【产品】TO-263封装的100V N沟道沟槽式MOSFET TMB140N10A,漏源导通电阻最大仅7.0mΩ

2019-10-20 无锡紫光微电子
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TMB140N10A无锡紫光微电子推出的漏源电压最大额定值为100V的N沟道沟槽式MOSFET。该产品采用超低导通电阻的高密度单元设计,可充分界定雪崩电压和电流,高EAS使产品有高稳定性,符合RoHS标准,对环境友好,主要应用于电源开关,硬开关和高频电路不间断电源。TMB140N10A采用TO-263封装,该封装有利于散热,增强了器件的热承受能力。


图1   TMB140N10A的产品图及符号图


最大额定值方面,TMB140N10A的连续漏极电流和脉冲漏极电流分别为130A/520A,可承受较高的电流。单脉冲雪崩能量高达1300mJ,雪崩电流达70A,抗浪涌性出色,可有效避免瞬态高电流对器件造成影响。25℃下的耗散功率为235W。工作结温和存储温度为-55~150℃,符合工业级温度要求。


TMB140N10A的结壳热阻为0.64℃/W,散热能力较好。漏源导通电阻最大仅7.0mΩ(VGS=10V),导通损耗较低。漏源体二极管的反向恢复时间的典型值为51ns,产品的响应速度较快。


TMB140N10A的特点:

超低导通电阻的高密度单元设计

充分界定雪崩电压和电流

高EAS,高稳定性

散热性能出色的封装


TMB140N10A的应用:

电源开关

硬开关和高频电路

不间断电源


TMB140N10A的标记代码:

