【产品】采用DFN封装的40V N沟道功率MOSFET PL1303N04D3/6，连续漏极电流18/25A
PL1303N04D3/PL1303N04D6是宝砾微推出的漏源电压40V的N沟道功率MOSFET。产品体二极管dv/dt能力和雪崩强度较高，经过100％的UIS测试和Rg测试。两个型号分别为DFN3*3mm/5*6mm封装，适用于电机控制等应用。
图1 PL1303N04D3/PL1303N04D6的引脚图，电路图及产品图
最大额定值方面，耗散功率为2.5W。工作温度和存储温度范围为-55℃~150℃，温度适应性较好。连续漏极电流等参数不同。
图2 电气参数
特点
高速电源开关，逻辑电平
增强的体二极管dv/dt能力
增强了雪崩强度
经过100％的UIS测试，100％的Rg测试
无铅，无卤素
PL1303N04D3：DFN3*3mm封装
PL1303N04D6：DFN5*6mm封装
应用
DC-DC转换
SMPS中的同步整流
硬开关和高速电路
电动工具
电机控制
订购信息
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 0
本文由一号演员翻译自宝砾微，版权归世强硬创平台所有，非经授权，任何媒体、网站或个人不得转载，授权转载时须注明“来源：世强硬创平台”。
相关推荐
【产品】120A/80V N沟道功率MOSFET DIT120N08，导通电阻仅4.9mΩ
DIT120N08是Diotec推出的N沟道功率MOSFET ，无铅，符合RoHS，REACH标准，具有低导通电阻，高开关速度，低栅极电荷，高雪崩能量等优点，广泛应用在DC/DC转换器，电源设备，电动工具等领域。
新产品 发布时间 : 2019-11-15
【产品】4开关N沟道功率MOSFET PL1303N04，漏源电压40V，连续漏极电流25A
PL1303N04是宝砾微推出的4开关N沟道功率MOSFET，采用QFN6*6-40L封装。产品具有较强的体二极管dv/dt能力和雪崩强度，经过100％的UIS测试和Rg测试，适用于DC-DC转换等。
新产品 发布时间 : 2020-06-28
【产品】DFN5* 6mm封装，100V/74A N沟道功率MOSFET PL0807N10
PL0807N10是宝砾微推出的漏源电压100V的N沟道功率MOSFET。产品采用DFN5* 6mm封装，经过100％的UIS测试，100％的Rg测试，安全性能较好。产品适用于DC-DC转换、SMPS中的同步整流和电机控制等。
新产品 发布时间 : 2020-07-04
【应用】N沟道超级沟槽功率MOSFET HMS10N15D用在电动工具中，拥有180A的脉冲漏级电流
虹美功率半导体的N沟道超级沟槽功率MOSFET HMS10N15D可以被安全地应用在绝大多数的电动工具应用上，拥有180A的脉冲漏级电流，可以让电动工具在急速启停时拥有足够的通流能力，用以保障系统的稳定运行。出厂时是100％进行UIS测试，最大程度保证其雪崩特性的有效性和一致性，为广大产品应用保驾护航。
应用方案 发布时间 : 2023-06-15
【产品】导通电阻低至2.5Ω的N沟道功率MOSFET DI114N06PQ，适用于剪草器等电动工具
DIOTEC的N沟道功率MOSFET DI114N06PQ非常适合剪草器等电动工具中的电机控制应用。该产品正常下可达到114A和60V，具有低导通电阻、快速开关时间和极低热阻。标准阈值电压可防止错误导通，这对于无绳电动工具尤为重要。
产品 发布时间 : 2023-06-27
【产品】采用TO-252-2L封装的N沟道功率MOSFET AP55N03K，具有高ESD能力，漏源电压30V
铨力半导体推出一款采用TO-252-2L封装的N沟道功率MOSFET AP55N03K，该器件采用先进的沟槽技术和设计，具有出色的漏源导通电阻和低栅极电荷特性，可广泛应用于多种应用。
产品 发布时间 : 2023-01-04
【产品】80V/200A N沟道功率MOSFET BLM04N08，最大漏源导通电阻为4mΩ
BLM04N08是上海贝岭推出的一款N沟道功率MOSFET，采用先进的沟槽技术，导通电阻小、低栅极电荷，适用于电源开关应用、硬开关和高频电路、不间断电源等。
产品 发布时间 : 2022-04-27
【产品】30V/40A低压N沟道和P沟道互补型功率MOSFETYJG40NP03A，适用于硬开关和高频电路等相关应用
