【产品】强茂推出20V/2A无铅N沟道增强型MOSFET PJA3430-AU，SOT-23封装
PANJIT（强茂）推出的N沟道增强型MOSFET PJA3430-AU，采用SOT-23封装，在TA=25℃条件下，漏源最大电压20V，漏极直流电流最大2A，在ESD保护方面，HBM保护2KV，专为开关负载、PWM应用等而设计，产品无铅符合欧盟RoHS 2.0标准以及AEC-Q101标准。
产品外型
特点
RDS(ON), VGS@4.5V, ID@2.0A<150mΩ
RDS(ON), VGS@2.5V, ID@1.5A<215mΩ
RDS(ON), VGS@1.8V, ID@0.3A<400mΩ
先进的沟槽工艺技术
专为开关负载、PWM应用等而设计
ESD 保护 2KV HBM
符合AEC-Q101标准
无铅符合欧盟RoHS 2.0标准
符合IEC 61249标准的绿色模塑料
机械参数
外壳封装：SOT-23 封装
端子：可焊性符合MIL-STD-750标准（方法2026）
大约重量：0.0003 盎司，0.0084 克
最大额定值和热特性（TA=25℃除非另有说明）
电气特性（TA=25℃除非另有说明）
Note：
1，脉宽≤300μs，占空比≤2%。
2，基本独立于工作温度的典型特性。
3，RΘJA是结-壳和壳-环境热阻之和，其中壳热参考定义为安装在1英寸FR-4上的漏极引脚的焊接安装表面，具有2oz铜厚的方形焊盘。
4，最大额定电流受封装限制。
5，由设计保证，未经生产测试。
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 2
本文由你罗滴号翻译自PANJIT，版权归世强硬创平台所有，非经授权，任何媒体、网站或个人不得转载，授权转载时须注明“来源：世强硬创平台”。
相关研发服务和供应服务
相关推荐
【产品】30V/7.2A N沟道增强型MOSFET PJW8N03
PANJIT（强茂）推出了PJW8N03为N沟道增强型MOSFET。采用SOT-223封装，其中漏-源电压最大额定值为30V，连续漏极电流在25℃时最大额定值为7.2A。
新产品 发布时间 : 2019-09-20
【产品】SOT-23-3L塑封P沟道MOSFET CJK1211，可用于PWM应用和负载开关等
长晶科技推出的CJK1211型SOT-23-3L塑封P沟道MOSFET，是一款增强型场效应晶体管。CJK1211采用先进的沟槽MOSFET工艺技术，具有超低导通电阻和低栅极电荷。MOSFET可用于PWM应用，负载开关和手机电池充电等领域。
新产品 发布时间 : 2020-12-10
【产品】阈值电压为0.6V~0.9V的N沟道增强型MOSFET，导通电阻为3.0Ω
CEDM7001是CENTRAL半导体公司推出的一款N沟道增强型MOSFET，功耗仅为100mW，有利于降低电路设计时的总功耗。该产品采用小型无铅化表面贴装封装，并采用N通道DMOS工艺制造，可为高速脉冲放大器和驱动器应用而设计，主要用于负载/电源开关，DC-DC转换器，电池供电的便携式设备领域。
新产品 发布时间 : 2018-07-06
【产品】连续漏极电流达-4.1A的P沟道增强型功率MOSFET BLM3407，适用于负载开关及PWM应用
上海贝岭推出的P沟道增强型功率MOSFET BLM3407系列，器件采用先进的沟槽工艺技术，提供出色的漏源导通电阻RDS(ON)，低栅极电荷以及低至4.5V的栅极电压等特性，器件适用于负载开关及PWM应用领域。
产品 发布时间 : 2023-07-04
【产品】PANJIT推出N沟道增强型MOSFET PJA3406-AU，规格为30V/4.4A
强茂（PANJIT）推出一款采用SOT-23封装的N沟道增强型MOSFET PJA3406-AU，在TA=25℃的条件下，其最大额定值方面，漏源电压为30V，栅源电压为±20V，连续漏极电流为4.4A，该器件专为开关负载、PWM应用等设计。
产品 发布时间 : 2022-06-15
【产品】PWM应用和负载开关的N沟道增强型MOSFET CX4040，RDS(ON)＜5.5mΩ@VGS=10V