140N10A


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TPD60R1K0C,TMP11N60H,TMA28N50HS,TPA70R1K5M,TMD4N50H,TPV60R350C,TSB15N10A,TPU50R5K0D,TPW60R075C,TMA9N70H,TPR60R580C,TMA45N30H,TPW60R160M,TPB70R135MFD,TTB95N68A,TPU65R600M,TMP20N40H,TMP12N65H,TMJ2N50HF,TMU3N55LT,TMA8N90H,TMA45N50HS,TTD100N04AT,TMS05P35H,TPU65R600C,TPW90R350A,TMP30N25H,TPD65R4K3C,TMD5N30H,TMA12N50HF,TMA8N50HFE,TMP10N80H,TPP65R380C,TPA60R260MFD,TMW35N60H,TPW55R060D,TMA3N65H,TPV60R240M,TMA3N65L,TMA3N65M,TMA3N65N,TTD85N03AT,TPA70R600M,TPD50R5K4CT,TPW65R044MFD,TMU6N60H,TPD65R450CFD,TMP12N40H,TPA110R550A,TTU03P06ATS,TPU65R1K5M,TSP180N03A,TPY70R1K5C,TMA9N95H,TPA65R940C,TMA4N100H,TPA65R2K2C,TPA70R1K5C,TMU2N55CT,TMA8N50HF,TMA8N50HE,TTP90N03AT,TMA3N66H,TMU5N80H,TPP80R750C,TMA8N50HH,TPU73R400M,TMP12N43H,TMX05P35H,TMA13N65H,TTX2305A,TPB60R580C,TPU60R7K5C,TPD65R2K7C,TMA20N60H,TMP7N65HS,TTP115N08A,TMA08N60HS,TPV65R085CFD,TPA65R190MFD,TPU65R1K2C,TPP65R160C,TMW3N150H,TPB65R300MFD,TPW50R060DFD,TPP100R500A,TPU65R950M,TMP20N65H,TPD65R280D,TMA4N55LT,TPW100R800A,TMA12N60H,TPU70R700C,TMU8N65H,TPP70R260M,TMV25N55H,TPV70R190MFD,TPC80R1K2C,TPB65R750C,TPD65R2K6C,TPA60R170MFD,TPV70R090M,TMA3N55HT,TPA80R250A,TSG10N06A,TPU55R6K5C,TMA28N30H,TPA50R700C,TSJ10N06AT,TPA73R300M,TPU50R5K4C,TSU10N06A,TMP30N10HT,TTB65N10A,TTJ12N04AT,TPA65R170M,TSP12N06A,TPC60R150C,TMA8N70H,TPB50R400C,TTU05P03ATS,TMC6N70H,TMP15P20H,TPP60R260MFD,TMA8N65HS,TSD12N06AT,TMW9N90H,TPP60R600MFD,TMP13N40H,TPW70R120M,TMD7N53HE,TMP1N60C,TMP140N10A,TPP65R360M,TMR12N50H,TTD18P10AT,TPA65R280D,TPV73R300M,TMB160N10A,TMP110N06H,TPW65R100MFD,TTU01P10ATS,TPD55R2K1C,TMD3N50H,TMD2N70H,TSG10N06AT,TPU50R360D,TMP12N60H,TPD60R1K4M,TMU1N50LT,TPU60R360MFD,TMA12N65H,TMU7N65M,TMA10N80H,TTU08N02ATS,TPA70R950C,TPA70R950M,TMP9N90H,TPA60R330M,TMU7N65H,TPC80R1K5C,TMA11N60H,TMP2N60H,TMA20N50HS,TMA3N120H,TMU4N80H,TPD70R360M,TMP4N60HS,TTG130N03GT,TPU50R250C,TTP70N07A,TPV50R060C,TPY70R1K4C,TPP70R170M,TPC60R700C,TPB65R1K2C,TMU4N40HT,TPA70R1K4C,TMA4N55HT,TMV2N60HF,TPA50R2K3C,TMP12N60HS,TPD65R940C,TPG65R365MH,TMV9N90H,TMA13N68H,TPB65R090M,TMU03N60HT,TPD60R840C,TPD65R2K2C,TPU70R2K8C,TTU95N68A,TTP95N68A,TPP65R600M,TMU1N50HT,TMA4N60H,TPC65R380C,TPD70R1K5M,TMA40N20H,TPD60R1K8C,TMA3N80H,TPP65R070D,TTP100N04AT,TSG010N03AT,TPA100R500A,TTD120N03AT,TPP65R075DFD,TPP65R600C,TMU8N60H,TPC50R690C,TMA4N60N,TMA4N60L,TMA4N60M,TMD2N65HT,TPB80R300CFD,TPP65R950M,TMU08N50HT,TPW60R036M,TTD65N04AT,TPA120R800A,TMP162N04H,TPP60R2K5C,TPP70R700C,TPA60R600MFD,TPA80R300A,TMU1N50C,TPP80R1K2C,TPA80R300C,TPW80R300C,TPB65R400MFD,TMU1N50H,TMA5N65H,TMV8N120H,TMD2N50H,TPC70R260M,TMB120N08A,TPA65R520D,TMP120N08A,TPB100R800A,TPP60R700C,TPD70R950M,TMA12N45H,TMA2N50HF,TMU2N55L,TMA10N60N,TPD70R950C,TMD2N50CF,TPP65R700MFD,TMA10N60H,TMW6N90H,TMP50N06HT,TPD80R2K2C,TSG10N06ATC,TPP70R190C,TPP80R1K5C,TPW110R800A,TPP110R550A,TMA2N65H,TPA65R9K2C,TMP25N055H,TPP65R1K2C,TPD70R1K4C,TMD5N50NF,TTP120N02GT,TMP6N90H,TTG40P02ATC,TPD60R1K7C,TMA18N70H,TMA1N60H,TPU65R380C,TPD70R600M,TMP16N25H,TPU80R750C,TTU04N08ATS,TPW70R300MFD,TPA50R500C,TTD28P10AT,TMP8N50L,TMA11N65H,TPA60R1K0C,TMA4N60HF,TPD70R1K5C,TMP8N50H,TMA9N90H,TTP50P06AT,TPV100R500A,TMD8N60H,TMP20N60H,TPU55R2K9C,TPD65R400MFD,TMB140N10A,TPC65R360M,TMA3N60H,TMU9N20H,TPU50R1K8C,TPV80R300CFD,TMP38N30HF,TMA6N65HH,TPB70R120M,TPA60R530M,TMP5N100H,TMA5N20H,TPA73R190M,TPR70R120M,TPU60R600MFD,TPV73R190M,TPU60R2K2C,TPC50R250C,TMA25N50C,TTP118N08A,TMU7N60H,TMA4N65M,TMA4N65N,TMP3N100H,TMU7N60L,TMU1N50CT,TMY1N60H,TMA4N65H,TMP1N20H,TSB12N10A,TMA4N65D,TSU12N06A,TPD55R2K9C,TMA25N50H,TMA3N100HE,TPP60R360MFD,TMC10N65H,TMY1N60B,TPP50R500C,TPW70R044MFD,TPB70R400MFD,TMA10N40L,TTD135N68A,TMW9N95H,TPU50R1K6C,TPV65R080C,TTB80N04AT,TSP045N10A,TPU80R1K2C,TMA10N40H,TMD7N60HF,TPP60R190A,TMA85N08H,TMP15N40H,TTK8205,TPB90R350A,TPC60R350C,TMA12N50NF,TPA120R1K5A,TTG65N10A,TTP115N68A,TMA10N65N,TSP12N10AT,TPB70R450C,TMA6N65HS,TPP65R1K5M,TMA10N65H,TPU50R1K5C,TPC60R240M,TMA18N50H,TPD60R3K4C,TMA2N60H,TPB65R380C,TMD1N65H,TPR65R260M,TMU5N50CF,TPA80R1K2C,TPA65R400MFD,TMV28N55H,TPP80R270M,TMW57N10H,TMA16N60H,TPA65R280DFD,TMD8N55HE,TPP60R580C,TTP150N02GT,TMU3N50H,TSP15N06A,TPP120R800A,TMC10N60N,TPW50R065CFD,TPA70R190MFD,TMP6N40H,TTD120N02GT,TMC10N60H,TMU2N70H,TTP120N03AT,TMU6N60HF,TTJ05P04AT,TMP8N25H,TMU2N70L,TMU5N30HT,TPA70R450C,TMA9N20HT,TMP2N50HT,TMU2N70N,TPC65R940C,TPB65R100MFD,TMA18N20H,TPU60R3K4C,TMV10N90H,TMU02N15AT,TPA80R300CFD,TSU12N10AT,TPW60R260MFD,TPC70R1K5C,TMA25N55H,TMA4N90H,TPV60R190A,TMU1N55LT,TMW45N50HF,TPA55R2K1C,TPD50R500C,TPA60R3K4C,TPC70R950C,TMD8N50H,TMA3N50LT,TPA60R160M,TSG12N06AC,TTP60N10AT,TMA7N55H,TMP7N65M,TPA65R450CFD,TMA5N70H,TPR70R360M,TPA80R1K5C,TSP15N08A,TPU60R1K7C,TMA7N50LF,TPV60R080M,TMD9N20LT,TSG12N06AT,TPC70R1K4C,TMU4N55C,TPY70R1K5MB,TPW65R170M,TPW110R500A,TMA6N50H,TPU80R1K5C,TMU2N50HT,TMS1N40HT,TMP16N65H,TTP55N12A,TPA80R180M,TPU60R1K8C,TPP65R280DFD,TMV20N65H,TSD10N06AT,TMD7N70H,TPW50R055D,TPD50R700C,TPB65R450CFD,TMV3N150H,TMZ1N60B,TMP2N50CT,TPC65R170M,TPW60R120MFD,TPB65R360M,TMW25N50H,TPP50R1K8C,TTG60N03QTC,TPA70R120M,TPP80R300CFD,TMC12N65H,TMD8N53HE,TTD110P03AT,TMZ1N60L,TMV20N60H,TMV11N90H,TMP50N

