【元件】爱仕特1200V碳化硅MOSFET模块ASC600N1200MD3，可在高温、高湿和偏压条件下运行

时间： 2022-11-16 来源：爱仕特

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爱仕特1200V碳化硅MOSFET模板ASC600N1200MD3，具有超低损耗，支持高频运行，易于并联，可在高温、高湿和偏压条件下运行等特点，降低了热需求和系统成本，支持紧凑、轻量级的高效系统，可应用于恶劣室外环境。

绝对最大额定值（T_C=25℃）方面，其漏源电压最大额定值为1200V，漏极电流（连续）最大额定值为600A@V_GS=20V，漏极电流（脉冲）绝对最大额定值为1200A，耗散功率最大值（T_C=25℃）960W，杂散电感最大值为20nH。

产品描述

·可在高温、高湿和偏压条件下运行

·超低损耗

·支持高频运行

·MOSFET零关段尾电流

·常关型器件，故障安全设备操作

·易于并联

·铝碳化硅(AlSiC)基板及氧化铝绝缘子

系统优势

·支持紧凑、轻量级的高效系统

·可应用于恶劣室外环境

·减轻过压保护

·降低了热需求

·降低了系统成本

器件封装 151mm*103mm*35.2mm

绝对最大额定值（除非另有规定，否则T_C=25℃）

电气特性（除非另有规定，否则T_C=25℃）

热特性

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棒棒猫 Lv6. 高级专家 2022-11-21

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型号- B2D05120E1,B2M1000170Z,B2M1000170R,BTD5350SBPR,BTL27523R,B2M080120Z,BMS600R12HLWC4_B01,B3D40120HC,B2D40065H1,BGH75N65HS1,BD2M040A120S1,B2M080120R,BGH75N65ZF1,B2D,B2D60120H1,BMS800R12HWC4_B02,BMS950R08HLWC4_B02,BTL27523B,B2M080120H,B2D16120HC1,B3D03120E,BGH40N120HS1,B2DM060065N1,BTD5350E,BTD5350SBWR,BTD5350EBPR,B3D系列,BTD21520M,BTL27524R,B2D30120H1,BTD21520E,BTD5350MBPR,BD2D20A120S1,BD2D40A120S1,B3D,BTL27524BR,BTL27524B,B2D02120K1,BTD21520S,BMF800R12FC4,BTL2752X,AB2M040120Z,BD2D10A065S1,B2M040120H,BTD25350MMCWR,BTD21520系列,BTD3011R,BTD21520MBWR,B2D10120E1,AB2M040120R,BTD5350SCPR,BMF240R12E2G3,BMF600R12FC4,BMS700R08HWC4_B01,BTD21520EBWR,B2D08065K1,B2M032120Y,BTD25350MECWR,BTD5350EBWR,B2D30120HC1,B2D40120HC1,BD2D04A065S1,B2D10065F1,B2M040120Z,B2M009120Y,BD2M065A120S1,BD2D02A120S1,BMF700R08FC4,B2D系列,B1D06065KS,B2D40120H1,B2M040120R,BMS950R08HWC4_B02,BGH50N65HS1,BGH50N65ZF1,B2D10065KF1,B2D04065E1,BTD5350,BTD5350SCWR,B3D40200H,BTD5350ECPR,BTD5350M,BTD5350MBWR,BTD21520MBPR,BTD5350S,B2D08065KS,BD2D30A120S1,BTD5350MCPR,B2D20065F1,BD2D08A120S1,B2M1000170H,BTL27523BR,BMS800R12HLWC4_B02,BD2D15A065S1,BD2D20A065S1,B2D20120H1,B2M160120Z,BTD25350MMBWR,B2D10120K1,BTD21520MAWR,B2D20065HC1,B2D30065HC1,BTD25350,B2M160120R,BTD21520EAWR,B2D40065HC1,BMS700R08HLWC4_B01,BTD5350ECWR,BTD25350MEBWR,B2D04065KF1,BGH75N65HF1,B2D10065KS,BTD21520EBPR,BMZ200R12TC4,BTD21520SBWR,B2D04065K1,B3D20120H,BMS600R12HWC4_B01,B2M160120H,BGH75N120HF1,B2M030120R,BD2D08A065S1,BTD25350系列,B2M011120HK,BTD21520SBPR,BTD3011R系列,BTD21520MAPR,B2M030120Z,B2M009120N,BTD5350MCWR,B2D06065K1,BTD5350系列,BMZ250R08TC4,B2M012120N,B3D50120H2,BTD25350MSCWR,BTL2752X系列,B2D20065H1,B2D10065E1,B2M030120H,BD2D30A065S1,B2D06065KF1,B2D05120K1,B2D02120E1,B2D06065E1,BMF950R08FC4,BD2D05A120S1,BGH50N65HF1,B2D20120F1,BD2D15A120S1,B2D20120HC1,B2D10120HC1,BTD21520EAPR,BTD25350ME,BTD21520SAWR,BTD21520,B2D20065K1,B2M018120Z,BTD25350MM,BTD25350MS,B2D16065HC1,AB2M080120R,B2D10120H1,B2M018120N,BD2D06A065S1,B2D30065H1,B2M065120Z,BTD21520SAPR,AB2M080120H,B2M065120R,B2M018120H,B2M065120H,BD2D10A120S1,BTL27523,B2D10065K1,AB2M080120Z,BTD25350MSBWR,B2M020120Y,BTL27524,B3D05120E,B2DM100120N1,BD2D40A065S1

