【产品】具有超低Qgd的的N沟道增强型SiC MOS P3M171K0G7，满足AEC-Q101车规标准

时间： 2022-03-29 来源：派恩杰

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派恩杰半导体推出的N沟道增强型SiC MOS P3M171K0G7，具有高工作频率，低导通电阻和超低Q_gd，满足AEC-Q101车规标准，满足RoHS和无卤要求，产品实物图和PIN脚封装如下图所示。

P3M171K0G7漏源电压高达1700V（V_GS=0V，I_D=200μA），当V_GS=15V时，连续漏极电流在T_C=25℃条件下高达7A，在T_C=100℃时高达5A，漏源导通电阻典型值为1Ω（V_GS=12V，I_D=2A），芯片采用TO-263-7封装，主要应用于太阳能逆变器，电动汽车电池充电器，高压DC/DC转换器，开关电源等领用领域。

产品特性

满足车规AEC-Q101标准
低导通电阻，高阻断电压
高工作频率
超低Q_gd
100% UIS测试

产品优势

提升系统效率
提高功率密度
降低散热器设计要求
降低系统成本

产品应用

太阳能逆变器
电动汽车电池充电器
高压DC/DC转换器
开关电源

最大额定参数：（T_J=25℃条件下，除非有特殊说明）

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产品型号	品类	Blocking Voltage(V)	Package	RDS(ON) @25℃(mΩ)	Current Rating(A)	Qgd(nC)	Output Capacitance(pF)	Max Junction Temperature(℃)
P3M06025K3	碳化硅场效应管	650V	TO247-3	25mΩ	97A	34.7nC	297pF	175℃