选型指南  -  无锡紫光微  - 2020.08.21 PDF 英文 下载

无锡紫光微MOS管选型表

无锡紫光微提供以下DT MOS,Multi-EPI Super Junction MOSFET,N-Channel DTMOS,N-Channel Trench MOSFET,P-Channel Trench MOSFET,P-Channel Trench MOSFET,Super-Junction Power MOSFET和Trench MOS的参数选型,ID(A):1~180;RDS(ON)(mΩ)@VGS=10V Typ(Ω):1.3~1290;RDS(ON)(mΩ)@VGS=10V Max(Ω):1.8~1540。

产品型号
品类
V(BR)DSS(V)
ID(A)
RDS(ON)(mΩ)@VGS=10V Typ(Ω)
RDS(ON)(mΩ)@VGS=10V Max(Ω)
V(GS)thmin(V)
V(GS)thmax(V)
Ciss(pF)
Qg(nC)
封装
TTD30N10AT
N-Channel Trench MOSFET
100
20
22
27
1
2.4
4529
37
TO-252

选型表  -  无锡紫光微 立即选型

【经验】以TMP120N10A为例说明MOSFET并联使用的注意事项

TMP120N10A是无锡紫光微电压100V的N沟道沟槽式MOSFET。该产品阻抗小、开关快,并联使用非常适合于低压、大电流情况下工作,主要应用于开关电源、硬开关、电机驱动、高频电路和不间断电源。本文以TMP120N10A为例,说明MOSFET并联使用需要关注的点。

设计经验    发布时间 : 2020-05-19

USG80N10 80A,100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE TRENCH POWER MOSFET

型号- USG80N10L-TN3-R,USG80N10L-K08-5060-R,USG80N10L-TA3-T,USG80N10G-K08-5060-R,USG80N10G-TA3-T,USG80N10,USG80N10L-TF1-T,USG80N10L-TF3-T,USG80N10L-TF2-T,USG80N10G-TF3-T,USG80N10G-TF1-T,USG80N10G-TF2-T,USG80N10G-TN3-R

数据手册  -  UTC  - 2021 PDF 英文 下载

UTT18N20 18A, 200V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE TRENCH POWER MOSFET

型号- UTT18N20G-TF1-T,UTT18N20L-TA3-T,UTT18N20,UTT18N20G-TF3-T,UTT18N20L-TF1-T,UTT18N20L-TF3-T,UTT18N20G-TA3-T,UTT18N20L-TN3-R,UTT18N20G-TN3-R

