【产品】采用DFN1006-3L塑封的P沟道MOSFET CJBA3139K，漏源电压最大额定值为20V，可提供无铅产品
长晶科技推出的CJBA3139K是采用DFN1006-3L塑封的P沟道MOSFET，可在低逻辑电平栅极驱动器上运行，栅极具有ESD保护功能。该MOSFET有无铅产品可选，可用于负载/电源开关，接口开关，超小型便携式电子产品电池管理等领域。此外，器件的工作结温和存储温度范围宽至-55~150°C，能够在不同温度环境下工作。
器件的漏源电压最大额定值为-20V；栅源电压最大额定值为±12V。器件的连续漏极电流最大额定值为0.66A（使用最小推荐焊盘尺寸，表面贴装在FR4板上）；脉冲漏极电流 (tp=10us)可达1.2A, 耗散功率最大额定值仅为100mW。器件具有低导通电阻，VGS =4.5V, ID =1A条件下的漏源导通电阻最大值仅为520mΩ；VGS =2.5V, ID =0.8A条件下的漏源导通电阻最大值仅为780mΩ。
图1 产品外观和等值电路
优势与特性
产品无铅可选
表面贴片封装
P沟道开关，低漏源导通电阻RDS（on）
在低逻辑电平栅极驱动器上运行
栅极具有ESD保护
应用领域
负载/电源开关
接口开关
超小型便携式电子产品的电池管理
逻辑电平转换
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产品型号
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品类
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VDS_Max (V)
|
VGS_Max (V)
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Ciss_Typ (pF)
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AEC-Q101 Qualified
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VGS(th)_Max (V)
|
ID_Max (A)
|
RDS(ON)_Max @ VGS = 4.5V (mΩ)
|
RDS(ON)_Max @ VGS = 2.5V (mΩ)
|
ESD
|
Channel Type
|
RDS(ON)_Max @ VGS = 1.8V (mΩ)
|
Package
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Tj (℃)
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AS2002ET-Q1
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场效应管
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20V
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±12V
|
79pF
|
AEC-Q101 Qualified
|
1V
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0.75A
|
380mΩ
|
450mΩ
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ESD
|
N
|
800mΩ
|
SOT-523
|
150℃
|
选型表 - 安邦 立即选型
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电子商城
品牌：长晶科技
品类：Plastic-Encapsulated MOSFET
价格：￥1.3750
现货： 70
现货市场
服务
可根据用户的MOSFET管进行参数检测出具报告，静态参数最大电压:7500V、检测最大电流6000A；动态参数最大电压:3300V、检测最大电流:4500A。该测试标准满足GB、IEC及行业标准等，具备可靠性评估及老化实验能力。
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授权代理品牌：分立元件
授权代理品牌：接插件及结构件
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