非另有说明）
典型特征
信号线的ESD保护
CESD设计用于保护一条双向数据线免受ESD损坏。将CESD放置在尽可能靠近输入端子或连接器的位置。尽量缩短CESD和受保护信号线之间的路径长度。尽可能使用接地层。
封装尺寸
焊接参数
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本文由Emma Wang翻译自世晶半导体，版权归世强硬创平台所有，非经授权，任何媒体、网站或个人不得转载，授权转载时须注明“来源：世强硬创平台”。
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世晶半导体授权世强硬创平台代理旗下保护器件、功率器件、电源管理器件、锂电池保护、环境光感应器等全线产品
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世晶半导体推出的TVS二极管SE18VUBN102采用DFN1006-2L封装，可保护一条I/O线或电源线；该器件的反向截止电压最大值为18V，反向漏电流最大值为500nA（VRWM=18V,T=25℃）；该器件可提供符合IEC 61000-4-2(ESD) 标准的±15kV的空气放电和±12kV的接触放电。
静电二极管的主要参数有哪些？
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世晶半导体聚合物ESD抑制器CESD产品选型表
世晶半导体聚合物ESD抑制器CESD产品，外形尺寸最小：0.02″X 0.01″（0.6 mm X 0.30 mm），单路双向，反向截止电流5~30V可选，结电容0.05~33pF可选，ESD能力±8KV，工作温度﹣40~ 85℃
|
产品型号
|
品类
|
Package
|
Channel
|
Directional
|
VRWM(V)
|
Cj(pF)
|
ESD(Contact KV)
|
工作温度（℃）
|
|
CESD05BC0201
|
CESD
|
O2O1
|
1
|
Bi
|
5V
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33pF
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±8KV
|
﹣40℃~85℃
|
选型表 - 世晶半导体 立即选型
【产品】典型值仅0.3pF的超低结电容TVS阵列AR0506PA，采用10管脚4.1x2.0x0.55mm无铅DFN封装
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【产品】4路保护ESD保护器ULC0524P，0.8PF超低容值，适用于USB3.0/HDMI1.4端口
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CESD24MS0402是世晶半导体推出的一款单通道超低电容ESD保护器件，具有漏电流小和响应时间快的特点，可提供双向、单线保护，适用于USB、HDMI、射频天线等领域。
电子商城
现货市场
服务
测试等级：空气放电30KV±5%；接触放电30KV±5%，适用标准：GB/T 17626.2、IEC61000-4-2、ISO10605、GB/T 19951；给用户产品出电路保护设计方案建议及整改。点击预约，支持到场/视频直播测试，资深专家全程指导。
实验室地址： 深圳/上海 提交需求>
整体外形尺寸小至0.6*0.3*0.3mm (DFN0603)，工作电压范围覆盖2.5V~36V，电容值低至0.2pF，浪涌能力最高可达240安培，静电等级可达空气放电、接触放电±30KV。提供免费浪涌测试仪、静电测试仪测试。
提交需求>
授权代理品牌：集成电路
授权代理品牌：分立元件
授权代理品牌：接插件及结构件
授权代理品牌：部件、组件及配件
授权代理品牌：电源及模块
授权代理品牌：电子材料
授权代理品牌：仪器仪表及测试配组件
授权代理品牌：电工工具及材料
授权代理品牌：机械电子元件
授权代理品牌：加工与定制
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