数据手册  -  UTC  - 2023/6/5 PDF 英文 下载

【选型】国产无锡紫光微Trench MOS助力大功率步进电机驱动电路设计

大功率步进电机的驱动是通过各相有节拍的通断电流来实现的,步进电机转速完全由脉冲频率决定。而功率MOSFET为压控器件,导通压降低、耐压高、导通电流大;导通速度快,且需求的驱动电流小,是步进电机驱动电路的优选器件。无锡紫光微电子有限公司研发生产的Trench MOS为量产产品,耐压VDS范围覆盖20-150V,ID电流范围2-260A(25℃),具有较低导通电阻RDS及导通电荷,可满足客户的选型需求

器件选型    发布时间 : 2019-10-27

【产品】20V/3A的N沟道增强型功率MOSFET QX2302系列,采用沟槽式DMOS技术,具有快速开关特性

群芯微推出的N沟道增强型功率MOSFET QX2302系列,器件采用沟槽式DMOS技术,这种先进的技术专为最大限度地降低导通电阻、提供卓越的开关性能以及在雪崩和换向模式下承受高能量脉冲而量身定制,这些器件非常适合高效的快速开关应用领域。

产品    发布时间 : 2023-06-11

【产品】群芯微推出的N沟道增强型功率MOSFET QX20N02系列,支持DFN1006-3L外壳封装,具有快速开关特性

群芯微推出的N沟道增强型功率MOSFET QX20N02系列,器件采用沟槽式DMOS技术,这种先进的技术专为最大限度地降低导通电阻、提供卓越的开关性能以及在雪崩和换向模式下承受高能量脉冲而量身定制,这些器件非常适合高效的快速开关应用领域。

产品    发布时间 : 2023-05-19

UTT75N75M 75A, 75V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE TRENCH POWER MOSFET

型号- UTT75N75ML-TQ2-R,UTT75N75MG-TN3-R,UTT75N75ML-TQ2-T,UTT75N75MG-TM3-T,UTT75N75M,UTT75N75MG-TQ2-T,UTT75N75ML-TA3-T,UTT75N75MG-TQ2-R,UTT75N75MG-TA3-T,UTT75N75ML-TN3-R,UTT75N75ML-TM3-T,UTT75N75MG-TF3-T,UTT75N75ML-TF3-T

数据手册  -  UTC  - 2023/4/28 PDF 英文 下载

【产品】20V N沟道沟槽式MOSFET TTD150N02GT/TTP150N02GT

TTD150N02GT和TTP150N02GT是无锡紫光微电子推出的20V、N沟道沟槽式MOSFET,其中TTD150N02GT采用TO-252封装,TTP150N02GT采用TO-220封装。产品具有低漏源导通电阻,可应用于DC / DC和AC / DC转换器中的同步整流等领域。

新产品    发布时间 : 2019-11-18

UTT50N06M 50A, 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE TRENCH POWER MOSFET

型号- UTT50N06ML-TM3-T,UTT50N06ML-TA3-T,UTT50N06MG-TF1-T,UTT50N06ML-P5060-R,UTT50N06MG-TN3-R,UTT50N06MG-P5060-R,UTT50N06ML-TF1-T,UTT50N06M,UTT50N06MG-TM3-T,UTT50N06ML-TN3-R,UTT50N06MG-TA3-T

数据手册  -  UTC  - 2022/11/30 PDF 英文 下载 查看更多版本

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品牌:无锡紫光微

品类:N-Channel Trench MOSFET

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品牌:无锡紫光微

品类:Super-Junction MOSFET

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品牌:无锡紫光微

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品类:N-Channel Trench MOSFET

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品牌:无锡紫光微

品类:N-Channel Trench MOSFET

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品牌:无锡紫光微

品类:N-Channel Trench MOSFET

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品牌:无锡紫光微

品类:N-Channel Trench MOSFET

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品类:Super-Junction MOSFET

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品牌:同芯微电子

品类:安全芯片

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品类:高性能CPU安全芯片

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品类:高性能CPU安全芯片

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功率MOSFET管检测:动静态参数/热特性/高低温性能/可靠性等参数测试

可根据用户的MOSFET管进行参数检测出具报告,静态参数最大电压:7500V、检测最大电流6000A;动态参数最大电压:3300V、检测最大电流:4500A。该测试标准满足GB、IEC及行业标准等,具备可靠性评估及老化实验能力。

实验室地址: 西安 提交需求>

散热方案设计

使用FloTHERM和Smart CFD软件,提供前期热仿真模拟、结构设计调整建议、中期样品测试和后期生产供应的一站式服务,热仿真技术团队专业指导。

实验室地址: 深圳 提交需求>

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