【产品】低功耗单极性双输出霍尔感应传感器IC AS1829A,工作电压2.2V~5.0V
AS1829A是昂赛微电子采用CMOS工艺制程设计的低功耗、高性能单极检测双输出霍尔效应感应芯片,适用于盖子开关、非接触开关、固态开关、盖闭式传感器等电池应用。此霍尔芯片集成了一个用于磁场感知的片上霍尔电压发生器,一个用于放大霍尔电压的比较器,斩波放大器,为噪声抑制提供开关滞后的施密特触发器,以及两个互补输出。
在3.6V的电源电压下,AS1829A的总功耗通常小于3.0μA。AS1829A设计为响应北极和南极的交替变化。当磁场密度(B)大于芯片感应点(BOP)时,输出变为低电平,输出将保持低电平的状态直到磁场密度(B)低于芯片释放点(BRP)时,转为高电平。
此器件提供DFN1014-4L封装,工作温度范围为-40℃到+85℃,封装符合RoHS和绿色标准。
特点
工作电压范围:2.2V到5.0V
微功耗,电池电源的理想应用
单极工作,双输出
高灵敏度霍尔传感器
低功率CMOS工艺技术
斩波稳定的放大器
磁灵敏度(典型值)
BOPS=33高斯,BRPS=20高斯,BOPN=-33高斯,BRPN=-20高斯
良好的射频抗干扰
不需要上拉电阻
小尺寸方案
符合RoHS和绿色规范
DFN1014-4L封装
工作温度范围:-40℃到+85℃
应用
翻盖手机的盖板开关
笔记本电脑,PC/PAD的翻盖开关
消费品中的非接触开关
固态开关
无线手机的语音开关
电池供电设备的盖合传感器
在低占空比应用中作为磁接近开关替代簧片开关
DV,DSC,和白色家电
订购信息
标识与引脚定义
典型应用电路
图1、AS1829A的典型应用电路
功能框图
图2、AS1829A的功能框图
绝对极限参数(无特别说明,TA=25℃)
推荐的工作条件
注:1:超过绝对最大额定值的应力可能会对设备造成永久性损坏。不包括在指定工作条件以外的条件下的功能操作。在任何时间只能应用一个绝对最大额定值。
2: 该设备不能保证在其工作条件外还能正常工作。
电气特性
(无特别说明,TA = -40 to +85℃, 典型值是 TA = +25℃, VDD = 3.6V)
图3、AS1829A的磁性工作特性
功能描述
微功耗运行
内部定时电路激活传感器100μs,并在剩余时间(50ms)内使其失效。一个短的“唤醒”时间保证传感器采样和数据锁定之前的稳定,数据在定时脉冲即将下降时锁定。在“休眠”期间的输出被锁定在最后一个采样状态下。电源电流不受输出状态的影响。
斩波稳定技术
霍尔元件可以被认为是一个类似于惠斯通桥的电阻阵列。很大一部分的偏移量是由于这些电阻的不匹配造成的。这些设备使用专有的动态偏移抵消技术,用一个内部高频时钟来减少霍尔元件的剩余偏移电压,这通常是由设备过度成型、温度依赖性和热应力引起的。斩波稳定技术通过使用CMOS开关和霍尔电压测量分接点改变流过霍尔板的电流方向来消除电阻电路的不匹配,同时保持由外部磁通量引起的霍尔电压信号。然后,该信号被一个采样保持电路捕获,并使用低偏移双极电路进行进一步处理。该技术产生的器件具有非常稳定的静止霍尔输出电压,不受热应力影响,并在温度循环后可精确恢复。采用相对较高的采样频率来处理更快的信号。
磁场检测机制
霍尔IC不能检测到与封装顶层水平的磁场。一定要布置霍尔IC使磁场垂直于其顶层。
运行
当垂直于霍尔传感器的磁场超过操作点BOPS(或小于BOPN)时,该器件的输出切换为低(打开)。打开后,输出可承受达1mA的灌电流,输出电压为VOUT(ON)。当磁场降低到释放点BRPS以下(或增加到BRPN以上)时,器件输出切换为高(关闭)。磁工作点和释放点之间的差异即器件的磁迟滞(Bhys)。这种内置的迟滞允许即使存在外部机械抖动和电气噪声时,也能够干净地切换输出。
应用程序
AS1829A的磁极无关传感技术允许单独以北极或南极磁铁方向进行操作,提高了该设备的可制造性。先进的技术为任何一极点面提供相同的输出极性。
C1有两个作用:最小化输入电压的纹波,以及增强对近距离射频传输噪声的抗扰力。推荐值在0.1uF和1uF之间。电容越大,AS1829A的抗噪性越好。
强烈建议在设备的电源和接地之间连接一个外部旁路电容(靠近霍尔传感器),以减少外部噪声和斩波稳定技术产生的噪声。由于电池电源具有相对较高的阻抗,这使得这一点尤其实用。应用该器件最简单的磁铁形状是一个条形磁铁,让它任何一极靠近器件的标识面即可。
封装信息
编带和卷轴信息
*所有尺寸均为标准尺寸
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 0
本文由嘟嘟鱼翻译自昂赛微电子,版权归世强硬创平台所有,非经授权,任何媒体、网站或个人不得转载,授权转载时须注明“来源:世强硬创平台”。
相关推荐
【产品】国产锁存检测高性能霍尔效应传感器IC AS1940,采用bipolar工艺,适用于速度测量
昂赛微电子锁存检测高性能霍尔效应传感器IC AS1940 采用bipolar工艺,专为锁存检测型高性能霍尔效应的应用而设计,例如家用电器、转子位置感应、无刷直流电机等。
产品 发布时间 : 2022-07-23
