【产品】30V/105A的N沟道增强型场效应晶体管YJG105N03A
YJG105N03A是扬杰科技推出的N沟道增强型场效应晶体管，已100%通过UIS和▽VDS测试，采用沟槽功率中压MOSFET技术，以及具有出色散热能力的封装，非常适用于DC-DC转换器、电源管理功能、背光源等相关应用。
图1 YJG105N03A封装及电路图
YJG105N03A的漏源电压为30V，漏极电流为105A（@TC=25°C），适用于中压电路。具有非常低的低RDS（ON），最大不超过3.0mΩ（@VGS= 10V, ID=20A），极低的导通电阻可有效降低开关损耗。启动延迟时间典型值仅为13ns（VGS=10V, VDD=15V, ID=2A,RGEN=3Ω），反向恢复时间典型值23ns（IF=20A, di/dt=500A/us ），具有快速响应能力。结温和储存温度范围均为-55°C～+150°C，具有较强的环境适应性，可很好适应较宽温度范围的环境。
YJG105N03A特点：
沟槽功率中压MOSFET技术
具有出色散热能力的封装
高密度单元设计，具有低RDS（ON）
YJG105N03A应用：
DC-DC转换器
电源管理功能
背光源
YJG105N03A订购信息：
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扬杰科技MOSFET选型表
扬杰科技提供MOSFET产品，漏源电压VDSS(V)：-100V~900V，漏极电流ID(A)：-115~300，耗散功率PD(W)：-0.83W~375W；
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产品型号
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品类
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Package
|
Status
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ESD
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Configuration
|
Type
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VDSS(V)
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ID(A)
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PD(W)
|
VGS(V)
|
Tj(℃）
|
Vth_Typ(V)
|
Rdson@VGS10V_TYP(mΩ)
|
Rdson@VGS10V_Max(mΩ)
|
Rdson@VGS4.5V_TYP(mΩ)
|
Rdson@VGS4.5V_Max(mΩ)
|
Ciss_Typ(pF)
|
Coss_Typ(pF)
|
Crss_Typ(pF)
|
Qg_Typ(nC)
|
Grade
|
|
2N7002
|
MOSFET
|
SOT-23
|
Active
|
No
|
Single
|
N
|
60
|
0.34
|
0.35
|
±20
|
150
|
1.5
|
1200
|
2500
|
1300
|
3000
|
27.5
|
2.75
|
1.9
|
1.6
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Standard
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