【产品】SOT-23-3L塑封P沟道MOSFET CJK1211，可用于PWM应用和负载开关等
长晶科技推出的CJK1211是SOT-23-3L塑封P沟道MOSFET，是一款增强型场效应晶体管。采用先进的沟槽MOSFET工艺技术，具有超低导通电阻和低栅极电荷，可用于PWM应用，负载开关和手机电池充电等领域。此外，器件的工作结温和存储温度范围宽至-55~150°C，结至环境热阻为277℃/W(t<5s）。
CJK1211的漏源电压最大额定值为-12V；栅源电压最大额定值为±8V。器件的连续漏极电流最大额定值高达-11A, 耗散功率最大额定值仅为450mW。器件具有低导通电阻，采用脉冲测试（脉冲宽度≤300µs，占空比≤2%），VGS =-4.5V, ID =-6A条件下的漏源导通电阻最大值仅为25mΩ；VGS =-2.5V, ID =-6A条件下最大值仅为30mΩ。
图1 产品外观和等效电路
优势与特性
采用先进的沟槽MOSFET工艺技术
具有超低导通电阻和低栅极电荷
应用领域
PWM应用
负载开关
手机电池充电
尺寸信息
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 0
本文由青莲居士翻译自长晶科技，版权归世强硬创平台所有，非经授权，任何媒体、网站或个人不得转载，授权转载时须注明“来源：世强硬创平台”。
相关推荐
【元件】长晶科技新推P沟道MOSFET CJ4459A，采用SOT-23封装，漏源电压为-30V
长晶科技推出的P沟道MOSFET CJ4459A将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，以提供极低的RDS（ON）。该器件是负载开关和电池保护应用的理想选择，该器件采用SOT-23封装。
【产品】输入电压2.5V至5.5V的单P沟道MOSFET负载开关TMI6263系列，非常适合3V和5V供电系统
西安拓尔生产的TMI6263系列是高性价比，单P沟道MOSFET负载开关，具有超低漏源导通电阻RDS（ON）。针对自供电和总线供电的通用串行总线（USB）应用进行了优化。输入电压范围2.5V至5.5V，非常适合3V和5V供电系统。
【产品】-20V/-3.1A汽车级P沟道增强型MOSFET PJA3411-AU，专为开关负载、PWM应用
PANJIT（强茂）推出了PJA3411-AU为P沟道增强型MOSFET。采用SOT-23封装，其漏源电压最大额定值为-20V，连续漏极电流为-3.1A。
长晶科技Trench MOS选型表
长晶科技提供以下技术参数选型表，VDS：-100V~100V，VGS：±8V~±20V等
|
产品型号
|
品类
|
Type
|
Process
|
ESD（Yes/No）
|
VDS（V）
|
ID（A）
|
RDS(mΩ)@VGS10V Max
|
RDS(mΩ)@VGS4.5V Max
|
|
2N7000_TO-92
|
Trench MOS
|
Single-N
|
Trench
|
No
|
60V
|
0.2A
|
5000mΩ
|
6000mΩ
|
选型表 - 长晶科技 立即选型
【经验】拓尔微电子负载开关TMI6260X的设计经验分享
拓尔微电子TMI6260X是一款经济高效的负载开关，内置60mΩ的P沟道MOSFET，输入电压范围为2.5V至5.5V，可调电流限值0.3A至2.5A（典型值）。其对自供电和总线供电的通用串行总线（USB）应用进行了优化，非常适合3V和5V系统的应用。
长晶MOS选型表
长晶科技提供如下MOS的技术选型:VDS(V)范围：-100~+650；VGS(V)范围：±6~±30；ID(A)范围：-100~+248.....长晶科技的MOS有SOP8、SOT-223、CSPC3420-10、DFN1006-3L等多种封装形式，可广泛应用于汽车,工业,电源,家电,电脑周边,通讯,照明,医疗,新能源,电汽等领域。
|
产品型号
|
品类
|
Status
|
Type
|
Process
|
ESD(Yes/No)
|
VDS(V)
|
VGS(V)
|
ID(A)
|
VGS(TH)(V)
|
RDS(mΩ)@VGS(10V Typ)
|
RDS(mΩ)@VGS(10V Max)
|
RDS(mΩ)@VGS（4.5V Typ）
|
