【产品】高速512/256K x18异步双端口静态RAM 70T633/1S,支持3.3V或2.5V的工作电压
IDT(RENESAS收购)推出的70T633/1S是高速512/256K x 18异步双端口静态RAM。产品设计用作独立的9216/4608K位双端口RAM或结合使用MASTER / SLAVE双端口RAM,用于36位或更多位系统。 使用IDT MASTER / SLAVE双端口RAM可以在36位或更广泛的内存系统中应用,这种方法可实现全速、无错误的操作,而无需其他离散逻辑进行配合。
该器件提供两个独立的端口,具有独立的控制功能,地址和I / O引脚,允许独立,异步地访问存储器中的任何位置。 自动关机由芯片控制的功能使能引脚(/CE0和CE1)控制,允许片上每个端口的电路进入非常低的待机功耗模式。
系列器件具有RapidWrite模式,使设计人员可以执行背对背写操作,而无需在每个周期对R / W输入施加脉冲。 在70T633/1S的10ns循环时间中,这一点尤为重要,可以简化在这些高性能水平下的设计考虑。系列器件支持3.3V或2.5V的工作电压(单端口或双端口,由OPT引脚控制)。 器件的内核电源(VDD)仍为2.5V。
图1 引脚分配图
特征:
· 真正的双端口存储单元,允许同时读取同一存储位置
· 高速访问
–商业级:10/12/15ns (max.)
–工业级:10/12ns (max.)
· RapidWrite模式简化了高速连续写入周期
· 双芯片使能无需外部逻辑即可进行深度扩展
· 当级联多个器件时,IDT70T633/1使用主/从选择轻松地将数据总线宽度扩展到36位或者更多位。
M / S= VIH,表示主机上的BUSY输出标志,
M / S = VIL,表示从机上的BUSY输入标志。
· Busy和中断标志
· 片上集成端口仲裁逻辑
· 端口之间信号量信号的完整片上硬件支持
· 从任一端口完全异步操作
· 独立的字节控制,用于多路复用总线和总线匹配兼容性
· 双端口睡眠模式输入
· BGA-208和BGA-256封装的器件,支持符合IEEE 1149.1的JTAG功能
· 器件内核采用2.5V(±100mV)单电源供电
·LVTTL兼容,对于每个端口上的I / O和控制信号,3.3V(±150mV)和2.5V(±100mV)供电电压可选
·提供256脚BGA封装和208脚BGA封装
· 工业温度范围(–40°C至+ 85°C),适用于选定的速度
· 提供环保器件可选,请参阅订购信息选择
图2 功能模块框图
订购信息如下所示:
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服务
可根据用户的MOSFET管进行参数检测出具报告,静态参数最大电压:7500V、检测最大电流6000A;动态参数最大电压:3300V、检测最大电流:4500A。该测试标准满足GB、IEC及行业标准等,具备可靠性评估及老化实验能力。
实验室地址: 西安 提交需求>
可定制位移传感器量程范围10~600mm,该YWD型位移传感器表面有带刻度的透明窗☐,每毫米的变化量误差不超过3ue/mm,可在静态、准静态和低频动态下工作。主要指标:非线性<0.2%;供桥电压<10v;测试精度:0.01mm。
最小起订量: 1 提交需求>
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