【应用】瞻芯电子栅极驱动器IVCR2405DR助力美容仪设计,峰值拉灌电流高达4A,SOIC-8封装
小型手持美容仪的出现使得在家也能轻松变美的愿望不再落空,无疑是广大爱美人士的福音,那么美容仪是怎么工作的?里面又用到了哪些器件?本文将介绍瞻芯电子栅极驱动器IVCR2405DR在美容仪上的应用。
美容仪的核心是产生高频率的射频信号,穿过肌肤表层,作用于深层的细胞,达到加热细胞、紧致美肤的效果,IVCR2405DR就应用于射频信号的驱动部分,来驱动后级的MOS管。
IVCR2405DR应用在美容仪上的优势:
1、VDD供电电压4.5V~20V,范围高达24V,芯片内部集成了UVLO保护,当VDD低于欠压保护阈值时,驱动器将会忽视输入信号,将输出置低;
2、峰值拉灌电流高达4A,可以安全、高效地驱动MOSFET以及IGBT;
3、输入为TTL和CMOS兼容逻辑电平,最大输入容差为24V,确保在寄生电感引起过冲的情况下稳定工作;
4、工业级紧凑型SOIC-8封装,适合小型手持美容仪这种空间受限的应用场景;
5、工作温度范围为-40℃至125℃,达到工业级别耐温,可保障异常高温下仍能够平稳运行。
具体应用框图如下:
引脚分布图如下:
带一路反向输入和一路非反向输入
综上述:瞻芯电子栅极驱动器IVCR2405DR可应用于美容仪器上,做信号的驱动。
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 0
本文由冉婕提供,版权归世强硬创平台所有,非经授权,任何媒体、网站或个人不得转载,授权转载时须注明“来源:世强硬创平台”。
相关推荐
【应用】国产IVCR1407SR栅极驱动器用于1kw逆变器,具有更低传播延时、高达4A的拉电流和灌电流能力
在1kw的逆变器设计中,需要采用全桥变换将直流电转换成交流电,而全桥电路则由4颗高压MOS来进行搭建,MOS的驱动往往采用专用的栅极驱动芯片来实现,本文将介绍瞻芯电子IVCR1407SR栅级驱动器在1kw逆变器上的应用。
【应用】超小体积MOS驱动芯片IVCR1801SR助力激光测距雷达设计,低传播延迟≤20ns
本文重点介绍瞻芯电子IVCR1801SR,它是单通道4A峰值拉电流和8A峰值灌电流的高速低侧栅极驱动器,可以高效安全地驱动MOSFET、IGBT以及GaN等功率器件,单通道大电流,高达4A峰值拉电流和8A峰值灌电流,可以用于激光测距雷达的设计。
【应用】国产高速低侧栅极驱动器IVCR1801SR助力家用手持射频美容仪设计,传播延迟低,实现5M射频输出
某个客户要设计一款家用手持射频美容仪,想通过改变推挽电路的设计来提高工作功率,经推荐,客户选择使用了英洛赛科的INN650D150A,配合瞻芯电子的IVCR1801SR驱动芯片,能够实现5M以上的射频输出,大大提高射频美容仪的美容效果。
瞻芯电子(InventChip)碳化硅(SiC)功率器件/驱动与控制芯片选型指南
描述- 上海瞻芯电子科技股份有限公司(简称“瞻芯电子”)是一家聚焦于碳化硅 (SiC) 半导体领域的高科技芯片公司,2017 年成立于上海临港,致力于开发碳化硅 (SiC) 功率器件和模块、驱动和控制芯片产品,围绕 SiC 应用,为客户提供一站式芯片解决方案。
型号- IV2Q12040BD,IV1B12009HA2L,IV1D12030BD,IV2Q07014T4Z,IV1Q12050D7Z,IVST12017MA1L,IV2Q12100BD,IV1Q12017T4ZG,IV1Q12160T4Z,IVST12080DA1L,IVCR2405DR,IV2Q12040T4Z,IV1D06020BD,IVCR1412SR,IV2Q12013T6Z,IV2Q06060BD,IV1Q12080T3Z,IV2Q171R0BD,IVCO1A01DQR,IV1Q12750T3,IV2Q12030D7Z,IV1D12015BD,IV2Q07014BA,IV2Q07014BD,IV2Q12160T4Z,IV1D06006F5,IVCO1A01DR,IV1B12013HA1L,IVSM12040HA2Z,IVSM07060HA2Z,IV2Q12200T4Z,IV2Q06060L1,IV1D06010O2,IVCO1A02DWR,IV1Q12030BDG,IV1Q12080T4Z,IV1Q12750BD,IV2Q171R0T3,IVCC1102DR,IV1Q06060BDG,IV2Q12040K1Z,IV1D06