RDS(mΩ)@VGS（4.5V Max）
|
Package
|
|
2N7000_TO-92
|
Trench MOS
|
Active
|
Single-N
|
Trench
|
No
|
60
|
-
|
0.2
|
0.8~3
|
-
|
5000
|
-
|
6000
|
TO-92
|
选型表 - 长晶科技 立即选型
【应用】负载开关TMI6263BH助力楼层显示器实现对后端负载通断控制，快速瞬态响应快至8μs
楼层显示器上需要高速、低功耗的负载开关来实现对后端负载的通断控制。这里介绍了拓尔微电子的集成单P沟道MOSFET的负载开关TMI6263BH，相关特性及其在楼层显示器上的应用，供读者参考。
WSD90P06DN56 P沟道MOSFET
描述- WSD90P06DN56是一款高性能沟槽P沟道MOSFET，具有极高的单元密度，提供优异的RDSON和栅极电荷，适用于大多数同步降压转换器应用。该产品符合RoHS和绿色产品要求，100% EAS保证，功能可靠性经过批准。
型号- WSD90P06DN56
WST3078 N和P沟道MOSFET
描述- WST3078是一款高性能的沟槽N沟道和P沟道MOSFET，具有极高的单元密度，适用于小型电源开关和负载开关应用，提供优异的RDSON和栅极电荷。该产品符合RoHS和绿色产品要求，具有可靠性功能。
型号- WST3078
导通电阻46mΩ的P沟道低压MOS管SL4459，电感电压低至4.5V，非常适合负载开关或PWM应用
本文要介绍的是SLKOR低压MOS管SL4459，采用了先进的微处理器技术，为各种应用提供了卓越的性能，特点包括出色的Ron（导通电阻）、低电感以及低至4.5V的电感电压。这些特性使得该器件非常适合负载开关或PWM（脉宽调制）应用。
SLD30P06T 60V P沟道MOSFET
描述- 本资料介绍了Msemitek公司生产的SLD30P06T型60V P-Channel MOSFET。该器件采用先进的沟槽技术，具有低导通电阻、快速开关性能和高能脉冲承受能力等特点。适用于PWM应用、负载开关和电源管理等领域。
型号- SLD30P06T
WSR80P06 P沟道MOSFET
描述- 该资料详细介绍了WSR80P06 P-Channel MOSFET的特性，包括其电气参数、热数据、典型特性曲线等。该器件采用先进的沟槽技术，具有低导通电阻、低栅极电荷和低栅极电压等特点，适用于电池保护和其他开关应用。
型号- WSR80P06
SLN30P03T 30V P沟道MOSFET
描述- 本资料介绍了Msemitek公司生产的SLN30P03T型30V P-Channel MOSFET。该器件采用先进的沟槽技术制造，具有低导通电阻、快速开关速度和高能脉冲承受能力等特点。主要应用于PWM应用、负载开关和电源管理等领域。
型号- SLN30P03T
WST2319 P沟道MOSFET
描述- WST2319是一款高性能的沟槽P沟道MOSFET，具有极高的单元密度，适用于大多数同步降压转换器应用，提供优异的RDSON和栅极电荷。该产品满足RoHS和绿色产品要求，具有高频率点负载同步功能可靠性。
型号- WST2319
SLV3407T-30V P沟道MOSFET
描述- 本资料介绍了SLV3407T这款MOSFET的特性及应用。该器件采用先进的沟槽技术制造，具有低导通电阻、快速开关和高能脉冲承受能力等特点。适用于PWM应用、负载切换和电源管理等领域。
型号- SLV3407T
电子商城
品牌：长晶科技
品类：N-Channel + P-Channel MOSFET
价格：￥0.6970
现货： 0
现货市场
服务
可根据用户的MOSFET管进行参数检测出具报告，静态参数最大电压:7500V、检测最大电流6000A；动态参数最大电压:3300V、检测最大电流:4500A。该测试标准满足GB、IEC及行业标准等，具备可靠性评估及老化实验能力。
实验室地址： 西安 提交需求>
授权代理品牌：集成电路
授权代理品牌：分立元件
授权代理品牌：接插件及结构件
授权代理品牌：部件、组件及配件
授权代理品牌：电源及模块
授权代理品牌：电子材料
授权代理品牌：仪器仪表及测试配组件
授权代理品牌：电工工具及材料
授权代理品牌：机械电子元件
授权代理品牌：加工与定制
我要提问
登录 | 立即注册
提交评论