【产品】强茂推出20V/2A无铅N沟道增强型MOSFET PJA3430-AU,SOT-23封装

2022-09-01 PANJIT
MOSFET,N沟道增强型MOSFET,PJA3430-AU,PANJIT MOSFET,N沟道增强型MOSFET,PJA3430-AU,PANJIT MOSFET,N沟道增强型MOSFET,PJA3430-AU,PANJIT MOSFET,N沟道增强型MOSFET,PJA3430-AU,PANJIT

PANJIT(强茂)推出的N沟道增强型MOSFET PJA3430-AU,采用SOT-23封装,在TA=25℃条件下,漏源最大电压20V,漏极直流电流最大2A,在ESD保护方面,HBM保护2KV,专为开关负载、PWM应用等而设计,产品无铅符合欧盟RoHS 2.0标准以及AEC-Q101标准。


产品外型


特点

RDS(ON), VGS@4.5V, ID@2.0A<150mΩ

RDS(ON), VGS@2.5V, ID@1.5A<215mΩ

RDS(ON), VGS@1.8V, ID@0.3A<400mΩ

先进的沟槽工艺技术

专为开关负载、PWM应用等而设计

ESD 保护 2KV HBM

符合AEC-Q101标准

无铅符合欧盟RoHS 2.0标准

符合IEC 61249标准的绿色模塑料


机械参数

外壳封装:SOT-23 封装

端子:可焊性符合MIL-STD-750标准(方法2026)

大约重量:0.0003 盎司,0.0084 克


最大额定值和热特性(TA=25℃除非另有说明)

电气特性(TA=25℃除非另有说明)

3.png

Note:

1,脉宽≤300μs,占空比≤2%。

2,基本独立于工作温度的典型特性。

3,RΘJA是结-壳和壳-环境热阻之和,其中壳热参考定义为安装在1英寸FR-4上的漏极引脚的焊接安装表面,具有2oz铜厚的方形焊盘。

4,最大额定电流受封装限制。

5,由设计保证,未经生产测试。

授权代理商:世强先进(深圳)科技股份有限公司
技术资料,数据手册,3D模型库,原理图,PCB封装文件,选型指南来源平台:世强硬创平台www.sekorm.com
现货商城,价格查询,交期查询,订货,现货采购,在线购买,样品申请渠道:世强硬创平台电子商城www.sekorm.com/supply/
概念,方案,设计,选型,BOM优化,FAE技术支持,样品,加工定制,测试,量产供应服务提供:世强硬创平台www.sekorm.com
集成电路,电子元件,电子材料,电气自动化,电机,仪器全品类供应:世强硬创平台www.sekorm.com
  • +1 赞 0
  • 收藏
  • 评论 2

本文由你罗滴号翻译自PANJIT,版权归世强硬创平台所有,非经授权,任何媒体、网站或个人不得转载,授权转载时须注明“来源:世强硬创平台”。

相关研发服务和供应服务

评论

   |   

提交评论

全部评论(2

  • dylen Lv7. 资深专家 2022-09-20
    学习
  • 棒棒猫 Lv6. 高级专家 2022-09-05
    学习
没有更多评论了

相关推荐

【产品】SOT-23 6L封装的互补增强型MOSFET PJS6601-AU

PANJIT(强茂)推出的PJS6601-AU是一款采用SOT-23 6L封装的互补增强型MOSFET。其中N沟道与P沟道的漏-源电压最大额定值分别为20V和-20V,同时连续漏极电流最大额定值分别为4.1A和-3.1A。

2019-12-08 -  新产品 代理服务 技术支持 采购服务

【产品】强茂新推1A/20V无铅N沟道增强型MOSFET PJQ1820U-20V,采用先进沟槽工艺技术

强茂(PANJIT)推出一款采用DFN1010B-6L封装的N沟道增强型MOSFET PJQ1820U-20V,在TA=25℃的条件下,漏源电压为20V,栅源电压为±8V,连续漏极电流为1.0A。

2022-09-09 -  新产品 代理服务 技术支持 采购服务

【产品】20V/4.1A N沟道增强型MOSFET PJA3412-AU,采用SOT-23封装

PANJIT(强茂)推出了SOT-23封装的PJA3412-AU,N沟道增强型MOSFET,漏源电压为20V,连续漏极电流4.1A。其采用先进的沟槽技术,专为开关负载,PWM应用等设计。

2019-12-01 -  新产品 代理服务 技术支持 采购服务

APG082N01 N沟道增强型MOSFET

描述- 本资料介绍了APG082N01型N沟道增强型MOSFET的特性及应用。该器件采用Split Gate trench技术,具有低导通电阻和高电流承载能力,适用于PWM应用、负载开关和电源管理等领域。