【IC】昂赛微电子AS1509 3D线性数字霍尔芯片,独特三轴磁感应技术,为折叠设备提供极致的角度感知能力
在可折叠设备的创新浪潮中,精确的角度检测是实现流畅用户体验的关键。昂赛微电子推出的AS1509 3D霍尔传感器IC,以其独特的三轴磁感应技术,为折叠设备提供了无与伦比的角度感知能力。
产品 发布时间 : 2024-04-04
【产品】采用低功耗CMOS工艺的霍尔效应传感器IC-AD1918,输入电压1.65V~5.5V
昂赛微电子推出采用低功耗CMOS工艺的AD1918系列霍尔效应传感器IC,专为低功耗,高性能的单极性检测霍尔效应应用而设计,例如带盖开关,无接触开关,固态开关以及盖子(Lid)关闭传感器等电池供电应用领域。
产品 发布时间 : 2022-07-06
ROHM(罗姆)传感器产品选型指南(英文)
目录- Company Profile Motion Sensors Environment Sensors Interface Wireless Communication Sensor Control Evaluation Kits R&D Sensors Thin-Film Piezoelectric MEMS Service Package
型号- BU52492NUZ,BH1790GLC,BU52274NUZ,BU52040HFV,WQFN32,WSOF5,WQFN40,WSOF6,RLD82PZJ1,SIR-568ST3F,RPMD-0100,TCM 310,ML7396D,RPT-38PB3F,ML7396A,RLD94PZJ5,BU21170 MUV,BU52074GWZ,BU21180FS,RLD94PZJ7,SOP16,RPR-0521RS,USB 400J,RPI- 441C1E,STM 431J,KXG07,ECO 200,BH1900NUX,KXG08,BU52073GWZ,BU21077MUV,BU21029MUV,VQFN028V5050,KX022-1020,BP35A1,BM1386GLV,BP35C2,BM1383AGLV,KX122-1037.KX122-1037,BP35C0,VQFN024V4040,SIM-22ST,BU21025GUL,PTM 330,BH1620FVC,ML7404,ML7406,PTM 210,BH1682FVC,WSON008X2120,RLD85PZJ4,WLGA010V28,ML7416N,BU52075GWZ,BDJXXX0HFV,BU52098GWZ,RPI-441C1,BH1726NUC,RPI-0352E,BD9251FV,BH1749NUC,BU21170MUV,BD1020HFV,BU52493NUZ,RPI-222,SSOP5,VSON008X2030,KX122-1037,RPI-221,RLD85NZJ4,PTM 210J,SSON004X1216,BU52494NUZ,1053KX222,ML630Q464,RLD84NZJ2,ML630Q466,KMX62-1031,BU52092GWZ,RPT-34PB3F,KX123-6000,BH1721FVC,ML7066,BU21079F,K X112-10 42,KX224-1053,BU52097GWZ,RPI-441C1E,KX126-1063,BH1792GLC,PTM 430J,BU52273NUZ,RLD84PZJ2,RPR- 0521RS,STM 429J,ML610Q793,STM 300,ML620Q503H,BU21027MUV,TCM 410J,ML7344J,ML7344C,BU21023GUL,BH1680FVC,KX222,BM1422AGMV,MK71251-02,MK71251-01,SIM-030ST,BP3580,KX112-1042,ML620Q504H,BH1730FVC,BU52054GWZ,MK71050-03,BP359B,ML7345D,ML7345C,BP3599,SIR-34ST3F,RPI-352,BP3595,BGA81,KXTC9,RPT-37PB3F,BP3591,BU52272NUZ,BU52792GWZ,SIM-040ST,KX126 -1063,ML630Q791,VCSP50L,SIR-563ST3F,BH1603FVC,RLD94NZJ7,RLD94NZJ5,RPI-125,RPI-246,RPI-121,USB 300,C-QFN24,RPI-122,RPI-243,BU21028FV-M,RPM-22PB,SIR-341ST3F,BU21026MUV,KX222-1054,SSOP-B20,VQFN020V4040,SSOP-B28,SIR-56ST3F,BU21023MUV,BU52078GWZ,UCSP35L,HVSOF5,ML62Q1000,KX124-1051,SSOP-B14,KXCJB-1041,KXTJ3-1057,BD7411G,BU52095GWZ,BU21072MUV,K X TJ3 -10 57,BU52177GXZ,BU21078FV,KXG03,KXG07-1080,BU21024FV-M,RPI-0226,ML610Q794G,MK71251-02B,MK71251-02A,RPI- 441C1,BU52077GWZ,VQFN48,ML7345,STM 320,RLD82NZJ1,HSM 100,BU52055GWZ,BU21029GUL,RPM-20PB,STM 400J,BU52072GWZ,SIM-20ST,KX123,KX122,BU21078MUV,RPI-0125,STM 331,ML8540
