【产品】P沟道增强型功率MOSFET 30P55K,最大脉冲漏极电流高达-134A,耗散功率最大值为24.8W

2022-06-08 富满电子
P沟道增强型功率MOSFET,30P55K,富满电子 P沟道增强型功率MOSFET,30P55K,富满电子 P沟道增强型功率MOSFET,30P55K,富满电子 P沟道增强型功率MOSFET,30P55K,富满电子

富满电子(FM)是一家致力于高性能模拟及数模混合集成电路设计研发、封装、测试、销售为一体的集成电路设计企业。其推出的型号为30P55KP沟道增强型功率MOSFET,器件为TO-252封装,采用先进的沟槽技术,提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷特性,该器件适用于PWM应用,负载开关和电源管理等应用领域。其实物参考图,PIN脚图以及电路图如下所示:

器件最大额定参数方面,当TC=25℃,漏-源电压最大值为-30V;栅-源电压最大值为±20V;最大脉冲漏极电流最大值高达-134A;耗散功率最大值为24.8W@TC=25℃;结到管壳热阻最大值为4.9℃/W;电气参数方面,当TJ=25℃时,漏源击穿电压最小值为-30V@VGS=0V,ID=-250μA;栅-源短路的漏极电流IDSS最大值为-1μA@VDS=-30V,VGS=0V;漏-源短路的栅极电流IGSS最大值为±100nA@VDS=0V,VGS=±20V;漏源通态电阻在VGS=-10V,ID=-20A条件下,其典型值为8.5mΩ,最大值为11mΩ,在VGS=-4.5V,ID=-10A条件下,其典型值为12.0mΩ,最大值为16mΩ。


产品特征

  • VDS=-30V,ID=-40A

在VGS=-10V电压下,RDS(ON)<11mΩ

在VGS=-4.5V电压下,RDS(ON)<16mΩ

  • 先进的沟槽技术

  • 出色的RDS(ON)和低栅极电荷

  • 提供无铅版本

  • 通过100% UIS测试

  • 通过100% ΔVds测试


产品应用

  • PWM应用

  • 负载开关

  • 电源管理


绝对最大定值(TC=25℃除非另有说明)

尺寸信息

授权代理商:世强先进(深圳)科技股份有限公司
技术资料,数据手册,3D模型库,原理图,PCB封装文件,选型指南来源平台:世强硬创平台www.sekorm.com
现货商城,价格查询,交期查询,订货,现货采购,在线购买,样品申请渠道:世强硬创平台电子商城www.sekorm.com/supply/
概念,方案,设计,选型,BOM优化,FAE技术支持,样品,加工定制,测试,量产供应服务提供:世强硬创平台www.sekorm.com
集成电路,电子元件,电子材料,电气自动化,电机,仪器全品类供应:世强硬创平台www.sekorm.com
  • +1 赞 0
  • 收藏
  • 评论 0

本文由Batman翻译自富满电子,版权归世强硬创平台所有,非经授权,任何媒体、网站或个人不得转载,授权转载时须注明“来源:世强硬创平台”。

相关研发服务和供应服务

评论

   |   

提交评论

全部评论(0

暂无评论

相关推荐

【产品】连续漏极电流达-4.1A的P沟道增强型功率MOSFET BLM3407,适用于负载开关及PWM应用

上海贝岭推出的P沟道增强型功率MOSFET BLM3407系列,器件采用先进的沟槽工艺技术,提供出色的漏源导通电阻RDS(ON),低栅极电荷以及低至4.5V的栅极电压等特性,器件适用于负载开关及PWM应用领域。

2023-07-04 -  产品 代理服务 技术支持 采购服务

【产品】采用SOP-8封装的P沟道增强型功率MOSFET RM4953,适合于负载开关、PWM应用和电源管理

丽正国际(RECTRON)推出一款采用SOP-8封装的P沟道增强型功率MOSFET RM4953。该器件采用先进的沟槽技术,具有出色的R-DS(ON)、低栅极电荷和工作时栅极电压低至4.5V的特性,适合于负载开关或PWM应用。

