【应用】荣湃推出基于隔离驱动π8233的光伏逆变解决方案,提高系统安全性,减少干扰

2022-01-05 荣湃半导体
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近年来,随着国家双碳目标的提出,国家发改委在《光伏发电“十四五”规划畅想》中指出,未来30年光伏装机平均将达到50GW。那么按此计算,整个“十四五”期间,光伏新增装机将达到2.5亿千瓦,总装机累计或将达到5亿千瓦。


与常用的发电系统相比,太阳能光伏发电有更多有点,太阳能发电被称为最理想的新能源。

①无枯竭危险;

②安全可靠,无噪声,无污染排放外,绝对干净(无公害);

③不受资源分布地域的限制,可利用建筑屋面的优势;

④无需消耗燃料和架设输电线路即可就地发电供电;

⑤能源质量高;

⑥使用者从感情上容易接受;

⑦建设周期短,获取能源花费的时间短。


基于国家相关政策,以及光伏发电的优点,荣湃半导体推出基于隔离驱动π8233的光伏逆变解决方案。如下是典型光伏DC-AC结构简图,通过荣湃推出的隔离驱动π8233给桥臂上MOS管提供驱动,可以提高系统安全性,减少干扰。

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型号- Π120S60R,PAI8253E-WR,PAI8232C-WR,Π131E31S,PAI120E60-W5R,PAI122E60-W5R,PAI8253C-S1R,Π141M31,Π131E30S,Π141M30,Π140M61,Π131U31S,Π140M60,Π163M60,Π163M61,Π140A30S,Π141E31,Π141E30,Π140E60,Π163E60,Π163E61,Π120S61R,PAI8300-W5R,Π131A61,Π163U60,Π131A60,Π131M60R,Π163U61,Π221N61,PAI8233E-WR,Π121A31,Π121A30,Π120A61,PAI8211C-SR,PAI8233E-S1R,Π120A60,Π120A31,PAI85137-SR,Π161A60,Π140U31,Π140U30,PAI8211C-W5R,Π142U30S,PAI85236-SR,PAI8252C-WR,PAI85237-PT,Π121U61R,Π161A61,PAI8232D-S1R,Π120A30,Π142A60,Π142A61,Π162A30,Π162A31,PAI8253D-WR,Π122M60,Π122M61,PAI8252B-S1R,Π142E31S,Π122U60,Π131U30S,PAI8232B-WR,Π122U61,PAI8233B-S1R,Π140M31,Π140M30,Π142U31S,Π142E30S,Π121U60R,Π140E31,Π122E60,Π140E30,Π122E61,Π121E60R,Π130U31S,Π121E61,Π121M60,Π122E30,Π122E31,Π140E31S,Π131S61R,Π121M61,Π121U60,Π130A60,Π122M30,Π122M31,Π131A30,Π130A61,Π121S61R,Π131A31,PAI8252D-S1R,Π160E31,Π160M30,Π131A30S,Π130E31S,Π121E60,Π160E30,PAI120E61-W5R,Π142A31,Π141A61,PAI8558EQ-W2R,Π141A60,Π162A60,Π160U31,Π162A61,Π140E30S,PAI8232D-WR,PAI8232C-S1R,Π160M31,Π160U30,PAI8171A-SR,Π121S60R,Π131A31S,Π121U61,PAI8252B-WR,Π122U30,Π122U31,Π163A30,Π163A31,Π142A30,Π141U30S,Π122E11,PAI8253C-WR,Π122E10,Π122M11,Π120M60R,Π131M61R,Π122M10,Π121U31,PAI8233C-S1R,Π121U30,Π220N61,Π120U61,Π120U60,Π221N31,Π110E31,Π110E30,Π141E30S,PAI8233D-WR,Π110M31,Π110M30,Π141U31S,Π130U30S,PAI85136-SR,Π120M61R,Π131S60R,Π130A31,Π142A30S,Π130A30,Π161M30,PAI85236-PT,Π161M31,Π141E31S,Π160M61,Π160M60,PAI8253D-S1R,Π130E30S,Π161E31,Π161E30,Π160E61,PAI85137-PT,Π160E60,Π130A30S,Π131M31S,Π131U61,Π140A61,Π131U60,Π140A60,Π163A60,Π163A61,Π161U30,Π161U31,PAI121E60-W5R,Π160U61,Π160U60,Π110E11,PAI8252A-WR,Π110E10,Π120E61R,PAI8233B-WR,Π142A31S,Π110M11,Π110M10,PAI8252C-S1R,PAI85136-PT,Π141A31,Π141A30,Π121E31,PAI8253A-S1R,Π121E30,Π130A31S,Π120E61,PAI8253B-WR,Π120E60,Π121M31,Π131U60R,Π121M30,Π120M61,H140E61,Π120M60,Π131E61,Π142U60,Π131E60,Π142U61,Π131M61,Π131M60,Π120E30,Π142E60,Π142E61,Π142M30S,Π120E31,Π120M30,Π142M60,Π142M61,Π120M31,Π140U30S,PAI8233D-S1R,Π161M61,Π162M30,Π162M31,Π161M60,Π161E60,Π121M61R,Π162E30,Π162E31,Π161E61,Π130U60,PAI8211A-W5R,Π131U30,Π130U61,Π131U31,Π141A30S,Π161U61,Π162U30,Π162U31,Π140U31S,PAI8253E-S1R,Π142M31S,Π131M30S,Π161U60,Π120U30,Π220N31,Π120U31,Π122A61,Π122A60,Π121M60R,PAI8211A-SR,PAI8233C-WR,Π140A30,PAI8232A-S1R,PAI8253A-WR,Π141A31S,Π120E11,Π120E10,Π140M31S,Π141U61,Π120M11,Π141U60,Π120M10,PAI8485-W1R,Π130E60,Π131E30,Π130E61,Π142U30,Π142U31,PAI8450-W1R,Π131E31,Π121A60,Π130M60,Π160A30,PAI8233F-WR,Π131M30,Π130M61,PAI122E61-W5R,Π121E61R,Π122A31,Π131M31,Π122A30,Π130M31S,PAI8253B-S1R,Π121A61,Π160A31,PAI121E61-W5R,Π142E30,Π142E31,PAI8253F-WR,PAI8233F-S1R,Π140M30S,Π142M30,Π142M31,PAI85237-SR,Π163M30,Π163M31,PAI8233A-WR,Π141M61,Π141M60,Π162M60,Π162M61,Π163E30,Π163E31,Π141E61,Π141E60,Π162E61,Π130U31,PAI8232A-WR,Π130U30,Π120U60R,Π163U31,Π163U30,Π110A30,Π110A31,Π131U61R,Π162U60,Π162U61,Π131E60R,Π141M30S,PAI8253F-S1R,Π120U61R,Π141U31,Π141U30,Π140U61,Π140U60,Π120E60R,Π131E61R,PAI8131A-SR,Π130E31,PAI8252D-WR,Π130E30,Π161A31,Π140A31S,Π161A30,Π160A61,PAI8233A-S1R,Π160A60,Π130M31,PAI8486-W1R,Π130M30,Π141M31S,PAI8252A-S1R,Π130M30S

