【产品】漏极-源极电压100V的N沟道高压MOSFET HMN10H220L，适合中小型功率使用

时间： 2021-12-14 来源：合科泰电子

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HMN10H220L是合科泰电子公司提供的一种N沟道高电压MOSFET，用于直流100V的电压场合，它的漏极-源极电压V_DSS最高为100V，漏极持续电流I_D为1.6A，采用SOT-23封装，适合中小型功率使用。

特点

* 低导通电阻：V_DS=100V，R_DS(ON)=220mΩ@V_GS=10V，I_D=1.6A

* 低输入电容

* 高开关速度

* 较低的输入/输出漏感

* 表贴器件

机械数据

* 封装：SOT-23

* 外壳材料：模制塑料，UL可燃性

* 级别：94V-0

* 湿度敏感性：根据J-STD-020标准，为1级

* 重量：0.008g（大约值）

最大数值（T_A=25°C 除非另有说明）

* 漏极-源极电压V_DSS为100V

* 门极电压V_GS为±16V

* 持续漏极电流I_D为1.6A

* 功耗P_D为1.3W

* 结壳热阻θ_jc最大为177℃/W

* 储存温度范围为-55°C~+150°C

电气特性（T_A=25°C 除非另有说明）

* 门极电阻R_g为2.1Ω（V_DS=0V,V_GS=0V,f=1MHZ）

* 漏极击穿电压V_(BR)DSS为100V（V_GS=0,I_D=250uA）

* 总的栅极电荷Q_g为4.1nC（V_DD=50V,V_GS=4.5V,I_D=1.6A）

* 零门极电压漏电流I_DSS为1uA（V_DS=100V,V_GS=0V）

* 门极-源极漏电流I_GSS最大为±100nA（V_DS=0V,V_GS=±16V）

* 导通延迟时间t_d（on)典型值为6.8ns，上升时间t_r典型值为8.2ns，关断延迟时间t_d（off)典型值为7.9ns，下降时间t_f典型值为3.6ns

（V_DS=50V，V_GS=4.5V，R_GEN=6.8Ω，I_D=1A）

* 输入电容C_iss为401pF，输出电容C_oss为22pF，反向传输电容C_rss为17pF（V_DS=25V,V_GS=0V,f=1MHZ）

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目录- 公司简介半导体生产流程及设备电阻生产流程及设备质控系统及检测设备智能仓储保护器件产品介绍保护器件产品热销型号

型号- 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