【产品】500V N沟道功率MOSFET，大功率开关电源的理想选择

【产品】汽车级功率MOSFET P140LF4QNK、P105LF4QNK，适合车载水泵、EPS和辅助电机等应用

P140LF4QNK、P105LF4QNK是ShinDengen推出的沟槽型功率MOSFET，体积小重量轻，符合AEC-Q101标准和ISO/TS16949标准，最大漏-源电压均为40V，最大漏极直流电流分别为140A和105A，适合车载水泵、EPS和辅助电机等应用。【世强硬创沙龙2019】

【产品】280V N沟道功率MOS管，较P沟道MOS管导通电阻更小

日本新电元（Shindengen）公司推出了一款高性能N沟道金属氧化物半导体场效应管P13F28HP2/P17F28HP2/P21F28HP2，最大漏极/源极电压VDSS（雪崩击穿电压）为280.0V，最大漏极持续电流（DC）Id为13.0/17.0/21.0A，静态漏源导通电阻Rds典型值为0.23/0.17/0.13Ω。可应用于负载/电源开关，继电器驱动，电源转换器电路等应用。

【产品】使机器尺寸减小40%的耐高压功率MOSFETMG020201，最大反向电压可达600V

MG020201是新电元推出的一款耐高压功率MOSFET，其最大反向电压可达600V，可满足高电压的工作环境。同时平均正向电流为30A，可满足大功率电路的设计应用。

研讨会2024功率器件新技术研讨会

描述- 11月21日在线直播，带来低导通电阻的功率MOS、集成驱动的GaN IC、IGBT新技术、用于电机驱动/BMS/移动储能的SGT MOS、高压车规SiC功率MOS、国产车规IGBT模块等功率器件新产品新技术，点击了解报名

议题- 降低20%导通电阻的功率MOS  |  集成驱动的GaN IC  |  沟槽栅场截止型IGBT新技术  |  适用于电机驱动/BMS/移动储能等应用SGT MOSFET  |  1700V SiC功率MOS  |  国产50A IPM模块  |  高可靠国产车规IGBT模块  |  ROHM——专注功率，电源和模拟技术的全球知名半导体厂商  |  EPC——基于氮化镓（GaN）功率管理器件的领先供应商  |  致力于功率器件和智能传感器技术的专业半导体厂商——瑶芯微（ALKAIDSEMI）  |  中国半导体功率器件十强企业：扬杰科技（YANGJIE）  |  致力于成为双碳时代功率半导体中国领跑者——阿基米德半导体（Archimedes）  |  中国领先的碳化硅（SiC）半导体和芯片解决方案提供商——瞻芯电子（InventChip）  |  专业从事电源管理、电机驱动、微控制器、传感器的集成电路和系统方案的设计与开发——华润微电子（CRM ICBG ）  |  Kyocera（京瓷）——全球领先的材料与电子元件制造商  |  Shindengen（新电元）——“桥王”，整流桥全球份额占比约40%  |  中国半导体功率器件十强的主板上市企业——新洁能（NCEPOWER）  |  国内首家抗负压能力可达-40V/600ns的电机驱动（HVIC）制造商——数明半导体  |  国内领先的半导体分立器件整合制造商 (IDM) —— 捷捷微电(JieJie Microelectronics）  |  国产一站式电路保护解决方案专家——硕凯（SOCAY）  | 

AiT SEMi推出整合控制单元MOSFET和IGBT的高压、高速功率驱动器AG2113，工作电压高达600V

AG2113是一款整合控制单元MOSFET和IGBT的高压、高速功率驱动器，具有基于特殊制程的独立高侧和低侧参考输出通道。逻辑输入与标准CMOS或LS TTL输出（低至3V逻辑）兼容。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，专为最小化驱动器交叉传导而设计。具有传播延迟相匹配，以简化高频应用中的应用。

【产品】采用小尺寸封装的三相栅极驱动器BDR6319，工作范围-40~125℃，内置欠压和死区时间保护

BDR6319是一款可用于驱动功率MOSFET或IGBT的三相栅极驱动器。内置死区时间保护、击穿保护和UVLO保护功能。其采用高压BCD工艺和共模噪声抑制技术，通过使能引脚（ENB），使芯片进入待机模式。

高性能N沟道MOS管SL49N10G，连续漏极电流可达49A，适合于微型、便携式电子设备的应用

SL49N10G的漏源电压为100V，连续漏极电流可达49A，导通电阻为7.6mΩ@10V,20A，阈值电压为2V@250uA，封装为PDFN(3.3x3.3)。这些参数特点使得它在不同领域的应用具有很大优势。首先，漏源电压高达100V，可以满足各类高压应用的需求。其次，连续漏极电流为49A，使得SL49N10G可以承载更大的负载电流，适用于电动机驱动器、DC-DC转换器等领域。

【产品】漏源电压50V的N沟道低压MOS管BSN20，导通电阻3Ω，实现低功耗、高效率电路控制

本文为大家介绍SLKOR推出的MOS管BSN20。BSN20是一种N沟道低压MOS管，具有50V漏源电压和300mA连续漏极电流；具有3Ω的导通电阻，阈值电压为1.5V@250μA；，适用于低压开关电源、电机驱动器、DC/DC转换器和其他低压应用。

【产品】具有全面保护功能的功率MOSFET/IGBT门极驱动器SGM48013

圣邦微电子（SGMICRO）推出的SGM48013是一款高速的功率MOSFET和IGBT门极驱动器，提供全面的保护功能，如过压保护、热关断保护、欠压锁定和短路保护。采用SOT-23-5封装，工作温度范围为-40℃~ +125℃，峰值拉电流和灌电流分别为6.4A、7.6A。

【产品】600V单片高侧和低侧栅极驱动IC BS2114F，可通过自举操作驱动高速功率MOSFET和IGBT驱动器

ROHM推出的BS2114F是一款单片高侧和低侧栅极驱动IC，可通过自举操作驱动高速功率MOSFET和IGBT驱动器。 浮动通道可用于驱动高端配置的N沟道功率MOSFET或IGBT，工作电压高达600V。 逻辑输入可以使用3.3V和5.0V。 当VCC和VBS低于指定的阈值电压时，欠压锁定（UVLO）电路可防止发生故障。