【产品】漏极-源极电压100V的N沟道高压MOSFET HMN10H220L，适合中小型功率使用
HMN10H220L是合科泰电子公司提供的一种N沟道高电压MOSFET，用于直流100V的电压场合，它的漏极-源极电压VDSS最高为100V，漏极持续电流ID为1.6A，采用SOT-23封装，适合中小型功率使用。
特点
* 低导通电阻：VDS=100V，RDS(ON)=220mΩ@VGS=10V，ID=1.6A
* 低输入电容
* 高开关速度
* 较低的输入/输出漏感
* 表贴器件
机械数据
* 封装：SOT-23
* 外壳材料：模制塑料，UL可燃性
* 级别：94V-0
* 湿度敏感性：根据J-STD-020标准，为1级
* 重量：0.008g（大约值）
最大数值（TA=25°C 除非另有说明）
* 漏极-源极电压VDSS为100V
* 门极电压VGS为±16V
* 持续漏极电流ID为1.6A
* 功耗PD为1.3W
* 结壳热阻θjc最大为177℃/W
* 储存温度范围为-55°C~+150°C
电气特性（TA=25°C 除非另有说明）
* 门极电阻Rg为2.1Ω（VDS=0V,VGS=0V,f=1MHZ）
* 漏极击穿电压V(BR)DSS为100V（VGS=0,ID=250uA）
* 总的栅极电荷Qg为4.1nC（VDD=50V,VGS=4.5V,ID=1.6A）
* 零门极电压漏电流IDSS为1uA（VDS=100V,VGS=0V）
* 门极-源极漏电流IGSS最大为±100nA（VDS=0V,VGS=±16V）
* 导通延迟时间td（on)典型值为6.8ns，上升时间tr典型值为8.2ns，关断延迟时间td（off)典型值为7.9ns，下降时间tf典型值为3.6ns
（VDS=50V，VGS=4.5V，RGEN=6.8Ω，ID=1A）
* 输入电容Ciss为401pF，输出电容Coss为22pF，反向传输电容Crss为17pF（VDS=25V,VGS=0V,f=1MHZ）
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
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合科泰电子NPN晶体管选型表
合科泰电子提供以下参数选型：集电极基极电压VCBO(V)：20~900V、集电极-发射极电压VCEO(V)：12~800V、集电极电流Ic(mA)：20~6000mA、放大倍数（最小）HFE（MIN）：10~10K、放大倍数（最大）HFE（MAX）：40~3200、耗散功率PD(mW)：100~2000mW等
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产品型号
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品类
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封装形式
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沟道类型
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集电极基极电压VCBO(V)
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集电极-发射极电压VCEO(V)
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发射极-基极电压VEBO(V)
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集电极电流Ic(mA)
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放大倍数（最小）HFE（MIN）
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放大倍数（最大）HFE（MAX）
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耗散功率PD(mW)
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2SC1162
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NPN晶体管
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TO-126
|
NPN
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35
|
35
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5
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2500
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60
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320
|
750
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选型表 - 合科泰电子 立即选型
深圳市合科泰电子有限公司专业分立器件制造商
型号- MB2XS,HKTD120N04,HKTE120N10,GBPC35X,HKTT350N10,MM1Z XXL,HKTQ150N03,HKTG50N03,ABS210,BZT52CXXS系列,HKTE120N15,HKTG48N10,BZT52CXX,AO34XX,KBPC15X,BZT52CXX系列,MBXS,2N7002KT,MM1Z XX,GBU4X,2N7002K,HKTD5N20,GBP2X,HKTQ60N02,HKTD4N50,HKTG120N04,HKTD20N06,HKTT350N08,BZX84CXXW系列,SMBJXXXCA,AO43XX,HKTD5N50,6206系列,1117系列,DB30XS,BZX84CXX系列,HKT4054,HKT4056,HKTE110N20,SMAJXXXA,HKTD2N60,HKTE130N12,HKTQ80N03,HKTG90N03,HT73系列,ABS10,HT75系列,BSS138W,GBPC25X,SMBJXXXA,HT71系列,HT71,2SK3018W,HT73,SMAJXXXCA,HT75,HKTQ2317,HKTD50N03,GBU35X,BZX84CXXW,BZX84CXX,1117,HKTG40C40,MM1Z XX系列,DB20XS,6206,HKTD7N65,HKTQ40N40,GBJ50X,BZT52CXXS,MM1Z XXL系列,GBJ10X,SI23XX,HKTG150N03,SMCJXXXA,AO46XX,HKTD70N04,HKTE100N10,AO9926A,AO48XX,HKTD15N10,HKTE180N08,AO88XX,SMCJXXXCA,HKTD80N06,DW01,HKTQ30N03,HKTQ30P03,FL8205,HKTD4N65,DB10XS,HKTD80N03,HKTQ65N03
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产品型号
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品类
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封装形式
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沟道类型
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集电极基极电压VCBO(V)
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集电极-发射极电压VCEO(V)
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发射极-基极电压VEBO(V)
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集电极电流Ic(mA)
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放大倍数（最小）HFE（MIN）
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放大倍数（最大）HFE（MAX）
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耗散功率PD(mW)
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2SA1015
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PNP晶体管
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SOT-23
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PNP
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-50
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-50
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-5
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-150
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130
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400
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200
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选型表 - 合科泰电子 立即选型
【经验】测量整流桥堆好坏的七个步骤
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设计经验 发布时间 : 2023-10-02
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合科泰电子 P沟道MOSFET选型表
合科泰电子提供P沟道MOSFET以下参数选型，漏源电压-60V~-8V，连续漏极电流-60A~-0.13A
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产品型号
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品类
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封装形式
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沟道类型
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漏源电压 VDS(V)
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栅源电压 VGS±(V)
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连续漏极电流 ID(A)
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漏源导通电阻 RDS(ON)(Ω)
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栅极阈值电压(最小) VGS(th)(V)
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棚极阈值电压(最大) VGS(th)(V)
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耗散功率 PD(mW)
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9435
|
P沟道MOSFET
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S0P-8
|
p
|
-30
|
-20
|
-5
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0.053
|
-1
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-3
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2500
|
选型表 - 合科泰电子 立即选型
电子商城
服务
测试1.2/50us-8/20us组合波，10/700us-5/320us组合波，8/20us单波。能够模拟雷电瞬变引起的浪涌冲击抗干扰测试，最高电压达20KV，电流达20KA。点击预约，支持到场/视频直播测试，资深专家全程指导。
实验室地址： 深圳/上海 提交需求>
可根据用户的MOSFET管进行参数检测出具报告，静态参数最大电压:7500V、检测最大电流6000A；动态参数最大电压:3300V、检测最大电流:4500A。该测试标准满足GB、IEC及行业标准等，具备可靠性评估及老化实验能力。
实验室地址： 西安 提交需求>
授权代理品牌：集成电路
授权代理品牌：分立元件
授权代理品牌：接插件及结构件
授权代理品牌：部件、组件及配件
授权代理品牌：电源及模块
授权代理品牌：电子材料
授权代理品牌：仪器仪表及测试配组件
授权代理品牌：电工工具及材料
授权代理品牌：机械电子元件
授权代理品牌：加工与定制
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