【产品】-20V/-4.3A的P沟道增强型MOSFET PJA3415AE-AU，专为开关负载、PWM应用等设计
PANJIT（强茂）推出了PJA3415AE-AU 为P沟道增强型MOSFET。采用SOT-23封装，其中漏-源电压最大额定值为-20V，连续漏极电流为-4.3A。
图1PJA3415AE-AU 封装图
PJA3415AE-AU特性：
RDS(ON), VGS@-4.5V, ID@-4.3A<52mΩ
RDS(ON), VGS@-2.5V, ID@-3.0A<60mΩ
RDS(ON), VGS@-1.8V, ID@-1.5A<80mΩ
先进的沟槽技术
专为开关负载，PWM应用等设计
2kV HBM ESD保护
符合AEC-Q101标准
无铅，符合欧盟RoHS 2.0标准
绿色环保塑封，符合IEC 61249标准
PJA3415AE-AU最大额定值特性：
PJA3415AE-AU电气特性：
PJA3415AE-AU机械参数：
外壳：SOT-23封装
端子：可焊性均符合MIL-STD-750标准（方法2026）
重量约为：0.0003盎司，0.0084克
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