【产品】采用DFN封装的40V N沟道功率MOSFET PL1303N04D3/6，连续漏极电流18/25A
PL1303N04D3/PL1303N04D6是宝砾微推出的漏源电压40V的N沟道功率MOSFET。产品体二极管dv/dt能力和雪崩强度较高，经过100％的UIS测试和Rg测试。两个型号分别为DFN3*3mm/5*6mm封装，适用于电机控制等应用。
图1 PL1303N04D3/PL1303N04D6的引脚图，电路图及产品图
最大额定值方面，耗散功率为2.5W。工作温度和存储温度范围为-55℃~150℃，温度适应性较好。连续漏极电流等参数不同。
图2 电气参数
特点
高速电源开关，逻辑电平
增强的体二极管dv/dt能力
增强了雪崩强度
经过100％的UIS测试，100％的Rg测试
无铅，无卤素
PL1303N04D3：DFN3*3mm封装
PL1303N04D6：DFN5*6mm封装
应用
DC-DC转换
SMPS中的同步整流
硬开关和高速电路
电动工具
电机控制
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