020T2,IV3D12060U3,IV1Q12050T3,IV1D12020T2,IV1Q12080BD,IV1Q12050T4,IVST12050SA1L,IVCR2504DR,IV1Q12017BDG,IV1D06006BD,IV1D06004O2,IV1D12020T3,IV1Q06060D7G,IV2Q12160BD,IVCR2402DR,IV2Q12160D7Z,IV2Q06040BD,IV2Q12017BD,IV1D12040U3Z,IVCR1801ASR,IVCO1A02DWQR,IV2B12003HA2L,IV1D06020U3Z,IV1Q06040T4Z,IV2Q12017BA,IV3D12030U3,IV1Q06060T4ZG,IV2Q12013BD,IV2Q12013BA,IV1D12010O2,IVCC1102F4AR,IVCO1412DDWQR,IVST12040DA1L,IV1D06010T2,IVCR1401DR,IV1Q12080T3,IV1D12020BD,IV1D12040U3,IV1D06004P3,IV1Q12080T4,IV3D12015T2,IV2Q12080D7Z,IVCR2404MPQR,IV2Q06025BD,IVTM12080TA1Z,IV2Q06040L1,IV2Q17020T4Z,IV2Q20045BD,IV3B20023BA2,IV3D12030T2,IV2D12002BD,IVCO1A02DQR,IV1D12005BD,IVCC1104F4AR,IV2Q06025T4Z,IV2Q06040T4Z,IV2Q06060O3Z,IV1Q06060T4G,IV1D12040T2,IV2Q12100D7Z,IV2Q171R0D7Z,IV2Q06025L1,IVST12050MA1L,IVST12160DA1L,IVCR2403DR,IV1Q06040BD,IV1Q12160T3,IV1Q12160T4,IV1B12025HC1L,IV1Q12017BAG,IV2Q12200D7Z,IV2Q20045T4,IV2D12020T2,IV2Q12200BD,IV2Q06060T4Z,IV2Q12030T4Z,IV2Q12040D7Z,IV2D12020BD,IV1D12040BD,IV6212004HA2,IV1Q06060T3G,IVCR1407ASR,IV1Q12050BD,IV1Q12017T4G,IV1D12010T2,VSM12080HA2Z,IVCR1402DPQR,IV1D06004F5,IV2B12006HA1L,IVCO1411DDWQR,IV1Q06040T4,IV1Q06040T3,IV1D06010BD,IV1Q12160BD,IV1Q12750O3,IV1Q06040L1,IV1Q12160D7Z,IVCC1104DR,IV2Q12080BD,IV2Q175S0BD,IV2Q06025D7Z,IV6212004HB2,IVSM06025HA2Z,IVST12017SA1L,IV1D12030U3,IV1D20020T2,IV1D06004BD,IV1D06006O2,IV2D12020D2Z,IV2Q06040D7Z,IV2Q12017T4Z,IVCR2404DR,IV2Q06060D7Z,IVCO1A01DWR,IV1Q12030T4G,IV2Q17020BD,IV3D12020T2,IV1D12010BD,IV2D12002P2,IV2Q12030BD,IVST12120DA1L,IV2Q12080T4Z,IV1D06020U3,IVCO1A01DWQR,IV1D12030T2,IVHD122M1TA2Z,IVCO1A02DR,IV1D06006P3,IV1Q12050T4Z,IVCR2404MPR,IV1D12010P2Z,IV2Q12100T4Z,IVCR1401DPR,IV1Q06060L1G,IV2Q12080K1Z,IV1Q12080D7Z,IV2Q171S0BD,IV1D20020BD,IV1D12015T2,IV2D12002O2,IVSM12160HA2Z,IV1D12005O2,IV2Q171S0S1
Product Brochure SiC Power Semiconductor and IC Solution
