【产品】具有超低Qgd的的N沟道增强型SiC MOS P3M171K0G7,满足AEC-Q101车规标准

2022-03-29 派恩杰
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派恩杰半导体推出的N沟道增强型SiC MOS P3M171K0G7,具有高工作频率,低导通电阻和超低Qgd,满足AEC-Q101车规标准,满足RoHS和无卤要求,产品实物图和PIN脚封装如下图所示。

P3M171K0G7漏源电压高达1700V(VGS=0V,ID=200μA),当VGS=15V时,连续漏极电流在TC=25℃条件下高达7A,在TC=100℃时高达5A,漏源导通电阻典型值为1Ω(VGS=12V,ID=2A),芯片采用TO-263-7封装,主要应用于太阳能逆变器,电动汽车电池充电器,高压DC/DC转换器,开关电源等领用领域。


产品特性

  • 满足车规AEC-Q101标准

  • 低导通电阻,高阻断电压

  • 高工作频率

  • 超低Qgd

  • 100% UIS测试


产品优势

  • 提升系统效率

  • 提高功率密度

  • 降低散热器设计要求

  • 降低系统成本


产品应用

  • 太阳能逆变器

  • 电动汽车电池充电器

  • 高压DC/DC转换器

  • 开关电源


最大额定参数:(TJ=25℃条件下,除非有特殊说明)

订购信息

授权代理商:世强先进(深圳)科技股份有限公司
技术资料,数据手册,3D模型库,原理图,PCB封装文件,选型指南来源平台:世强硬创平台www.sekorm.com
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