诚芯微推出的型号为CX4040的N沟道增强型MOSFET，器件采用先进的沟槽工艺技术，具有优异的漏源导通电阻RDS（ON）和低栅极电荷特性，该系列器件适用于负载开关或PWM应用等领域。
产品 发布时间 : 2023-06-29
【产品】采用PDFN5X6-8L封装的N沟道增强型MOSFET AP90N03GD，连续漏极电流可达80A
铨力半导体推出一款采用PDFN5X6-8L封装的N沟道增强型MOSFET——AP90N03GD，采用先进的沟槽技术，具有出色的漏源导通电阻和低栅极电荷特性，无铅产品，适用于PWM应用、负载开关、电源管理等应用。
产品 发布时间 : 2023-05-01
【产品】诚芯微推出N沟道增强型MOSFET CX3426B系列，具有优异的漏源导通电阻和低栅极电荷特性
诚芯微推出N沟道增强型MOSFET CX3426B系列，器件采用先进的沟槽工艺技术制造，具有优异的漏源导通电阻RDS(ON）和低栅极电荷特性，该系列器件适用于负载开关或PWM应用等领域。
产品 发布时间 : 2023-05-11
【产品】最大漏源电压为-20V的P沟道功率MOSFET AP2333，适用于负载开关及PWM应用
铨力半导体推出的型号为AP2333的P沟道功率MOSFET，通过了无铅认证，采用了先进沟槽技术，采用表面贴装的SOT-23封装方式，静态漏源导通电阻RDS(ON)小于30mΩ（VGS=-4.5V，ID=-6A时），是负载开关或PWM应用的理想选择。
产品 发布时间 : 2021-12-22
电子商城
品牌：PANJIT
品类：ESD Protected N-Channel Enhancement Mode MOSFET
价格：￥0.0900
现货： 16,490
品牌：PANJIT
品类：Dual P-Channel Enhancement Mode MOSFET
价格：￥0.3210
现货： 8,930
品牌：PANJIT
品类：Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET
价格：￥0.1090
现货： 6,465
品牌：PANJIT
品类：N-Channel Enhancement Mode MOSFET
价格：￥0.1670
现货： 6,329
品牌：PANJIT
品类：P-Channel Enhancement Mode MOSFET
价格：￥0.1930
现货： 6,020
品牌：PANJIT
品类：Dual N-Channel Enhancement Mode Mosfet
价格：￥1.1300
现货： 5,000
品牌：PANJIT
品类：P-Channel Enhancement Mode MOSFET
价格：￥1.5820
现货： 4,900
品牌：PANJIT
品类：ESD Protected N-Channel Enhancement Mode MOSFET
价格：￥0.1989
现货： 4,050
品牌：PANJIT
品类：N-Channel Enhancement Mode MOSFET
价格：￥0.5537
现货： 3,574
现货市场
服务
可根据用户的MOSFET管进行参数检测出具报告，静态参数最大电压:7500V、检测最大电流6000A；动态参数最大电压:3300V、检测最大电流:4500A。该测试标准满足GB、IEC及行业标准等，具备可靠性评估及老化实验能力。
实验室地址： 西安 提交需求>
可定制位移传感器量程范围10~600mm，该YWD型位移传感器表面有带刻度的透明窗☐，每毫米的变化量误差不超过3ue/mm，可在静态、准静态和低频动态下工作。主要指标：非线性<0.2%；供桥电压<10v；测试精度：0.01mm。
最小起订量： 1 提交需求>
授权代理品牌：集成电路
授权代理品牌：分立元件
授权代理品牌：接插件及结构件
授权代理品牌：部件、组件及配件
授权代理品牌：电源及模块
授权代理品牌：电子材料
授权代理品牌：仪器仪表及测试配组件
授权代理品牌：电工工具及材料
授权代理品牌：机械电子元件
授权代理品牌：加工与定制
我要提问
登录 | 立即注册
提交评论