【产品】512Mb同步动态随机存储器AS4C64M8D1,时钟频率高达250MHz

2019-07-04 世强
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ALLIANCE发布了一款512Mb高速CMOS双数据速率 DDR SDRAM——AS4C64M8D1,该产品具有250/200MHz的高时钟频率,内部配置具有同步接口的四个16M*8位的bank(所有信号记录到时钟信号的上升沿),完美实现了同步操作。


该产品可提供突发长度为2,4或8的可编程读写操作,同时具有自动刷新功能,刷新周期为64ms,另外内置的可编程模式寄存器和扩展模式寄存器可供用户选择合适的运行模式,最大限度的发挥其性能。


该款DDR SDRAM特别适用于高内存宽带应用场合,尤其是高性能主存储器和图形应用等。


AS4C64M8D1特性:
• 容量可达512Mb
• 最高时钟频率250MHz
• 双向DQS
• 通过EMRS使能/禁止DLL通过EMRS
• CAS延迟:2,2.5,3
• 突发类型:顺序与交错
• 电源电压:VDD & VDDQ = 2.5V ± 0.2V
• 工作温度:商用(0~70°C),工业(-40~85°C)
• 接口:SSTL_2 I / O接口
• 封装:

--66引脚TSOP II,0.65毫米引脚间距(铅和无卤素)

--60球形引脚,8x13x1.2毫米(最大)TFBGA(无铅无卤素)

授权代理商:世强先进(深圳)科技股份有限公司
技术资料,数据手册,3D模型库,原理图,PCB封装文件,选型指南来源平台:世强硬创平台www.sekorm.com
现货商城,价格查询,交期查询,订货,现货采购,在线购买,样品申请渠道:世强硬创平台电子商城www.sekorm.com/supply/
概念,方案,设计,选型,BOM优化,FAE技术支持,样品,加工定制,测试,量产供应服务提供:世强硬创平台www.sekorm.com
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  • 菲娜樱子 Lv8. 研究员 2017-11-21
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