【产品】采用DFN1006-3L塑封的P沟道MOSFET CJBA3139K，漏源电压最大额定值为20V，可提供无铅产品

时间： 2020-11-15 来源：长晶科技

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长晶科技推出的CJBA3139K是采用DFN1006-3L塑封的P沟道MOSFET，可在低逻辑电平栅极驱动器上运行，栅极具有ESD保护功能。该MOSFET有无铅产品可选，可用于负载/电源开关，接口开关，超小型便携式电子产品电池管理等领域。此外，器件的工作结温和存储温度范围宽至-55~150°C，能够在不同温度环境下工作。

器件的漏源电压最大额定值为-20V；栅源电压最大额定值为±12V。器件的连续漏极电流最大额定值为0.66A（使用最小推荐焊盘尺寸，表面贴装在FR4板上）；脉冲漏极电流 (tp=10us)可达1.2A, 耗散功率最大额定值仅为100mW。器件具有低导通电阻，V_GS=4.5V, I_D =1A条件下的漏源导通电阻最大值仅为520mΩ；V_GS=2.5V, I_D =0.8A条件下的漏源导通电阻最大值仅为780mΩ。

图1 产品外观和等值电路

优势与特性

产品无铅可选

表面贴片封装

P沟道开关，低漏源导通电阻R_DS（on）

在低逻辑电平栅极驱动器上运行

栅极具有ESD保护

应用领域

负载/电源开关

接口开关

超小型便携式电子产品的电池管理

逻辑电平转换

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