【选型】碳化硅MOSFET UF3C120080K4S可PIN-PIN替换C3M0075120K,驱动电压更宽且性能更优

2020-02-16 世强
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碳化硅MOSFET凭借其优良的性能,可以给电源带来更高开关频率,更高的系统效率,同时可降低系统的尺寸和重量,因此市面上的应用非常广泛,比如车载OBC、充电桩、DC-DC等场合。市面上主流的SiC MOS管型号有WOLFSPEED(科锐)的1200V/75mΩ C3M0075120K等,不过因供货交期和价格压力等因素,很多客户会选择一款好的替代方案,本文重点推荐UnitedSiC(联合碳化硅)的SiC MOS管 UF3C120080K4S,该产品不仅可pin-pin替代C3M0075120K,而且性能更优,其典型参数对比如下表所示。

从上表可知UnitedSiC(联合碳化硅)的SiC MOS管UF3C120080K4S与Wolfspeed(科锐)的SiCMOS管C3M0075120K相比,在漏-源电压VDS、导通内阻RDS(ON)、漏极电流ID等参数表现上几乎一致,但是在其它关键参数上性能更优,UF3C120080K4S的驱动电压是±25V,区别于科锐的-8至19V,有着更宽的驱动电压范围,在承受负压方面更优秀;UF3C120080K4S的结温Tj为-55~175℃,可承受温度范围更宽,热性能更好。另外两者的封装都为TO-247-4,管脚定义一致,可以进行PIN-PIN替换。


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应用方案    发布时间 : 2023-08-04

蓉矽1200V 40/75mΩ碳化硅MOSFET用于直流充电桩,减少50%器件用量,助力800V高压快充充电桩行业发展

基于蓉矽半导体第二代1200V 40/75mΩ SiC MOSFET的两电平方案结构简单、控制方便,可简化系统拓扑,减少50%的器件用量,助力800V高压快充充电桩行业的发展。蓉矽半导体1200V 40mΩ SiC MOSFET电压等级为1200V,最大可持续电流达75A。

应用方案    发布时间 : 2024-07-17

瞻芯电子荣获“东方芯港·明日之星”奖,致力于打造碳化硅(SiC)功率器件芯片和驱动芯片的产业化

2017年,瞻芯电子在东方“芯”港这片沃土创立,前瞻性地致力于打造碳化硅(SiC)功率器件芯片和驱动芯片的产业化,现已成长为我国少有的碳化硅(SiC)芯片的垂直整合制造(IDM)企业,累计交付核心产品:碳化硅(SiC)MOSFET约900万颗,驱动芯片约4800万颗,广泛应用于新能源汽车、光伏与储能、充电桩、工业和通信电源等领域。

原厂动态    发布时间 : 2024-08-24

【IC】基本半导体推出支持米勒钳位的双通道隔离驱动芯片BTD25350,能高效可靠地抑制碳化硅MOS误开通

基本半导体自主研发推出可支持米勒钳位功能的双通道隔离驱动芯片BTD25350,此驱动芯片专为碳化硅MOSFET门极驱动设计,能高效可靠地抑制碳化硅MOSFET的误开通,该驱动芯片目前被广泛应用于光伏储能、充电桩、车载OBC、服务器电源等领域中。

产品    发布时间 : 2024-06-26

基本半导体(BASIC)碳化硅功率器件选型指南

描述- 深圳基本半导体有限公司是中国第三代半导体行业创新企业,专业从事碳化硅功率器件的研发与产业化。公司总部位于深圳,在北京、上海、无锡、香港以及日本名古屋设有研发中心和制造基地。公司拥有一支国际化的研发团队,核心成员包括二十余位来自清华大学、中国科学院、英国剑桥大学、德国亚琛工业大学、瑞士联邦理工学院等国内外知名高校及研究机构的博士。

