【产品】P沟道增强型功率MOSFET 30P55K，最大脉冲漏极电流高达-134A，耗散功率最大值为24.8W
富满电子（FM）是一家致力于高性能模拟及数模混合集成电路设计研发、封装、测试、销售为一体的集成电路设计企业。其推出的型号为30P55K的P沟道增强型功率MOSFET，器件为TO-252封装，采用先进的沟槽技术，提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷特性，该器件适用于PWM应用，负载开关和电源管理等应用领域。其实物参考图，PIN脚图以及电路图如下所示：
器件最大额定参数方面，当TC=25℃，漏-源电压最大值为-30V；栅-源电压最大值为±20V；最大脉冲漏极电流最大值高达-134A；耗散功率最大值为24.8W@TC=25℃；结到管壳热阻最大值为4.9℃/W；电气参数方面，当TJ=25℃时，漏源击穿电压最小值为-30V@VGS=0V,ID=-250μA；栅-源短路的漏极电流IDSS最大值为-1μA@VDS=-30V,VGS=0V；漏-源短路的栅极电流IGSS最大值为±100nA@VDS=0V,VGS=±20V；漏源通态电阻在VGS=-10V,ID=-20A条件下，其典型值为8.5mΩ，最大值为11mΩ，在VGS=-4.5V,ID=-10A条件下，其典型值为12.0mΩ，最大值为16mΩ。
产品特征
VDS=-30V，ID=-40A
在VGS=-10V电压下，RDS（ON）<11mΩ
在VGS=-4.5V电压下，RDS（ON）<16mΩ
先进的沟槽技术
出色的RDS（ON）和低栅极电荷
提供无铅版本
通过100% UIS测试
通过100% ΔVds测试
产品应用
PWM应用
负载开关
电源管理
绝对最大定值（TC=25℃除非另有说明）
尺寸信息
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