型号- APG082N01

2021/10/31  - 铨力半导体  - 数据手册  - V1.0 代理服务 技术支持 采购服务

PJE8408-AU 20V N沟道增强型MOSFET

描述- 本资料介绍了PJE8408-AU型20V N-Channel增强模式MOSFET的特性。该器件采用先进的沟槽工艺技术,适用于开关负载、PWM应用等,具有低电压驱动(1.2V)、ESD保护、符合AEC-Q101标准等特点。

型号- PJE8408-AU_R1_000A1,PJE8408-AU

August 10,2022  - PANJIT  - 数据手册  - REV.01 代理服务 技术支持 采购服务

APG068N04Q N沟道增强型MOSFET

描述- 本资料介绍了APG068N04Q型N沟道增强型MOSFET的特性、电气参数和应用领域。该器件采用Split Gate trench技术制造,具有低导通电阻和低栅极电荷的特点,适用于PWM应用、负载开关和电源管理等领域。

型号- APG068N04Q

2023/12/01  - 铨力半导体  - 数据手册  - V1.0 代理服务 技术支持 采购服务

AP5040-Au N沟道增强型MOSFET

描述- 本资料介绍了AP5040-AU型N沟道增强型MOSFET的特性。该器件具有40V电压额定值、5A连续漏极电流,低导通电阻和高开关速度。它适用于负载切换、PWM应用和电源管理等领域。

型号- AP5040-AU

2022/11/4  - 铨力半导体  - 数据手册  - V1.0 代理服务 技术支持 采购服务

强茂(PANJIT)Low Voltage MOSFET选型表

强茂(PANJIT)提供以下参数选型:VDS(V):-40~40,VGS(±V):8-20,ID(A):-100~136,RDS(on) Max. (Ω)(10V):1.6~160等。强茂开发一系列不同封装的低压MOSFET产品,适用于笔记型电脑,平板电脑,主机板等3C产品均会使用到此类型产品;采沟槽式(Trench)结构与封装技术相结合实现低导通电阻提升产品性能。

产品型号
品类
Package
Product Status
Replacement Part
AEC-Q101 Qualified
ESD
Polarity
Config.
VDS(V)
VGS(±V)
ID(A)
RDS(on) Max. (mΩ)(10V)
RDS(on) Max. (mΩ)(4.5V)
RDS(on) Max. (mΩ)(2.5V)
RDS(on) Max. (mΩ)(1.8V)
RDS(on) Max. (mΩ)(1.5V)
RDS(on) Max. (mΩ)(1.2V)
Ciss Typ.(pF)
VGS(th) Max.(V)
Qg Typ. (nC)(10V)
Qg Typ. (nC)(4.5V)
PJQ5542V-AU
Low Voltage MOSFET
DFN5060-8L
New Product
-
AEC-Q101 Qualified
-
N
Single
40
20
136
3
-
-
-
-
-
3050
3.5
43
-

选型表  -  PANJIT 立即选型

PJA3406 30V N沟道增强型MOSFET

描述- PJA3406是一款30V N-Channel增强型MOSFET,具有低导通电阻和适用于开关负载、PWM应用和固态继电器。该产品采用先进的沟槽工艺技术,符合欧盟RoHS 2011/65/EU指令,并采用无卤素化合物。

型号- PJA3406

March 10,2014  - PANJIT  - 数据手册  - REV.00S 代理服务 技术支持 采购服务

PJA3432-AU 30V N沟道增强型MOSFET–ESD保护

描述- 该资料介绍了PJA3432-AU型号的N沟道增强型MOSFET。它是一种30V电压等级、1.6A电流等级的功率器件,具有低导通电阻(RDS(ON))、ESD保护功能,适用于开关负载和PWM应用。此外,该产品符合AEC-Q101标准,并满足欧盟RoHS 2.0环保要求。

型号- PJA3432-AU_R1_000A1,PJA3432-AU

August 11,2020  - PANJIT  - 数据手册  - REV.00 代理服务 技术支持 采购服务

PJA3414 20V N沟道增强型MOSFET

描述- PJA3414是一款20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET,具有低导通电阻、高电流承载能力等特点,适用于开关负载、PWM应用等。产品采用先进的沟槽工艺技术,符合欧盟RoHS 2011/65/EU指令,采用环保型注塑化合物。

型号- PJA3414

March 10,2014  - PANJIT  - 数据手册  - REV.00S 代理服务 技术支持 采购服务 查看更多版本

PJA3402 30V N沟道增强型MOSFET

描述- PJA3402是一款30V N-Channel增强型MOSFET,具有低导通电阻和适用于开关负载、PWM应用等特点。该产品采用先进的沟槽工艺技术,符合欧盟RoHS 2011/65/EU指令,并采用无卤素绿色模具化合物。

型号- PJA3402

March 10,2014  - PANJIT  - 数据手册  - REV.00S 代理服务 技术支持 采购服务 查看更多版本

PJC7400 30V N沟道增强型MOSFET

描述- 本资料介绍了PPJC7400型30V N-Channel增强模式MOSFET的特性。该器件采用先进的沟槽工艺技术,适用于开关负载、PWM应用等场景。其主要特性包括低导通电阻(RDS(ON))、符合欧盟RoHS指令的无铅设计以及环保的绿色模具化合物。

