【应用】英诺赛科GaN MOS INN650DA260A用于电源适配器，耐压高达650V，工作温度-55℃至+150℃
氮化镓材料与传统的硅材料相比有很多优点，比如氮化镓材料拥有更大的禁带宽度，更高的临界场强，良好的散热性能等，使得基于这种材料制作的氮化镓功率半导体具有高耐压，低导通电阻，寄生参数小等优势，当氮化镓器件应用于开关电源领域中时，这些优势可以有效地提升开关电源的效率、功率密度和可靠性等。由于氮化镓器件的性能优异，氮化镓晶体管的应用也越来越广泛，尤其是在电源适配器上，使用GaN MOS的适配器体积更小、效率更高。
英诺赛科的GaN MOS——INN650DA260A可以满足在电源适配器上的应用，其耐压高达650V，封装尺寸为 5mm × 6mm 的DFN小封装，可以满足大多数支持PD快充的电源适配器的设计要求。以客户设计的一款65W的电源适配器为例，适配器输入为AC100-240V，1.8A，输出为9V/3A、12V/3A或20V/3.25A，采用Type-C接口，最大功率65W，支持PD快充，可以给Type-C接口的手机或者笔记本电脑充电。
图1：INN650DA260A的关键性能参数
在电源适配器上采用英诺赛科的GaN MOS——INN650DA260A，因其具有以下优势：
• 耐压高达650V，满足适配器所需的高耐压开关器件要求；
• 超高开关频率，极小的驱动损耗；
• 工作温度范围在-55℃至+150℃，工作温度范围较宽；
• 导通电阻极小，Rds(mΩ) Max：260mΩ，导通损耗较低；
• INN650DA260A的Qrr为零，无反向恢复时间及损耗，大大提升效率。
除了上述的这些优势外，INN650DA260A的封装也是较小的5mm×6mm的DFN封装，加上其优异的散热性能，工程师在设计时可以有效减少产品体积，除了快速充电外，INN650DA260A在高密度功率转换、高效电源转换等方面的应用也很广泛。
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