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蓝箭电子推出的B5817WS-B5819WS系列肖特基二极管，采用SOD-323塑封封装，该产品是低正向压降，无卤产品。
【产品】VRRM值100V的肖特基整流二极管RB578VAM100，采用薄型SOD-323FL封装
蓝箭电子肖特基整流二极管RB578VAM100，采用薄型SOD-323FL封装，具有高可靠性、超低IR的特征。VRRM值为100V，Tstg温度范围为-55～125℃，小型模具，为无卤产品。
【产品】瑶芯微650V/6A碳化硅肖特基二极管AKC65D006GHH，符合RoHS标准，反向漏电流最大值可低至50μA
瑶芯微推出型号为AKC65D006GHH的650V/6A碳化硅肖特基二极管,器件具有高非重复正向峰值浪涌电流，低正向电压以及低漏电流等特性，无卤，符合RoHS标准。
BAT54/A/C/S-Q1 200mA表面贴装小信号肖特基二极管-30V
描述- 该资料介绍了BAT54/A/C/S-Q1系列晶体管，强调了其符合无卤素标准（Halogen-free）和满足AEC-Q101汽车级认证。资料提供了产品型号、供应商联系信息和网站链接。
型号- BAT54-Q1,BAT54C-Q1,BAT54A-Q1,BAT54S-Q1
HPAE65D16R SiC肖特基二极管
描述- 本资料介绍了HPAE65D16R碳化硅肖特基二极管。该器件具有低反向电流、良好的浪涌电流能力、低电容电荷和无反向恢复电流等特点，符合无卤素RoHS标准。其主要参数包括重复峰值反向电压、非重复峰值反向电压、连续正向电流等。适用于开关电源（SMPS）、不间断电源（UPS）和电机驱动等领域。
型号- HPAE65D16R
RB521ZS-30肖特基势垒二极管
描述- 本资料介绍了RB521ZS-30肖特基二极管的产品特性、应用范围、电气参数和尺寸规格。该产品符合RoHS要求和无卤素标准，适用于汽车和其他需要独特现场和控制变更要求的领域。具有低正向压降、高可靠性和小型化表面贴装设计等特点。
型号- RB521ZS-30
肖特基势垒整流二极管无铅芯片形式
描述- 该资料介绍了AVX公司生产的无引线芯片封装的肖特基整流二极管。这些二极管具有独特的无引线芯片封装技术，消除了引线框架焊接，使芯片具有上下对称性，减少了安装问题，提高了热传导和电流处理能力。产品特性包括低正向电压、高电流能力、低功耗/高效率、UL 94V-0级包装材料和无卤素。应用领域包括开关电源、高频整流、便携式电池供电设备和反向偏置保护。
型号- SD1206T040S2R0,SD1206S040S2R0,SD2010S060S3R0,SD2010S060S1R0,SD1206T100S1R0,SD1206S100S1R0,SD2010S200S2R0,SD1206S040S0R5,SD2010S150S3R0,SD2010S020L2R0,SD2114S040S5R0,SD1206T040S0R5,SD0805S040S1R0,SD2114S040S3R0,SD2010S150S1R0,SD0805S020L1R0,SD3220S040S3R0,SD3220S040S5R0,SD0805S030S0R5,SD2010S040S2R0,SD1206S020L2R0,SD1206T020L1R0,SD0603S040S0R3,SD0603S040S0R2,SD1206T020S2R0,SD1206S020S1R0,SD2010S020S3R0,SD2010S040L3R0,SD2010S020S1R0,SD1206S040L1R0,SD0603S040S0R1,SD1206T020S0R5,SD0805S020S1R0,SD0805S040L1R0,SD2010S040L1R0,SD1206T060S3R0,SD2010S100S3R0,SD2010S100S1R0,SD1206T060S1R0,SD1206S060S2R0,SD0603S020S0R3,SD0603S020S0R2,SD0603S020S0R1,SD2010S030S5R0,SD1206S040S1R0,SD1206T040S3R0,SD1206T040S1R0,SD2010S060S2R0,SD2114S060S3R0,SD3220S060S5R0,SD2114S060S5R0,SD3220S060S3R0,SD1206S100S2R0,SD1206T100S2R0,SD2010S