【选型】碳化硅MOSFET UF3C120080K4S可PIN-PIN替换C3M0075120K,驱动电压更宽且性能更优

2020-02-16 世强
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碳化硅MOSFET凭借其优良的性能,可以给电源带来更高开关频率,更高的系统效率,同时可降低系统的尺寸和重量,因此市面上的应用非常广泛,比如车载OBC、充电桩、DC-DC等场合。市面上主流的SiC MOS管型号有WOLFSPEED(科锐)的1200V/75mΩ C3M0075120K等,不过因供货交期和价格压力等因素,很多客户会选择一款好的替代方案,本文重点推荐UnitedSiC(联合碳化硅)的SiC MOS管 UF3C120080K4S,该产品不仅可pin-pin替代C3M0075120K,而且性能更优,其典型参数对比如下表所示。

从上表可知UnitedSiC(联合碳化硅)的SiC MOS管UF3C120080K4S与Wolfspeed(科锐)的SiCMOS管C3M0075120K相比,在漏-源电压VDS、导通内阻RDS(ON)、漏极电流ID等参数表现上几乎一致,但是在其它关键参数上性能更优,UF3C120080K4S的驱动电压是±25V,区别于科锐的-8至19V,有着更宽的驱动电压范围,在承受负压方面更优秀;UF3C120080K4S的结温Tj为-55~175℃,可承受温度范围更宽,热性能更好。另外两者的封装都为TO-247-4,管脚定义一致,可以进行PIN-PIN替换。


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SiC科普小课堂 | 什么是米勒钳位?为什么碳化硅MOSFET特别需要米勒钳位?| 视频

今天的“SiC科普小课堂”中,基本半导体市场部总监魏炜老师将着重为大家讲解什么是米勒现象?为什么驱动碳化硅MOSFET需要使用米勒钳位功能?以及基本半导体的创新性产品选型推荐。

设计经验    发布时间 : 2024-09-09

美浦森半导体 超结MOSFET/高压MOSFET/VD MOSFET/碳化硅二极管/碳化硅MOSFET选型表

目录- SJ MOSFET    HV MOSFET    VD MOSFET    SIC Diode    SIC MOSFET   

型号- SLF8N60C,SLF12N70S,SLF16N60S,MSD02120G1,SLFT0R360S3,SLD80N04T,MSH080120M1,MSP540S,SLP300N10T,MSH16120G1,SLB130N10G,SLF8N60S,MSNP06065G1,SLF60R099E7,SLF60R180E7D,SLF80R380SJ,SLH60R070E7,SLD100N03T,SLD70R310S3,SLD5N50S2,SLF10N70S,SLM100N03T,SLF65R380E7,SLD70R600S3,SLS30L03T,SLF10N65C,SLF10N65A,SLD2N65S,SLF80R240SJ,SLD65R280E7,SLF14N60S,SLN30N03T,SLF18N50S,SLF12N65S,SLF3101,MSH060065M1,SLF70R500S3,SLF10N65S,SLN40N04G,SLM65R380E7,SLF18N50A,SLF18N50C,SLF12N65C,SLF12N65A,SLW24N50C,MSNP08065G1,SLW9N90C,SLD20N06T,SLF16N50S,SLF70R360S3,SLD80N06T,MS2H20120G1,MSD05120G1,SLF65R565SS,MSD02065G1,SLF20N60S,SLF5N60S,MS2TH60065G1,SLF16N50C,SLF60R380E7,SLD60N04T,MSP08065G1,SLD20N10T,SLP150N06T,MSH20120G1,SLP80N08T,SLF5N60C,SLF18N60S,MSP02065G1,SLF70R310S3,SLF60R070E7,MSK040120M1,SLFT0R600S3,SLL65R170E7,MS2H32120G1,MSK060065M1,MSM06065G1,SLD80R500SJ,SLD840U,MSP04065G1,MS2H40120G1,MSD10120G1,MSF10120G1,SLP32N20C,SLD50N06T,SLF20N50S,SLF18N65S,SLD65R565SS,MSP20065G1,SLD65R380E7,SLF20N50A,SLD70R500S3,SLF20N50C,SLP150N04T,SLF2N60S,SLW60R099E7,SLF8N65C,SLM80N10G,SLP3103,SLF65R280E7,SLF7N70S,MSD06065G1,SLF8N65S,MS2H40065G1,SLF70R600S3,MSP10120G1,MSP06065G1,SLD840UZ,SLD70R360S3,SLP3205T,SLP3710T,SLF5N65C,SLF10N60C,SLF730S,SLP50N06T,MS2H32065G1,SLF14N65S,SLM90N06G,MSP10065G1,SLM180N04G,MSP16065G1,SLF10N60S,MSK025120M1,SLF12N60C,SLF840C,SLF65R170E7,SLD90N02T,MSNP10065G1,MSK080120M1,SLH65R070E7,SLF16N65S,SLF13N50C,SLD5N50S,SLF20N65S,SLF13N50A,MSD04065G1,SLF60R280E7,SLB120N08G,SLD80N03T,SLP150N03T,SLD80R850SJ,SLF5N65S,SLD80R600SJ,SLF13N50S,SLM20L10T,SLF7N80C,SLD150N03T,SLM60N10G