AS1821 Dual Outputs for both S and N-pole Low Power Hall-Effect Sensor IC Datasheet
型号- AS1821D1RN,AS1821WRN,AS1821DRN,AS1821STRY,AS1821DRY,AS1821XXX,AS1821,AS1821D1RY,AS1821WRY,AS1821STRN
昂赛微电子(ANGSEMI)传感器和模拟集成电路选型指南
描述- 昂赛微电子的集成电路产品专注于解决系统设备设计中的挑战,产品包括:磁传感器、开关充电器、LED驱动、DC-DC、LED智能照明、速度和运动传感器、工业控制和汽车电子等。我们专注于关键的战略市场,结合自有的超低功耗技术,提供客户最优的产品, 特别是轻便和可穿戴市场。
型号- AS1243,AS1242,AS1280Q0,AS3540,AS1690S,AS1245,AS1801,AS1800,AS1920,AS1805,AS1925,AS1924,AS1803,AS1919,AS1918,AS1280QA,AS1280QC,AS1280QB,AS1280QE,AS1894OD,AS1280QD,AS1691,AS5285,AS1240,AS5950Q,AS12200,AS5284,AS1255,AS1254,AS1253,AS1252,AS1259,AS1930,AS3551,AS1257,AS1256,AS1813,AS1812,AS1933,AS1811,AS1932,AS1810,AS1809,AS5296,AS5970,AS1251,AS1250,AS1820,AS1940,AS1703,AS1702,AS1270QE,AS1701,AS5210A,AS1822,AS1821,AS1700,AS5210C,AS5210B,AS5210E,AS1826,AS1704,AS5210D,AS101A,AS1818,AS1893OD,AS9786,AS9784,AS5980,AS9783,AS1714,AS1805OD,AS1958,AS2803,AS102A,AS1632S,AS1200,AS1321,AS1320,AS1829A,AS1510A,AS1631A,AS9961,AS1631S,AS1452,AS1699,AS6588,AS1698,AS6587,AS1576,AS1697,AS1455,AS1454,AS1206B,AS1206A,AS1206D,AS1206C,AS9150A,AS1800OD,AS6585,AS1570,AS1690,AS1827A,AS5282B,AS5282A,AS3644,AS1190OD,AS5282D,AS3645,AS5282C,AS38XX,AS1640S,AS5282E,AS6114,AS6116,AS5940,AS3647,AS1912N,AS6111,AS6113,AS1641S,AS6591,AS5950,AS9757,AS9756,AS1826A,AS1912,AS1216A,AS1911,AS1216C,AS1910,AS1216B,AS1916,AS1216E,AS1216D,AS1216G,AS1216F,AS1216I,AS1216H,AS9752,AS9751,AS9750,AS1676R,AS1640,AS5206,AS5205,AS5208,AS5207,AS1801A,AS1644,AS5202,AS1886,AS1643,AS5201,AS6532,AS1642,AS1521,AS5204,AS9129,AS1641,AS1520,AS5203,AS108A,AS1889,AS1888,AS1801B,AS1887,AS5209,AS5990Q,AS9125,AS5200,AS1890OD,AS9123,AS9122,AS1675R,AS1772,AS5217,AS5338,AS1893,AS1771,AS5216,AS5337,AS1891,AS1770,AS5219,AS5218,AS1890,AS1897,AS1776,AS5334,AS1896,AS1654,AS1775,AS5333,AS1774,AS5215,AS5336,AS1895,AS1773,AS5214,AS5335,AS3717,AS1658,AS3718,AS1899,AS1226B,AS1898,AS1656,AS1777,AS1226A,