200S3R0,SD2010S200S1R0,SD2114S040S8R0,SD2010S150S2R0,SD2010S020L1R0,SD0805S040S0R5,SD2010S020L3R0,SD0805S040S0R3,SD0805S040S0R2,SD0805S040S0R1,SD2114S020S3R0,SD2114S020S5R0,SD2010S040S1R0,SD2114S100S3R0,SD2010S040S3R0,SD2010S030L3R0,SD0805S060S1R0,SD1206S020L1R0,SD1206T020S1R0,SD1206S020S2R0,SD0805S020S0R2,SD2010S020S2R0,SD0805S020S0R3,SD3220S100S3R0,SD3220S020S5R0,SD1206S020S0R5,SD1206S040L2R0,SD0805S020S0R1,SD3220S100S5R0,SD1206T040L1R0,SD2010S040L2R0,SD1206S060S1R0,SD2010S100S2R0,SD1206T060S0R5,SD2114S100S5R0,SD3220S020S3R0,SD1206T060S2R0,SD0805S020S0R5
【产品】无卤肖特基二极管B1040WS，SOD-323塑封封装，具有低正向压降、低压整流、反极性保护特征
蓝箭电子推出的肖特基二极管B1040WS，采用SOD-323塑封封装，具有低正向压降，低压整流，反极性保护，低功耗应用的特征。该产品VRRM值为40V，Tstg温度范围为-55～125℃，为无卤产品。
BAS40/-04/-05/-06 120mA表面贴装小信号肖特基二极管-40V
描述- 本资料介绍了Anbon Semi公司的无卤素半导体器件。内容包括产品符合无卤素标准，提供详细的联系信息和公司网站。
型号- BAS40,BAS40-04,BAS40-05,BAS40-06
高特微电子LOW VF肖特基二极管SS14F尺寸仅3.7*2.7*1.1mm，符合无卤环保标准
SS14F是高特微电子研发的一款卓越的LOW VF肖特基二极管，以其低功耗和超高速性能引领行业。这款器件专为处理大电流和高压场景而设计，具有出色的稳定性，在40V工作电压下，最大正向导通电流可达1A，尤其在1A电流条件下VF值仅为0.55V，展示了其优秀的节能特性。
高特微电子超低VF肖特基二极管SS26B尺寸4.7*3.94*2.44mm，无卤环保，用于便携式电子
SS26B是高特微电子研发的一款卓越的LOW VF肖特基二极管，以其低功耗和超高速性能引领行业。这款器件专为处理大电流和高压场景而设计，具有出色的稳定性，在60V工作电压下，最大正向导通电流可达2A，尤其在2A电流条件下VF值仅为0.7V，展示了其优秀的节能特性。
BAT54/BAT54A/BAT54C/BAT54S 200mA表面贴装小信号肖特基二极管-30V
描述- 该资料介绍了四种型号的半导体器件：BAT54、BAT54A、BAT54C和BAT54S。这些器件符合无卤素标准，适用于各种电子设备。
型号- BAT54,BAT54C,BAT54S,BAT54A
BAS40W/-04/-05/-06-Q1 200mA表面贴装小信号肖特基二极管-40V
描述- 本资料介绍了BAS40W系列肖特基二极管的产品规格和应用。该系列产品具有低正向电压、快速开关特性，符合无卤素标准，适用于汽车电子行业（AEC-Q101）。资料提供了最大额定值、电气特性、典型特性曲线以及SOT-323封装尺寸。
型号- BAS40W-05-Q1,BAS40W-04-Q1,BAS40W-06-Q1,BAS40W-Q1
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蓝箭电子推出的BAT46W是一款采用SOD-123塑封封装的无卤肖特基二极管，具有高击穿电压，低正向压降的特征。
【产品】存储温度为-55 ~ +150℃的肖特基二极管RB501V-40，采用SOD-323塑封封装
蓝箭电子推出的肖特基二极管RB501V-40，采用SOD-323塑封封装。其VRM值为45V，VR值为40V，Tstg温度范围为-55 ~ +150℃。该产品具有保护环保护，低正向压降，用于低压高频逆变器，表面安装装置类型等特性，是一种无卤产品。
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