选型指南  -  美浦森  - REV.01  - 2021 PDF 英文 下载

鲁晶携多款功率器件产品出席第十四届亚洲电源技术发展论坛,为新能源、光伏、充电桩等领域应用提供服务

鲁晶半导体携旗下Si SBD/FRD/SCR、Si MOS/IGBT、SiC Diodes、SiC MOSFET等功率器件产品出席第十四届亚洲电源技术发展论坛,产品广泛应用于各类智能家电、电动工具、新能源、充电桩、光伏、电源、工控等领域。

原厂动态    发布时间 : 2024-01-09

HI-SEMICON 产品充电桩行业分享

型号- SCP65R090CF,SFS3401,SC3D40065D,SC3D40120D,SFS3400,SC3D40065I,SC3D40065H,SC3D15120H,SC3D40065G,SGP104R5T,SFS2N7002,SFS3407,SC3D10120H,SCW65R075CF,S3M040120K3,SCW65R050CF,SFD3009T,SGA104R5T,SC3D40065A,SFA10015T,SFS2301,SC3D30065I,SFS3415,SCW65R090CF,SC3D30065G,SFD50N06,SC3D30065H,SC3D30120H,SGD105R5T,SGP104R0T,SC3D30065D,SC3D30120D,SC3D30065A,SFD6008T,SCW65R041CF,S3M075120K3,SC3D20065I,SC3D20065H,SC3D20120H,SC3D20065A,SGA105R5T,SGA104R0T,SC3D20065D,SC3D20065G,SC3D20120D

商品及供应商介绍  -  HI-SEMICON  - 2023/10/8 PDF 中文 下载

【应用】SiC器件可在5G基建、新能源汽车充电桩、工业互联网等领域中提高电能利用率

碳化硅(SiC)材料是功率半导体行业主要进步发展方向,用于制作功率器件,可显着提高电能利用率。可预见的未来内,新能源汽车是碳化硅功率器件的主要应用场景。特斯拉作为技术先驱,已率先在Model 3中集成全碳化硅模块,其他一线车企亦皆计划扩大碳化硅的应用。

应用方案    发布时间 : 2023-08-04

充电桩模块选用瑶芯碳化硅功率MOSFET AKCK2M016WAMH,提供高电压、低阻值的单管方案

截止至2023年底,我国充电基础设施累计数量已超过800万台,充电桩市场还有很大的发展潜力。在该产品中,高效、可靠的充电桩模块是核心。这对功率半导体组件,提出了更高的要求。瑶芯微MOSFET AKCK2M016WAMH成为充电桩模块应用中的理想选择。

应用方案    发布时间 : 2024-06-20

瞻芯电子荣获“东方芯港·明日之星”奖,致力于打造碳化硅(SiC)功率器件芯片和驱动芯片的产业化

2017年,瞻芯电子在东方“芯”港这片沃土创立,前瞻性地致力于打造碳化硅(SiC)功率器件芯片和驱动芯片的产业化,现已成长为我国少有的碳化硅(SiC)芯片的垂直整合制造(IDM)企业,累计交付核心产品:碳化硅(SiC)MOSFET约900万颗,驱动芯片约4800万颗,广泛应用于新能源汽车、光伏与储能、充电桩、工业和通信电源等领域。

原厂动态    发布时间 : 2024-08-24

【应用】采用开环LLC+电流源PFC方案实现全碳化硅高功率密度充电桩模块设计

国产碳化硅领先品牌瞻芯电子采用SiC MOSFET、SiC SBD和SiC MOSFET驱动芯片开发了全碳化硅的充电桩模块包括PFC和DCDC的原型设计。该参考设计的功率密度比业界主流的充电桩模块提升50%,揭示了碳化硅功率器件在高功率密度、高性能充电桩模块领域的巨大优势和潜力。

应用方案    发布时间 : 2020-12-29

【选型】CISSOID 晶体管/功率开关/二极管/线性稳压器/电压参考/DC-DC转换器/栅极驱动和马达驱动器/模数转换器/比较器/放大器/逻辑门/定时器/时钟发生器选型指南

