【产品】具有超低Qgd的的N沟道增强型SiC MOS P3M171K0G7，满足AEC-Q101车规标准
派恩杰半导体推出的N沟道增强型SiC MOS P3M171K0G7，具有高工作频率，低导通电阻和超低Qgd，满足AEC-Q101车规标准，满足RoHS和无卤要求，产品实物图和PIN脚封装如下图所示。
P3M171K0G7漏源电压高达1700V（VGS=0V，ID=200μA），当VGS=15V时，连续漏极电流在TC=25℃条件下高达7A，在TC=100℃时高达5A，漏源导通电阻典型值为1Ω（VGS=12V，ID=2A），芯片采用TO-263-7封装，主要应用于太阳能逆变器，电动汽车电池充电器，高压DC/DC转换器，开关电源等领用领域。
产品特性
满足车规AEC-Q101标准
低导通电阻，高阻断电压
高工作频率
超低Qgd
100% UIS测试
产品优势
提升系统效率
提高功率密度
降低散热器设计要求
降低系统成本
产品应用
太阳能逆变器
电动汽车电池充电器
高压DC/DC转换器
开关电源
最大额定参数：（TJ=25℃条件下，除非有特殊说明）
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产品型号
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品类
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Blocking Voltage(V)
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Package
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RDS(ON) @25℃(mΩ)
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Current Rating(A)
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Qgd(nC)
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Output Capacitance(pF)
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Max Junction Temperature(℃)
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P3M06025K3
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碳化硅场效应管
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650V
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TO247-3
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25mΩ
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97A
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34.7nC
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297pF
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175℃
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