【产品】SOT-23-3L塑封P沟道MOSFET CJK1211，可用于PWM应用和负载开关等
长晶科技推出的CJK1211是SOT-23-3L塑封P沟道MOSFET，是一款增强型场效应晶体管。采用先进的沟槽MOSFET工艺技术，具有超低导通电阻和低栅极电荷，可用于PWM应用，负载开关和手机电池充电等领域。此外，器件的工作结温和存储温度范围宽至-55~150°C，结至环境热阻为277℃/W(t<5s）。
CJK1211的漏源电压最大额定值为-12V；栅源电压最大额定值为±8V。器件的连续漏极电流最大额定值高达-11A, 耗散功率最大额定值仅为450mW。器件具有低导通电阻，采用脉冲测试（脉冲宽度≤300µs，占空比≤2%），VGS =-4.5V, ID =-6A条件下的漏源导通电阻最大值仅为25mΩ；VGS =-2.5V, ID =-6A条件下最大值仅为30mΩ。
图1 产品外观和等效电路
优势与特性
采用先进的沟槽MOSFET工艺技术
具有超低导通电阻和低栅极电荷
应用领域
PWM应用
负载开关
手机电池充电
尺寸信息
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产品型号
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品类
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Type
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Process
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ESD（Yes/No）
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VDS（V）
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ID（A）
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RDS(mΩ)@VGS10V Max
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RDS(mΩ)@VGS4.5V Max
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2N7000_TO-92
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Trench MOS
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Single-N
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Trench
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No
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60V
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0.2A
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5000mΩ
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6000mΩ
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