2022-09-20 -  产品 代理服务 技术支持 采购服务

【产品】P沟道增强型功率MOSFET RC3415,具有高功率和电流处理能力,适合用作负载开关或PWM应用

正芯推出的RC3415使用先进的沟槽技术提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷和低至1.8V的栅极电压。该器件适合用作负载开关或PWM应用。它具有ESD保护。

2023-02-02 -  产品 代理服务 技术支持 采购服务

HM20P02D P沟道增强型功率MOSFET

描述- 该资料介绍了+03'型号的P沟道增强型功率MOSFET。它采用先进的槽技术,提供优异的RDS(ON)、低栅极电荷和最低2.5V的栅极电压下的操作能力。适用于作为负载开关或在PWM应用中使用。

型号- HM20P02D

2022/11/8  - 虹美功率半导体  - 数据手册  - v1.0 代理服务 技术支持 采购服务

30DP8 P沟道增强型功率MOSFET

描述- 该资料介绍了富满微电子集团股份有限公司生产的30DP8型号P沟道增强型功率MOSFET。该器件具有低导通电阻、高开关速度和良好的热性能,适用于PWM应用、负载切换和电源管理等领域。

型号- 30DP8

2021/06/01  - 富满电子  - 数据手册  - Version1.0 代理服务 技术支持 采购服务

RM60P04Y P沟道增强型功率MOSFET

描述- 该资料详细介绍了RM60P04Y型P沟道增强型功率MOSFET的特性、应用和电气参数。该器件采用先进的沟槽技术,具有低RDS(ON)和低栅极电荷,适用于负载开关和PWM应用。

型号- RM60P04YV,RM60P04Y

2019-02  - 丽正国际  - 数据手册  - REV:B 代理服务 技术支持 采购服务

NCE2309 NCE P沟道增强型功率MOSFET

描述- 该资料介绍了NCE2309型P沟道增强模式功率MOSFET的特性、参数和应用。该器件采用先进的槽技术设计,具有低导通电阻和高密度单元设计,适用于负载开关和PWM应用。

型号- NCE2309

Sep.2010  - NCE  - 数据手册  - v4.0 代理服务 技术支持 采购服务 查看更多版本

JMTK130P04A JMT P沟道增强型功率MOSFET

描述- 本资料介绍了JMTK130P04A型P沟道增强模式功率MOSFET的特性、电气参数和应用。该器件采用先进的 trench 技术制造,具有低导通电阻和低栅极电荷的特点,适用于PWM应用、负载开关和电源管理等领域。

型号- JMT,JMTK130P04A

2022/3/3  - 捷捷微电  - 数据手册  - Version:1.2 代理服务 技术支持 采购服务

JMTL2301C JMT P沟道增强型功率MOSFET

描述- 本资料介绍了JMTL2301C型P沟道增强型功率MOSFET的特性、应用领域和电气参数。该产品采用先进的沟槽技术,具有低导通电阻和低栅极电荷,适用于PWM应用、负载开关和电源管理等领域。

型号- JMTL2301C,JMT

2024/7/15  - 捷捷微电  - 数据手册  - Version :1.4 代理服务 技术支持 采购服务 查看更多版本

NCE60P04Y NCE P沟道增强型功率MOSFET

描述- 该资料介绍了NCE60P04Y型P沟道增强模式功率MOSFET的特性。该器件采用先进的槽技术设计,具有低导通电阻和高密度单元格设计,适用于负载开关或PWM应用。

型号- NCE60P04Y

Sep.2010  - NCE  - 数据手册  - v2.0 代理服务 技术支持 采购服务 查看更多版本

RM2303 P沟道增强型功率MOSFET

描述- RM2303是一款采用先进沟槽技术的P-Channel增强型功率MOSFET,具有优异的RDS(ON)特性,适用于负载开关或PWM应用。该器件具有高功率和电流处理能力,采用无铅产品,表面贴装封装,适用于PWM应用、负载开关、电源管理和无卤素等领域。

型号- RM2303V,RM2303

2019-02/15  - 丽正国际  - 数据手册  - REV:A 代理服务 技术支持 采购服务

【产品】-20V/-4.1A P沟道增强型功率MOSFET RM2305C

RM2305C是丽正国际推出的一款采用SOT-23封装的P沟道增强型功率MOSFET,该器件使用先进的沟槽技术和设计,可以提供优良的低导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷,栅极电压低至2.5V,适用于负载开关或PWM应用。

