【产品】漏极-源极电压100V的N沟道高压MOSFET HMN10H220L，适合中小型功率使用
HMN10H220L是合科泰电子公司提供的一种N沟道高电压MOSFET，用于直流100V的电压场合，它的漏极-源极电压VDSS最高为100V，漏极持续电流ID为1.6A，采用SOT-23封装，适合中小型功率使用。
特点
* 低导通电阻：VDS=100V，RDS(ON)=220mΩ@VGS=10V，ID=1.6A
* 低输入电容
* 高开关速度
* 较低的输入/输出漏感
* 表贴器件
机械数据
* 封装：SOT-23
* 外壳材料：模制塑料，UL可燃性
* 级别：94V-0
* 湿度敏感性：根据J-STD-020标准，为1级
* 重量：0.008g（大约值）
最大数值（TA=25°C 除非另有说明）
* 漏极-源极电压VDSS为100V
* 门极电压VGS为±16V
* 持续漏极电流ID为1.6A
* 功耗PD为1.3W
* 结壳热阻θjc最大为177℃/W
* 储存温度范围为-55°C~+150°C
电气特性（TA=25°C 除非另有说明）
* 门极电阻Rg为2.1Ω（VDS=0V,VGS=0V,f=1MHZ）
* 漏极击穿电压V(BR)DSS为100V（VGS=0,ID=250uA）
* 总的栅极电荷Qg为4.1nC（VDD=50V,VGS=4.5V,ID=1.6A）
* 零门极电压漏电流IDSS为1uA（VDS=100V,VGS=0V）
* 门极-源极漏电流IGSS最大为±100nA（VDS=0V,VGS=±16V）
* 导通延迟时间td（on)典型值为6.8ns，上升时间tr典型值为8.2ns，关断延迟时间td（off)典型值为7.9ns，下降时间tf典型值为3.6ns
（VDS=50V，VGS=4.5V，RGEN=6.8Ω，ID=1A）
* 输入电容Ciss为401pF，输出电容Coss为22pF，反向传输电容Crss为17pF（VDS=25V,VGS=0V,f=1MHZ）
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产品型号
|
品类
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封装形式
|
沟道类型
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集电极基极电压VCBO(V)
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集电极-发射极电压VCEO(V)
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发射极-基极电压VEBO(V)
|
集电极电流Ic(mA)
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放大倍数（最小）HFE（MIN）
|
放大倍数（最大）HFE（MAX）
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耗散功率PD(mW)
|
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2SC1162
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NPN晶体管
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TO-126
|
NPN
|
35
|
35
|
5
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2500
|
60
|
320
|
750
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选型表 - 合科泰电子 立即选型
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产品型号
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品类
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封装形式
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沟道类型
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漏源电压 VDS(V)
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栅源电压 VGS±(V)
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连续漏极电流 ID(A)
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漏源导通电阻 RDS(ON)(Ω)
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栅极阈值电压(最小) VGS(th)(V)
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棚极阈值电压(最大) VGS(th)(V)
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耗散功率 PD(mW)
|
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9435
|
P沟道MOSFET
|
S0P-8
|
p
|
-30
|
-20
|
-5
|
0.053
|
-1
|
-3
|
2500
|
选型表 - 合科泰电子 立即选型
电子商城
服务
测试1.2/50us-8/20us组合波，10/700us-5/320us组合波，8/20us单波。能够模拟雷电瞬变引起的浪涌冲击抗干扰测试，最高电压达20KV，电流达20KA。点击预约，支持到场/视频直播测试，资深专家全程指导。
实验室地址： 深圳/上海 提交需求>
可根据用户的MOSFET管进行参数检测出具报告，静态参数最大电压:7500V、检测最大电流6000A；动态参数最大电压:3300V、检测最大电流:4500A。该测试标准满足GB、IEC及行业标准等，具备可靠性评估及老化实验能力。
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授权代理品牌：集成电路
授权代理品牌：分立元件
授权代理品牌：接插件及结构件
授权代理品牌：部件、组件及配件
授权代理品牌：电源及模块
授权代理品牌：电子材料
授权代理品牌：仪器仪表及测试配组件
授权代理品牌：电工工具及材料
授权代理品牌：机械电子元件
授权代理品牌：加工与定制
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