【产品】30V/105A的N沟道增强型场效应晶体管YJG105N03A

时间： 2021-02-09 来源：扬杰科技

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YJG105N03A是扬杰科技推出的N沟道增强型场效应晶体管，已100%通过UIS和▽VDS测试，采用沟槽功率中压MOSFET技术，以及具有出色散热能力的封装，非常适用于DC-DC转换器、电源管理功能、背光源等相关应用。

图1 YJG105N03A封装及电路图

YJG105N03A的漏源电压为30V，漏极电流为105A（@T_C=25°C），适用于中压电路。具有非常低的低R_DS（ON），最大不超过3.0mΩ（@V_GS= 10V, I_D=20A），极低的导通电阻可有效降低开关损耗。启动延迟时间典型值仅为13ns（V_GS=10V, V_DD=15V, I_D=2A,R_GEN=3Ω），反向恢复时间典型值23ns（I_F=20A, di/dt=500A/us ），具有快速响应能力。结温和储存温度范围均为-55°C～+150°C，具有较强的环境适应性，可很好适应较宽温度范围的环境。

YJG105N03A特点：

沟槽功率中压MOSFET技术

具有出色散热能力的封装

高密度单元设计，具有低R_DS（ON）

YJG105N03A应用：

DC-DC转换器

电源管理功能

背光源

YJG105N03A订购信息：

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