【产品】-20V/-4.3A的P沟道增强型MOSFET PJA3415AE-AU，专为开关负载、PWM应用等设计

2019-08-09 PANJIT
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PANJIT（强茂）推出了PJA3415AE-AU 为P沟道增强型MOSFET。采用SOT-23封装，其中漏-源电压最大额定值为-20V，连续漏极电流为-4.3A。

图1PJA3415AE-AU 封装图


PJA3415AE-AU特性：

RDS(ON), VGS@-4.5V, ID@-4.3A<52mΩ

RDS(ON), VGS@-2.5V, ID@-3.0A<60mΩ

RDS(ON), VGS@-1.8V, ID@-1.5A<80mΩ

先进的沟槽技术

专为开关负载，PWM应用等设计

2kV HBM ESD保护

符合AEC-Q101标准

无铅，符合欧盟RoHS 2.0标准

绿色环保塑封，符合IEC 61249标准


PJA3415AE-AU最大额定值特性：


PJA3415AE-AU电气特性：



PJA3415AE-AU机械参数：

外壳：SOT-23封装

端子：可焊性均符合MIL-STD-750标准（方法2026）

重量约为：0.0003盎司，0.0084克




技术顾问：叶子
授权代理商：世强先进（深圳）科技股份有限公司
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P沟道增强型MOSFET 开关负载 PWM应用 PJA3415AE-AU PANJIT 管状电机

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产品型号
品类
Package
Product Status
Replacement Part
AEC-Q101 Qualified
ESD
Polarity
Config.
VDS(V)
VGS(±V)
ID(A)
RDS(on) Max. (mΩ)(10V)
RDS(on) Max. (mΩ)(4.5V)
RDS(on) Max. (mΩ)(2.5V)
RDS(on) Max. (mΩ)(1.8V)
RDS(on) Max. (mΩ)(1.5V)
RDS(on) Max. (mΩ)(1.2V)
Ciss Typ.(pF)
VGS(th) Max.(V)
Qg Typ. (nC)(10V)
Qg Typ. (nC)(4.5V)
PJQ5542V-AU
Low Voltage MOSFET
DFN5060-8L
New Product
-
AEC-Q101 Qualified
-
N
Single
40
20
136
3
-
-
-
-
-
3050
3.5
43
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型号- PJV1717,PJV1717_R1_00301

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型号- PJA3431

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型号- PJC7407_R1_00001,PJC7407_R2_00001,PJC7407

March 10,2014  - PANJIT  - 数据手册  - REV.00 代理服务 技术支持 采购服务
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可根据用户的MOSFET管进行参数检测出具报告，静态参数最大电压:7500V、检测最大电流6000A；动态参数最大电压:3300V、检测最大电流:4500A。该测试标准满足GB、IEC及行业标准等，具备可靠性评估及老化实验能力。

实验室地址： 西安 提交需求>

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