【产品】GaAs TR芯片RWC213/RWC213M工作频率覆盖34~40GHz，发射和接收通道均可提供20dB的增益
瑞迪威推出的RWC213和 RWC213M 是一款 GaAs TR芯片，芯片由发射放大器和接收低噪放组成，其工作频率覆盖34~40GHz。发射和接收通道均可提供20dB的增益，发射通道可提供23dBm的饱和输出功率，接收通道噪声系数小于5dB。RWC213M与RWC213是镜像关系，性能参数和外形尺寸完全一样。
性能参数
● 频率范围：34~40 GHz
● 发射饱和输出功率：23dBm
● 接收噪声系数：3.5~5dB
● 发射增益 ( @35GHz)：18.8dB Typical
● 接收增益 ( @35GHz)：23.4dB Typical
● 发射供电：6V@150mA
● 接收供电：2.5V@62mA
● 芯片尺寸：2mm×1.35 mm×0.1mm
发射电参数(TA =+25°C, VD_T =6V，Id=150mA，VG_T=-0.6V， VD_R=0V)
接收电参数(TA =+25°C，VD_R =2.5V，Id=62mA，VG_R=-0.6V， VD_T=0V)
外形尺寸
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本文由FY转载自瑞迪威，原文标题为:RWC213/RWC213M GaAs pHEMT MMIC，本站所有转载文章系出于传递更多信息之目的，且明确注明来源，不希望被转载的媒体或个人可与我们联系，我们将立即进行删除处理。
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产品型号
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品类
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封装形式（Package）
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工作频率(GHz)
|
Tx增益(dB)
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Tx Psat(dBm)
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Rx增益(dB)
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Rx NF(dB)
|
移相位数
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衰减位数
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工艺
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通道数
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RWC441
|
X频段多功能TR芯片
|
Die 4.72mm×5.15mm ×0.2mm
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8~12
|
5.8
|
6
|
4
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9
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6
|
6
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Si
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4
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