目录- Company profile    DISCRETE    LINEAR VOLTAGE REGULATORS    DC-DC CONVERTERS    GATE DRIVERS AND MOTOR DRIVERS    MIXED SIGNAL comparator    AMPLIFIERS    LOGIC devices    OSCULLATOR&TIMERS   

型号- CMT-OPA,CHT-PMOS300X,CHT-74021,DIODES,10-BIT ULTRA LOW POWER ADC,CMT-74021,CHT-NMOS40XX,LINEAR VOLTAG E REGULATORS,CHT-AMAZON,TIMERS,EVK-HADES®,CHT-CG50-LP,CMT-7474,ADJUSTABLE LINEAR VOLTAG E REGULATORS,CHT-NMOS4005,CHT-74132,VESUVIO®,CMT-555,AMPLIFIERS,CHT-PALLAS,EVK-THEMIS-ATLAS,CMT-RHEA,SWITC HES,HIGH-SPEED,CHT-NMOS4010,TRANSISTORS,STROMBOLI,CMT-7486,EREBUS,CHT-NEPTUNE,DC-DC CONVERTER ICS,MERCURY,EREBUS-40,CHT-CALLISTO,CHT-NILE,CHT-HYPERION,PWM CONTROLLER,CHT-SNMOS80,EREBUS®,CHT-7474,DUAL NMOS TRANSISTOR,POWER MOSFET PMOS 30V,CONVERTERS,DIODES,CHT-LDOS-XXX,CHT-FUJI,SMALL SIGNAL MOSFET TRANSISTORS,FUJI,CMT-7408,CHT-PTC8,EREBUS-50,GATE DRIVERS AND MOTOR DRIVERS: TITAN,CHT-RHEA,CMT-7400,CHT-VOLGA,CMT-7404,VENUS,CHT-7400,DC-DC CONVERTER,CHT-7486,CHT-SPMOS30,CHT-555,CHT-7404,STROMBOLI®,TRANSCEIVERS,CHT-OPA,POWER MOSFET NMOS 80V,OSCILLATOR,COMPARATORS,SATURN,LINEAR VOLTAGE REGULATORS AND VOLTAGE REFERENCES: STAR,CHT-NMOS8005,CHT-BG3M-XXX,CHT-NMOS8001,CHT-NMOS80XX,CMT-7432,CHT-ADC10,POWER SWITCHES,BRIDGE ISOLAT ED SIC GAT E DRIVER,CHT-MAGMA,DUAL SMALL SIGNAL DIODES,8-BIT PROGRAMMABLE COMPARATOR,CHT-THEMIS-ATLAS,POWER MOSFET NMOS 40V,3A DUAL DIODE,CHT-PMOS3002,CHT-7408,CHT-LDOP-XXX,CHT-NMOS8010,CMT-THEMIS-ATLAS,CHT-GANYMEDE,EARTH,CHT-PMOS3008,VESUVIO,CHT-PMOS3004,CHT-MAGMA: VERSATI LE VO LTAG E-MODE PWM CO NTROLLER,DC-DC CONVERTERS: VOLCANO,CHT-BG03M,CHT-LDNS-XXX,DUAL ISOLAT ED TRANSCEIVER,VOL1088B,CHT-MOON,CHT-CG50,CHT-NMOS4020,HIGH-PRECISION DUAL OP AMP,CHT-7432,CHT-RIGEL,YELLOWSTONE,HADES®,OSCILLATOR & TIMERS: PULSAR,CMT-74132,AMPLIFIERS: GEMSTONE,CHT-VEGA,CHT-OPAL,DC-DC CONVERTER TECHNOLOGIES,CHT-LDN-025,MARS,CHT-AMALTHEA,CHT-74-4040,CHT-RUBY

选型指南  -  CISSOID  - 05/14 PDF 英文 下载

基本半导体(BASIC)碳化硅功率器件选型指南

描述- 深圳基本半导体有限公司是中国第三代半导体行业创新企业,专业从事碳化硅功率器件的研发与产业化。公司总部位于深圳,在北京、上海、无锡、香港以及日本名古屋设有研发中心和制造基地。公司拥有一支国际化的研发团队,核心成员包括二十余位来自清华大学、中国科学院、英国剑桥大学、德国亚琛工业大学、瑞士联邦理工学院等国内外知名高校及研究机构的博士。

