【产品】N沟道增强型碳化硅MOSFET P3M12025BD、P3M12080BD，漏源导通电阻为25mΩ/80mΩ
P3M12025BD、P3M12080BD是派恩杰（PN Junction）推出的N沟道增强型碳化硅MOSFET，具有高阻断电压，低导通电阻，P3M12025BD漏源导通电阻为25mΩ，P3M12080BD漏源导通电阻为80mΩ。可提高系统效率和功率密度，减少散热器需求，节省系统成本，符合ROHS标准，无卤素。可应用于太阳能逆变器，电动汽车电池充电器，高压DC / DC转换器等领域。
P3M12025BD产品外形尺寸图
P3M12080BD产品外形尺寸图
产品原理图
N沟道增强型碳化硅MOSFET P3M12025BD、P3M12080BD产品特性：
· 高阻断电压和低导通电阻
· 高频工作
· 超小型Qgd
· 经过100％的UIS测试
N沟道增强型碳化硅MOSFET P3M12025BD、P3M12080BD产品优点：
· 提高系统效率
· 提高功率密度
· 减少散热器需求
· 节省系统成本
产品应用：
· 太阳能逆变器
· 电动汽车电池充电器
· 高压DC/DC转换器
· 开关电源
最大额定值（除非另有说明，否则在TJ = 25℃时）：
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产品型号
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品类
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Blocking Voltage(V)
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Package
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RDS(ON) @25℃(mΩ)
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Current Rating(A)
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Qgd(nC)
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Output Capacitance(pF)
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Max Junction Temperature(℃)
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P3M06025K3
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碳化硅场效应管
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650V
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TO247-3
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25mΩ
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97A
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34.7nC
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297pF
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175℃
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选型表 - 派恩杰 立即选型
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实验室地址： 西安 提交需求>
可定制位移传感器量程范围10~600mm，该YWD型位移传感器表面有带刻度的透明窗☐，每毫米的变化量误差不超过3ue/mm，可在静态、准静态和低频动态下工作。主要指标：非线性<0.2%；供桥电压<10v；测试精度：0.01mm。
最小起订量： 1 提交需求>
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