型号- IV2Q12040BD,IV1B12009HA2L,IV1D12030BD,IV2Q07014T4Z,IV1Q12050D7Z,IVST12017MA1L,IV2Q12100BD,IV1Q12017T4ZG,IV1Q12160T4Z,IVST12080DA1L,IVCR2405DR,IV2Q12040T4Z,IV1D06020BD,IVCR1412SR,IV2Q12013T6Z,IV2Q06060BD,IV1Q12080T3Z,IV2Q171R0BD,IVCO1A01DQR,IV1Q12750T3,IV2Q12030D7Z,IV1D12015BD,IV2Q07014BA,IV2Q07014BD,IV2Q12160T4Z,IV1D06006F5,IVCO1A01DR,IV1B12013HA1L,IVSM12040HA2Z,IVSM07060HA2Z,IV2Q12200T4Z,IV2Q06060L1,IV1D06010O2,IVCO1A02DWR,IV1Q12030BDG,IV1Q12080T4Z,IV1Q12750BD,IV2Q171R0T3,IVCC1102DR,IV1Q06060BDG,IV2Q12040K1Z,IV1D06020T2,IV3D12060U3,IV1Q12050T3,IV1D12020T2,IV1Q12080BD,IV1Q12050T4,IVST12050SA1L,IVCR2504DR,IV1Q12017BDG,IV1D06006BD,IV1D06004O2,IV1D12020T3,IV1Q06060D7G,IV2Q12160BD,IVCR2402DR,IV2Q12160D7Z,IV2Q06040BD,IV2Q12017BD,IV1D12040U3Z,IVCR1801ASR,IVCO1A02DWQR,IV2B12003HA2L,IV1D06020U3Z,IV1Q06040T4Z,IV2Q12017BA,IV3D12030U3,IV1Q06060T4ZG,IV2Q12013BD,IV2Q12013BA,IV1D12010O2,IVCC1102F4AR,IVCO1412DDWQR,IVST12040DA1L,IV1D06010T2,IVCR1401DR,IV2Q0606003Z,IV1Q12080T3,IV1D12020BD,IV1D12040U3,IV1D06004P3,IV1Q12080T4,IV3D12015T2,IV2Q12080D7Z,IVCR2404MPQR,IV2Q06025BD,IVTM12080TA1Z,IV2Q17020T4Z,IV2Q06040L1,IV3B20023BA2,IV2Q20045BD,IV3D12030T2,IV2D12002BD,IVCO1A02DQR,IV1D12005BD,IVSM12080HA2Z,IVCC1104F4AR,IV2Q06025T4Z,IV2Q06040T4Z,IV2Q06060O3Z,IV1Q06060T4G,IV1D12040T2,IV2Q12100D7Z,IV2Q171R0D7Z,IV2Q06025L1,IVST12050MA1L,IVST12160DA1L,IVCR2403DR,IV1Q06040BD,IV1Q12160T3,IV1Q12160T4,IV1B12025HC1L,IV1Q12017BAG,IV2Q12200D7Z,IVO1411DDWQR,IV2Q20045T4,IV2D12020T2,IV2Q12200BD,IV2Q06060T4Z,IV2Q12030T4Z,IV2Q12040D7Z,IV2D12020BD,IV1D12040BD,IV6212004HA2,IV1Q06060T3G,IVCR1407ASR,IV1Q12050BD,IV1Q12017T4G,IV1D12010T2,IVCR1402DPQR,IV1D06004F5,IV2B12006HA1L,IV1Q06040T4,IV1Q06040T3,IV1D06010BD,IV1Q12160BD,IV1Q12750O3,IV1Q06040L1,IV1Q12160D7Z,IVCC1104DR,IV2Q12080BD,IV2Q175S0BD,IV2Q06025D7Z,IV6212004HB2,IVSM06025HA2Z,IVST12017SA1L,IV1D20020T2,IV1D12030U3,IV1D06004BD,IV1D06006O2,IV2D12020D2Z,IV2Q06040D7Z,IV2Q12017T4Z,IVCR2404DR,IV2Q06060D7Z,IVCO1A01DWR,IV1Q12030T4G,IV2Q17