【产品】漏源导通电阻≤120mΩ的N沟道MOSFET DH060NG，漏源电压为100V，持续漏极电流为30A
DH060NG是杜因特推出的一款采用了先进的沟槽技术和设计的N沟道MOSFET，具有低栅极电荷和出色的RDS(ON)特性。其漏源电压为100V，持续漏极电流为30A（Tc=25℃）。当VGS=10V，ID=10A时，漏源导通电阻最大值为120mΩ。在热性能方面，结到壳的热阻最大值为2.27℃/W。DH060NG采用TO-252封装形式，可用于多种应用中。
DH060NG的特性：
1）VDS=100V，ID=30A，RDS(ON)≤120mΩ@VGS=10V
2）低栅极电荷
3）环保设备可用
4）采用高单元密度沟槽技术，具有出色的RDS(ON)特性
5）采用先进的封装形式，可提供良好的散热性能
DH060NG的最大额定值参数（Tc=25℃，除非特别说明）：
note1：L=0.5mH, IAS=30A, VDD=50V, RG=25Ω, TJ =25°C开始
DH060NG的订购信息：
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