型号- B2D05120E1,B2M1000170Z,B2M1000170R,BTD5350SBPR,BTL27523R,B2M080120Z,BMS600R12HLWC4_B01,B3D40120HC,B2D40065H1,BGH75N65HS1,BD2M040A120S1,B2M080120R,BGH75N65ZF1,B2D,B2D60120H1,BMS800R12HWC4_B02,BMS950R08HLWC4_B02,BTL27523B,B2M080120H,B2D16120HC1,B3D03120E,BGH40N120HS1,B2DM060065N1,BTD5350E,BTD5350SBWR,BTD5350EBPR,B3D系列,BTD21520M,BTL27524R,B2D30120H1,BTD21520E,BTD5350MBPR,BD2D20A120S1,BD2D40A120S1,B3D,BTL27524BR,BTL27524B,B2D02120K1,BTD21520S,BMF800R12FC4,BTL2752X,AB2M040120Z,BD2D10A065S1,B2M040120H,BTD25350MMCWR,BTD21520系列,BTD3011R,BTD21520MBWR,B2D10120E1,AB2M040120R,BTD5350SCPR,BMF240R12E2G3,BMF600R12FC4,BMS700R08HWC4_B01,BTD21520EBWR,B2D08065K1,B2M032120Y,BTD25350MECWR,BTD5350EBWR,B2D30120HC1,B2D40120HC1,BD2D04A065S1,B2D10065F1,B2M040120Z,B2M009120Y,BD2M065A120S1,BD2D02A120S1,BMF700R08FC4,B2D系列,B1D06065KS,B2D40120H1,B2M040120R,BMS950R08HWC4_B02,BGH50N65HS1,BGH50N65ZF1,B2D10065KF1,B2D04065E1,BTD5350,BTD5350SCWR,B3D40200H,BTD5350ECPR,BTD5350M,BTD5350MBWR,BTD21520MBPR,BTD5350S,B2D08065KS,BD2D30A120S1,BTD5350MCPR,B2D20065F1,BD2D08A120S1,B2M1000170H,BTL27523BR,BMS800R12HLWC4_B02,BD2D15A065S1,BD2D20A065S1,B2D20120H1,B2M160120Z,BTD25350MMBWR,B2D10120K1,BTD21520MAWR,B2D20065HC1,B2D30065HC1,BTD25350,B2M160120R,BTD21520EAWR,B2D40065HC1,BMS700R08HLWC4_B01,BTD5350ECWR,BTD25350MEBWR,B2D04065KF1,BGH75N65HF1,B2D10065KS,BTD21520EBPR,BMZ200R12TC4,BTD21520SBWR,B2D04065K1,B3D20120H,BMS600R12HWC4_B01,B2M160120H,BGH75N120HF1,B2M030120R,BD2D08A065S1,BTD25350系列,B2M011120HK,BTD21520SBPR,BTD3011R系列,BTD21520MAPR,B2M030120Z,B2M009120N,BTD5350MCWR,B2D06065K1,BTD5350系列,BMZ250R08TC4,B2M012120N,B3D50120H2,BTD25350MSCWR,BTL2752X系列,B2D20065H1,B2D10065E1,B2M030120H,BD2D30A065S1,B2D06065KF1,B2D05120K1,B2D02120E1,B2D06065E1,BMF950R08FC4,BD2D05A120S1,BGH50N65HF1,B2D20120F1,BD2D15A120S1,B2D20120HC1,B2D10120HC1,BTD21520EAPR,BTD25350ME,BTD21520SAWR,BTD21520,B2D20065K1,B2M018120Z,BTD25350MM,BTD25350MS,B2D16065HC1,AB2M080120R,B2D10120H1,B2M018120N,BD2D06A065S1,B2D30065H1,B2M065120Z,BTD21520SAPR,AB2M080120H,B2M065120R,B2M018120H,B2M065120H,BD2D10A120S1,BTL27523,B2D10065K1,AB2M080120Z,BTD25350MSBWR,B2M020120Y,BTL27524,B3D05120E,B2DM100120N1,BD2D40A065S1

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功率MOSFET管检测:动静态参数/热特性/高低温性能/可靠性等参数测试

可根据用户的MOSFET管进行参数检测出具报告,静态参数最大电压:7500V、检测最大电流6000A;动态参数最大电压:3300V、检测最大电流:4500A。该测试标准满足GB、IEC及行业标准等,具备可靠性评估及老化实验能力。

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