型号- B2D05120E1,B2M1000170Z,B2M1000170R,BTD5350SBPR,BTL27523R,B2M080120Z,BMS600R12HLWC4_B01,B3D40120HC,B2D40065H1,BGH75N65HS1,BD2M040A120S1,B2M080120R,BGH75N65ZF1,B2D,B2D60120H1,BMS800R12HWC4_B02,BMS950R08HLWC4_B02,BTL27523B,B2M080120H,B2D16120HC1,B3D03120E,BGH40N120HS1,B2DM060065N1,BTD5350E,BTD5350SBWR,BTD5350EBPR,B3D系列,BTD21520M,BTL27524R,B2D30120H1,BTD21520E,BTD5350MBPR,BD2D20A120S1,BD2D40A120S1,B3D,BTL27524BR,BTL27524B,B2D02120K1,BTD21520S,BMF800R12FC4,BTL2752X,AB2M040120Z,BD2D10A065S1,B2M040120H,BTD25350MMCWR,BTD21520系列,BTD3011R,BTD21520MBWR,B2D10120E1,AB2M040120R,BTD5350SCPR,BMF240R12E2G3,BMF600R12FC4,BMS700R08HWC4_B01,BTD21520EBWR,B2D08065K1,B2M032120Y,BTD25350MECWR,BTD5350EBWR,B2D30120HC1,B2D40120HC1,BD2D04A065S1,B2D10065F1,B2M040120Z,B2M009120Y,BD2M065A120S1,BD2D02A120S1,BMF700R08FC4,B2D系列,B1D06065KS,B2D40120H1,B2M040120R,BMS950R08HWC4_B02,BGH50N65HS1,BGH50N65ZF1,B2D10065KF1,B2D04065E1,BTD5350,BTD5350SCWR,B3D40200H,BTD5350ECPR,BTD5350M,BTD5350MBWR,BTD21520MBPR,BTD5350S,B2D08065KS,BD2D30A120S1,BTD5350MCPR,B2D20065F1,BD2D08A120S1,B2M1000170H,BTL27523BR,BMS800R12HLWC4_B02,BD2D15A065S1,BD2D20A065S1,B2D20120H1,B2M160120Z,BTD25350MMBWR,B2D10120K1,BTD21520MAWR,B2D20065HC1,B2D30065HC1,BTD25350,B2M160120R,BTD21520EAWR,B2D40065HC1,BMS700R08HLWC4_B01,BTD5350ECWR,BTD25350MEBWR,B2D04065KF1,BGH75N65HF1,B2D10065KS,BTD21520EBPR,BMZ200R12TC4,BTD21520SBWR,B2D04065K1,B3D20120H,BMS600R12HWC4_B01,B2M160120H,BGH75N120HF1,B2M030120R,BD2D08A065S1,BTD25350系列,B2M011120HK,BTD21520SBPR,BTD3011R系列,BTD21520MAPR,B2M030120Z,B2M009120N,BTD5350MCWR,B2D06065K1,BTD5350系列,BMZ250R08TC4,B2M012120N,B3D50120H2,BTD25350MSCWR,BTL2752X系列,B2D20065H1,B2D10065E1,B2M030120H,BD2D30A065S1,B2D06065KF1,B2D05120K1,B2D02120E1,B2D06065E1,BMF950R08FC4,BD2D05A120S1,BGH50N65HF1,B2D20120F1,BD2D15A120S1,B2D20120HC1,B2D10120HC1,BTD21520EAPR,BTD25350ME,BTD21520SAWR,BTD21520,B2D20065K1,B2M018120Z,BTD25350MM,BTD25350MS,B2D16065HC1,AB2M080120R,B2D10120H1,B2M018120N,BD2D06A065S1,B2D30065H1,B2M065120Z,BTD21520SAPR,AB2M080120H,B2M065120R,B2M018120H,B2M065120H,BD2D10A120S1,BTL27523,B2D10065K1,AB2M080120Z,BTD25350MSBWR,B2M020120Y,BTL27524,B3D05120E,B2DM100120N1,BD2D40A065S1

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品类:碳化硅MOSFET

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品类:碳化硅MOSFET

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高热流密度液冷板定制

定制液冷板尺寸5mm*5mm~3m*1.8m,厚度2mm-100mm,单相液冷板散热能力最高300W/cm²。

最小起订量: 1片 提交需求>

功率MOSFET管检测:动静态参数/热特性/高低温性能/可靠性等参数测试

可根据用户的MOSFET管进行参数检测出具报告,静态参数最大电压:7500V、检测最大电流6000A;动态参数最大电压:3300V、检测最大电流:4500A。该测试标准满足GB、IEC及行业标准等,具备可靠性评估及老化实验能力。

实验室地址: 西安 提交需求>

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