AS1812B,AS1226D,AS1226C,AS1226E,AS3646B,AS6541,AS9134,AS9133,AS9132,AS1783,AS1782,AS1781,AS1780,AS1787,AS1786,AS9702,AS1820AOD,AS1785,AS9701,AS1784,AS9700,AS1425,AS12260,AS5220,AS1794,AS1793,AS1671,AS1671R,AS1791,AS1670,AS1435,AS1797,AS1676,AS1796,AS1675,AS1795,AS1810A,AS1200B,AS1200A,AS1200D,AS1200C,AS9151,AS9150,AS3644A,AS1890A,AS9710,AS1670R,AS1287,AS1286,AS1694S,AS1285,AS1600,AS1801A0D,AS1604,AS1603,AS1821A,AS1602,AS1601,AS1833A,AS2813,AS1821S,AS1603S,AS1284,AS1162,AS1970,AS1693S,AS1853,AS8801,AS1972,AS116X,AS1820B,AS1820A,AS1210A,AS1210C,AS1210B,AS1210E,AS1210D,AS1210G,AS1270QB,AS1210F,AS1270QA,AS1270QD,AS1210I,AS1210H,AS1270QC,AS1290,AS1172,AS1292,AS1692S,AS5307,AS5306,AS1622,AS9901,AS5300,AS9900,AS1620,AS9107,AS9131A,AS1509,AS5308,AS1506,AS1572G,AS1260QA,AS1260QB,AS1260QC,AS9105,AS9103,AS9102,AS5960Q,AS1183,AS1182,AS3480,AS1511,AS1632,AS1631,AS1510,AS9117,AS1516,AS1879,AS1260QD,AS1515,AS1878,AS1636,AS1877,AS1876,AS1634,AS1803OD,AS1518,AS1638,AS1220B,AS1220A,AS1220D,AS300H,AS1220C,AS1220E,AS300B,AS1192,AS9115,AS1190,AS9113,AS9112,AS6585C,AS6585B,AS1193
一图读懂灿瑞科技2023年报及2024第一季度报
灿瑞科技作为国内智能传感器、模拟及数模混合集成电路的领先供应商,自2022年成功上市以来,翻开了企业发展的新篇章。2023芯片产品总销量达到历史新高18.27亿颗,同比增长18.44%。本文介绍灿瑞科技2023年报及2024一季报。
原厂动态 发布时间 : 2024-06-20
AS1805 High Performance Hall-Effect Sensor IC Datasheet
型号- AS1805WRY,AS1805S5RY,AS1805WRN,AS1805XXX,AS1805S5RN,AS1805
AS1895 Omnipolar Detection High Performance Low Power Hall-Effect Sensor IC
型号- AS1895STRN,AS1895WRN,AS1895S2RN,AS1895,AS1895TWRN,AS1895D4RN,AS1895MBN,AS1895D3RN,AS1895XXX
AS1644 Latch Detection High Performance Hall-Effect Sensor IC Datasheet
型号- AS1644MBY,AS1644,AS1644WRY,AS1644XXX
AS1918 Unipolar Detection High Performance Low Power Hall-Effect Sensor IC
型号- AS1918,AS1918STRN,AS1918XXX,AS1918STRY,AS1918WRN,AS1918S2RN,AS1918MBY,AS1918WRY,AS1918DRN,AS1918MBN,AS1918S2RY,AS1918DRY
昂赛微电子(ANGSEMI)LDO选型指南
目录- LDO
型号- AS9106,AS9152,AS9151,AS9105,AS9116,AS9115,AS9104,AS9103,AS9114,AS9113,AS9134,AS9133,AS9132
电子商城
服务
可定制烧结NdFeB磁铁的剩磁最高1.45T,易加工成各种尺寸。充磁方向:径向充磁、轴向充磁、辐射充磁等;镀层:Zn、Sn、Ni、电泳等,最高工作温度220℃。
最小起订量: 1 提交需求>
支持定制透气膜的宽度,ePTFE材质,耐温范围-40℃-260℃,防水等级IP67/IP68,具有疏水性(拒水性)和不粘性。
最小起订量: 1 提交需求>
登录 | 立即注册
提交评论