YJG40NP03A是扬杰科技推出的N沟道和P沟道互补型功率MOSFET，采用沟槽型功率低压MOSFET技术，非常适用于大电流负载应用、负载切换、硬开关和高频电路、不间断电源供应等相关应用。
新产品 发布时间 : 2021-02-07
【产品】德欧泰克新推2.3A/650V N沟道功率MOSFET DIJ2A3N65，采用先进沟道技术工艺
Diotec推出型号DIJ2A3N65的N沟道功率MOSFET，采用ITO-220封装。采用先进的沟道技术工艺，具有低导通电阻、开关速度快和低栅极电荷等特性，适用于DC/DC转换器，电源，直流驱动器，电动工具以及商业，工业应用等领域。
新产品 发布时间 : 2022-08-20
【产品】60V/80A N沟道功率MOSFET BLM08N06，采用先进的沟槽技术，漏源导通电阻＜8.0mΩ
BLM08N06是上海贝岭推出的一款N沟道功率MOSFET， 漏源电压VDS=60V，连续漏极电流ID=80A，漏源导通电阻RDS(ON)＜8.0mΩ（VGS=10V），采用先进的沟槽技术，适用于电源开关应用、硬开关和高频电路、不间断电源。
新产品 发布时间 : 2022-05-12
【产品】200V/51A N沟道功率MOSFET RM50N200HD、RM50N200T2、RM50N200T7
RM50N200HD、RM50N200T2、RM50N200T7是丽正国际推出的三款N沟道功率MOSFET，分别采用TO-263、TO-220和TO-247封装，导通电阻RDS(ON)典型值均为28 mΩ。Tj=25°C时，RM50N200HD、RM50N200T2、RM50N200T7可以承受的漏源电压最大额定值为200V，栅源电压最大额定值为±20V。
新产品 发布时间 : 2019-11-20
【产品】德欧泰克N沟道功率MOSFET DIJ4A5N65，规格4A/650V，开关速度快且栅极电荷低
Diotec推出DIJ4A5N65的N沟道功率MOSFET，采用ITO-220封装。采用先进的沟道技术工艺，具有低导通电阻、开关速度快和低栅极电荷等特性，适用于DC/DC转换器，电源，直流驱动器，电动工具以及商业、工业应用等。
新产品 发布时间 : 2022-08-20
【产品】基于沟槽技术的N沟道功率MOSFET AP1002，栅极总充电电量Qg低至5.2nC
铨力半导体推出一款运用了先进沟槽技术和设计的N沟道功率MOSFET——AP1002，采用SOT-23封装方式，静态漏源导通电阻RDS(ON) 小于250mΩ（VGS=10V，ID=2A时），总栅极电荷Qg低至5.2nC。
产品 发布时间 : 2021-12-25
【产品】采用先进沟道技术工艺的N沟道功率MOSFET DI300N10TL，适用于电动工具等领域
Diotec推出N沟道功率MOSFET DI300N10TL，采用ITO-220封装。该器件采用先进的沟道技术工艺，具有低导通电阻、开关速度快和低栅极电荷等产品特性，产品适用于DC/DC转换器，电源，直流驱动器，电动工具以及商业/工业应用等领域。
产品 发布时间 : 2022-08-04
【产品】采用TO-220封装的N沟道功率MOSFET BLM08N68，连续漏极电流90A
上海贝岭N沟道功率MOSFET BLM08N68，采用先进的沟槽技术，提供优良的漏源导通电阻和低栅极电荷，TO-220封装。该器件有广泛的应用领域，适用于电源开关应用、硬开关、高频电路和不间断电源。
产品 发布时间 : 2022-05-13
电子商城
现货市场
服务
可根据用户的MOSFET管进行参数检测出具报告，静态参数最大电压:7500V、检测最大电流6000A；动态参数最大电压:3300V、检测最大电流:4500A。该测试标准满足GB、IEC及行业标准等，具备可靠性评估及老化实验能力。
实验室地址： 西安 提交需求>
可定制波导隔离器频率覆盖5.5GHz~110GHz，插损损低至0.25dB、隔离度、正向方向功率、封装尺寸参数。
最小起订量： 1pcs 提交需求>
授权代理品牌：集成电路
授权代理品牌：分立元件
授权代理品牌：接插件及结构件
授权代理品牌：部件、组件及配件
授权代理品牌：电源及模块
授权代理品牌：电子材料
授权代理品牌：仪器仪表及测试配组件
授权代理品牌：电工工具及材料
授权代理品牌：机械电子元件
授权代理品牌：加工与定制
我要提问
登录 | 立即注册
提交评论