2019-11-23 -  新产品 代理服务 技术支持 采购服务

NCE30P28Q P沟道增强型功率MOSFET

描述- 该资料介绍了NCE30P28Q型P沟道增强型功率MOSFET的特性。这款器件采用先进的槽技术,提供优异的RDS(ON),适用于负载开关或电源管理。主要特性包括高电压、大电流处理能力,无铅产品,表面贴装封装,并通过了100% UIS和∆Vds测试。

型号- NCE30P28Q

2021/9/3  - NCE  - 数据手册  - v5.0 代理服务 技术支持 采购服务

CXT3P150Q 30V P沟道增强型功率MOSFET

描述- 该资料介绍了一种30V P-channel Enhancement Mode Power MOSFET,型号为CXT3P150Q。该器件采用先进的沟槽技术,具有极低的RDS(on)、良好的稳定性和均匀性,并通过100%雪崩测试。它适用于负载开关、PWM应用、电源管理和通用目的应用。

型号- CXT3P150Q

2024/4/18  - 诚芯微  - 数据手册  - Rev. 1.0 代理服务 技术支持 采购服务

JMTK340P03A JMT P沟道增强型功率MOSFET

描述- 本资料介绍了JMTK340P03A型P沟道增强模式功率MOSFET的特性、应用领域和相关测试数据。该器件采用先进的 trench 技术制造,具有低导通电阻和低栅极电荷的特点,适用于负载开关、PWM应用和电源管理等领域。

型号- JMT,JMTK340P03A

2023/8/9  - 捷捷微电  - 数据手册  - Version: 1.1 代理服务 技术支持 采购服务 查看更多版本
展开更多

电子商城

查看更多

品牌:富满电子

品类:P-channel Enhancement Mode Power MOSFET

价格:¥2.8000

现货: 50

品牌:富满电子

品类:MOSFET

价格:

现货: 0

品牌:金誉半导体

品类:场效应管

价格:¥0.5625

现货: 1,000,000

品牌:AIT

品类:MOSFET

价格:¥0.9981

现货: 3,000

品牌:AIT

品类:MOSFET

价格:¥0.9981

现货: 3,000

品牌:丽正国际

品类:P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

价格:¥0.2198

现货: 3,000

品牌:AIT

品类:MOSFET

价格:¥1.2642

现货: 2,960

品牌:铨力半导体

品类:N and P-Channel Enhancement Power MOSFET

价格:¥0.4572

现货: 200

品牌:NCE

品类:P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

价格:¥2.2540

现货: 115

品牌:丽正国际

品类:P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

价格:¥3.2488

现货: 100

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

现货市场

查看更多

品牌:富满电子

品类:音频功放IC

价格:¥0.6500

现货:3,500

品牌:

品类:

价格:

现货:

服务

查看更多

波导隔离器定制

可定制波导隔离器频率覆盖5.5GHz~110GHz,插损损低至0.25dB、隔离度、正向方向功率、封装尺寸参数。

最小起订量: 1pcs 提交需求>

射频无源器件定制

可定制射频隔离器/环行器(10M-40GHz),双工器/三工器(30MHz/850MHz-20GHz),滤波器(DC-20GHz),功分器,同轴负载,同轴衰减器等射频器件;可定制频率覆盖DC~110GHz,功率最高20KW。

最小起订量: 1 提交需求>

查看更多

授权代理品牌:接插件及结构件

查看更多

授权代理品牌:部件、组件及配件

查看更多

授权代理品牌:电源及模块

查看更多

授权代理品牌:电子材料

查看更多

授权代理品牌:仪器仪表及测试配组件

查看更多

授权代理品牌:电工工具及材料

查看更多

授权代理品牌:机械电子元件

查看更多

授权代理品牌:加工与定制

世强和原厂的技术专家将在一个工作日内解答,帮助您快速完成研发及采购。
我要提问

954668/400-830-1766(工作日 9:00-18:00)

service@sekorm.com

研发客服
商务客服
服务热线

联系我们

954668/400-830-1766(工作日 9:00-18:00)

service@sekorm.com

投诉与建议

E-mail:claim@sekorm.com

商务合作

E-mail:contact@sekorm.com

收藏
收藏当前页面