型号- PJC7400_R1_00001,PJC7400,PJC7400_R2_00001

March 10,2014  - PANJIT  - 数据手册  - REV.00 代理服务 技术支持 采购服务 查看更多版本

PJT7816 20V N沟道增强型MOSFET

描述- 本资料详细介绍了PJT7816这款20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET的特性,包括其电气参数、机械数据、应用领域等。该产品采用先进的沟槽工艺技术,适用于开关负载、PWM应用等,符合欧盟RoHS 2.0标准。

型号- PJT7816

September 20,2023  - PANJIT  - 数据手册  - REV.01 代理服务 技术支持 采购服务

PJA3404A 30V N沟道增强型MOSFET

描述- PJA3404A是一款30V N-Channel增强型MOSFET,采用先进的沟槽工艺技术,适用于开关负载、PWM应用等。产品符合欧盟RoHS2.0指令,采用无卤素环保材料。

型号- PJA3404A

December 6,2016  - PANJIT  - 数据手册  - REV.00S 代理服务 技术支持 采购服务
展开更多

电子商城

查看更多

品牌:PANJIT

品类:N-Channel Enhancement Mode Mosfet

价格:

现货: 0

品牌:PANJIT

品类:ESD Protected N-Channel Enhancement Mode MOSFET

价格:¥0.0900

现货: 16,490

品牌:PANJIT

品类:Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET

价格:¥0.1090

现货: 6,465

品牌:PANJIT

品类:N-Channel Enhancement Mode MOSFET

价格:¥0.1670

现货: 6,329

品牌:PANJIT

品类:P-Channel Enhancement Mode MOSFET

价格:¥0.1930

现货: 6,020

品牌:PANJIT

品类:Dual P-Channel Enhancement Mode MOSFET

价格:¥0.3210

现货: 5,965

品牌:PANJIT

品类:Dual N-Channel Enhancement Mode Mosfet

价格:¥0.6648

现货: 5,000

品牌:PANJIT

品类:P-Channel Enhancement Mode MOSFET

价格:¥0.9306

现货: 4,900

品牌:PANJIT

品类:ESD Protected N-Channel Enhancement Mode MOSFET

价格:¥0.1170

现货: 4,050

品牌:PANJIT

品类:N-Channel Enhancement Mode MOSFET

价格:¥0.3258

现货: 3,574

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

现货市场

查看更多

品牌:PANJIT

品类:场效应管

价格:¥0.1703

现货:25,644

品牌:PANJIT

品类:场效应管

价格:¥0.4235

现货:20,059

品牌:扬杰科技

品类:Mosfet

价格:¥1.0500

现货:500,000

品牌:捷捷微电

品类:MOSFET

价格:¥0.7000

现货:500,000

品牌:MCC

品类:MOSFET

价格:¥0.1627

现货:305,993

品牌:RENESAS

品类:MOSFET

价格:¥1.2134

现货:263,268

品牌:TOSHIBA

品类:MOSFET

价格:¥0.2034

现货:251,269

品牌:RENESAS

品类:MOSFET

价格:¥1.9902

现货:222,500

品牌:RENESAS

品类:MOSFET

价格:¥6.0884

现货:196,984

品牌:MCC

品类:MOSFET管

价格:¥0.3248

现货:168,278

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

服务

查看更多

粘结钕铁硼磁铁定制

可定制内充多极外充多极,平面多极和内外螺旋型各类充磁产品,多级充磁最多可做256极,通过环氧树脂加入稀土,模具压制支持多尺寸定制,

最小起订量: 1 提交需求>

位移传感器量程定制

可定制位移传感器量程范围10~600mm,该YWD型位移传感器表面有带刻度的透明窗☐,每毫米的变化量误差不超过3ue/mm,可在静态、准静态和低频动态下工作。主要指标:非线性<0.2%;供桥电压<10v;测试精度:0.01mm。

最小起订量: 1 提交需求>

查看更多

授权代理品牌:接插件及结构件

查看更多

授权代理品牌:部件、组件及配件

查看更多

授权代理品牌:电源及模块

查看更多

授权代理品牌:电子材料

查看更多

授权代理品牌:仪器仪表及测试配组件

查看更多

授权代理品牌:电工工具及材料

查看更多

授权代理品牌:机械电子元件

查看更多

授权代理品牌:加工与定制

世强和原厂的技术专家将在一个工作日内解答,帮助您快速完成研发及采购。
我要提问

954668/400-830-1766(工作日 9:00-18:00)

service@sekorm.com

研发客服
商务客服
服务热线

联系我们

954668/400-830-1766(工作日 9:00-18:00)

service@sekorm.com

投诉与建议

E-mail:claim@sekorm.com

商务合作

E-mail:contact@sekorm.com

收藏
收藏当前页面