2024/5/16 - 基本半导体 - 选型指南代理服务技术支持采购服务

ASC30N650MT7 650V N沟道MOSFET

描述- 该资料详细介绍了ASC30N650MT7型650V N-Channel MOSFET的特性、电气参数和应用领域。该器件采用碳化硅（SiC）技术，具有高开关速度、低导通电阻和紧凑的芯片尺寸，适用于电动汽车充电、DC/DC转换器、开关电源、功率因数校正模块和太阳能光伏逆变器等领域。

型号- ASC30N650MT7

2023/11/29 - 爱仕特 - 数据手册代理服务技术支持采购服务

ASC300N1200MD3 1200V SiC MOSFET模块

描述- 本资料介绍了ASC300N1200MD3和ASC600N1200MD3两款1200V SiC MOSFET模块的特性。这些模块具有高温度、湿度和偏置操作能力，超低损耗和高频运行特性。它们适用于紧凑轻便的系统设计，能够在恶劣户外环境中安装，并具备过压保护功能。

型号- ASC300N1200MD3,ASC600N1200MD3

2021/09/09 - 爱仕特 - 数据手册代理服务技术支持采购服务

爱仕特获国家级专精特新“小巨人”企业称号，以卓越性能和创新方案推动碳化硅行业发展

2024年9月2日，深圳市中小企业服务局官方发布了工业和信息化部认定的第六批专精特新“小巨人”企业公示名单，爱仕特被认定为国家级专精特新“小巨人”企业。爱仕特在经济效益、专业化、创新和管理等方面表现突出，特别是在自主品牌和市场占有率等关键指标上成绩显著，获评了“小巨人”称号，得到了国家层面的高度认可。

2024-09-11 - 原厂动态代理服务技术支持采购服务

ISOPLUS-SMPD™和ISOPLUS™I4-PAC™填补模块和分立器件之间的空白产品简介

描述- ISOPLUS-SMPDTM 和 ISOPLUS™ i4-PACTM 产品系列是针对电动汽车充电基础设施、医疗和工业应用而设计的封装解决方案，旨在连接模块和离散元件，提供一系列优势和价值。这些产品采用直接铜键合（DCB）隔离技术，提供高可靠性，并支持多种技术和电压等级，同时优化了功率密度和热管理。

型号- MCB60P1200TLB,LSIC1MO120G0025,MCBB60P1200TLB,ITF40PF1200DHGTLB,DCG20BB650LB,DPG60BB600LB

2022/10/12 - LITTELFUSE - 数据手册代理服务技术支持采购服务

【应用】耐压1200V的碳化硅MOSFET ASC60N1200MT3用于充电桩电源模块上，Rds为45mΩ

目前市面上充电桩电源模块的转换效率已经可以做到99%，对于车辆快速且高效的充电有很大的意义。然而这对于设计者来说，功率器件的选型尤为重要。本文推荐爱仕特的碳化硅MOSFET ASC60N1200MT3用于充电桩电源模块的LLC谐振电路中，可以有效降低热损耗。

2022-12-02 - 应用方案代理服务技术支持采购服务

芯众享（成都）微电子有限公司（简称“芯众享”）是一家集第三代半导体功率器件研发、销售及应用系统于一体的高新技术企业。总部位于四川省成都市高新区，并先后设立了深圳营销中心和泉州应用中心。

碳化硅二极管碳化硅MOSFET 碳化硅功率模块 GaN HEMT SiC功率半导体器件碳化硅肖特基二极管平面栅碳化硅 MOSFET 平面MOSFET 电源管理芯片主控芯片同步整流芯片

代理服务线上商城技术资料

ISOPLUS-SMPD™ & ISOPLUS™ i4-PAC™ 跨越模块和分立元件之间的差距产品简介

描述- ISOPLUS-SMPD™ 和 ISOPLUS™ i4-PAC™ 封装解决方案是针对电动汽车充电、医疗和工业应用的理想选择。这些产品通过集成IXYS的绝缘DCB结构和最小绝缘电压2.5 kV的分立器件，提供了高可靠性。它们支持多种技术组合和拓扑结构，优化了功率密度和热管理。此外，SMPD™ 允许全自动拾取和放置，提高了生产效率。

型号- MCB60P1200TLB,LSIC1MO120G0025,MCBB60P1200TLB,ITF40PF1200DHGTLB,DCG20BB650LB,DPG60BB600LB

2022/10/11 - LITTELFUSE - 商品及供应商介绍代理服务技术支持采购服务

【元件】展会直击 | 2.5nH超低电感，爱仕特全新LPD碳化硅模块惊艳亮相PCIM

2024年8月28日，亚洲电力电子行业盛典——PCIM Asia 2024在深圳国际会展中心如期召开，爱仕特在展会现场发布新一代超低电感LPD系列碳化硅功率模块。该模块采用创新封装和三相全桥设计，内置1200V碳化硅MOSFET和热敏电阻，杂散电感低至2.5nH，工作安全稳定。工作电源电压可达900V-1000V，工作频率可达30kHz，输出功率可达300kW。

2024-08-29 - 产品代理服务技术支持采购服务