020BD,IV3D12020T2,IV1D12010BD,IV2D12002P2,IV2Q12030BD,IVST12120DA1L,IV2Q12080T4Z,IV1D06020U3,IVCO1A01DWQR,IV1D12030T2,IVCO1A02DR,IVHD122M1TA2Z,IV1D06006P3,IV1Q12050T4Z,IVCR2404MPR,IV1D12010P2Z,IV2Q12100T4Z,IV1D0601002,IVCR1401DPR,IV1Q06060L1G,IV2Q12080K1Z,IV1Q12080D7Z,IV2Q171S0BD,IV1D20020BD,IV1D12015T2,IV2D12002O2,IVSM12160HA2Z,IV1D12005O2,IV2Q171S0S1
【选型】瞻芯电子MOSFET/IGBT驱动芯片IVCR1407S与TI UCC27533功能对比,多个参数一致
上海瞻芯电子科技有限公司推出NextDrive®系列Low Side Driver,提供系列非隔离低边驱动IC。本文将MOSFET/IGBT驱动芯片IVCR1407S与TI公司UCC27533功能和参数进行对比,以方便有需要研发工程师选型。
【选型】国产低边4A双通道高速栅极驱动器IVCR2404DR替代UCC27524用于LLC全桥驱动,延时匹配低至1ns
20KW充电模块DCDC部分电路中采用的全桥LLC拓扑方案,使用TI的UCC23513双5A高低低侧驱动器。本文推荐国产瞻芯电子低边4A双通道高速栅极驱动器IVCR2404DR替代,两通道延时匹配低至1ns,非常适合于服务器和电信电源的同步整流驱动。
IVCR2403/4/5 24V 4A 拉、灌电流 双通道驱动器
型号- IVCR2405DR,IVCR2404DR,IVCR2405D,IVCR2404D,IVCR2403D,IVCR2403,IVCR2405,IVCR2403DR,IVCR2404
【选型】MOSFET/IGBT驱动芯片IVCR1407S与FAN3100T功能对比,工作电压更宽为4.5~20V
上海瞻芯电子科技有限公司推出NextDrive®系列Low Side Driver,提供系列非隔离低边驱动IC。本文将IVCR1407S与ON公司FAN3100T功能和参数进行对比,以方便有需要研发工程师选型。
IVCR2403/4/5 24V 4A Peak Source and Sink Dual-Channel Driver
型号- IVCR2405DR,IVCR2404DR,IVCR2405D,IVCR2404D,IVCR2403D,IVCR2403,IVCR2405,IVCR2403DR,IVCR2404
瞻芯电子通用栅极驱动芯片(Gate Driver)选型表
SiC 专用 ● 栅极驱动芯片:比邻驱动,瞻芯电子提供以下参数选型:Power Switch:Si/IGBT/GaN/SiC、Channels:1~2等
产品型号
|
品类
|
Qualification
|
Power Switch
|
Channels
|
Vcc(V)
|
Iout(Source/Sink)
|
Prop. Delay(ns)
|
Package
|
IVCR2402DR
|
通用栅极驱动芯片
|
工业级
|
Si/IGBT
|
2
|
24
|
4 / 4
|
16
|
SOIC-8
|
选型表 - 瞻芯电子 立即选型
【应用】瞻芯电子IVCR1801驱动器用于模块电源,工温范围-40到125℃,可提供4A峰值拉/灌电流
本文推荐用瞻芯电子推出的驱动器IVCR1801用于模块电源产品中。该驱动可以高效安全地驱动MOSFET、IGBT以及新兴的宽带隙功率器件,具有低传播延迟以及紧凑的SOT-23封装等特点,温度范围宽达-40℃到125℃,能提供4A峰值拉电流和8A峰值灌电流。
电子商城
现货市场
服务
可定制射频隔离器/环行器(10M-40GHz),双工器/三工器(30MHz/850MHz-20GHz),滤波器(DC-20GHz),功分器,同轴负载,同轴衰减器等射频器件;可定制频率覆盖DC~110GHz,功率最高20KW。
最小起订量: 1 提交需求>
朗能泛亚提供是德(Keysight),罗德(R&S)等品牌的测试测量仪器维修服务,包括网络分析仪、无线通讯综测仪、信号发生器、频谱分析仪、信号分析仪、电源等仪器维修,支持一台仪器即可维修。
提交需求>
登录 | 立即注册
提交评论