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基本半导体(BASIC)碳化硅功率器件选型指南

描述- 深圳基本半导体有限公司是中国第三代半导体行业创新企业,专业从事碳化硅功率器件的研发与产业化。公司总部位于深圳,在北京、上海、无锡、香港以及日本名古屋设有研发中心和制造基地。公司拥有一支国际化的研发团队,核心成员包括二十余位来自清华大学、中国科学院、英国剑桥大学、德国亚琛工业大学、瑞士联邦理工学院等国内外知名高校及研究机构的博士。

型号- B2D05120E1,B2M1000170Z,B2M1000170R,BTD5350SBPR,BTL27523R,B2M080120Z,BMS600R12HLWC4_B01,B3D40120HC,B2D40065H1,BGH75N65HS1,BD2M040A120S1,B2M080120R,BGH75N65ZF1,B2D,B2D60120H1,BMS800R12HWC4_B02,BMS950R08HLWC4_B02,BTL27523B,B2M080120H,B2D16120HC1,B3D03120E,BGH40N120HS1,B2DM060065N1,BTD5350E,BTD5350SBWR,BTD5350EBPR,B3D系列,BTD21520M,BTL27524R,B2D30120H1,BTD21520E,BTD5350MBPR,BD2D20A120S1,BD2D40A120S1,B3D,BTL27524BR,BTL27524B,B2D02120K1,BTD21520S,BMF800R12FC4,BTL2752X,AB2M040120Z,BD2D10A065S1,B2M040120H,BTD25350MMCWR,BTD21520系列,BTD3011R,BTD21520MBWR,B2D10120E1,AB2M040120R,BTD5350SCPR,BMF240R12E2G3,BMF600R12FC4,BMS700R08HWC4_B01,BTD21520EBWR,B2D08065K1,B2M032120Y,BTD25350MECWR,BTD5350EBWR,B2D30120HC1,B2D40120HC1,BD2D04A065S1,B2D10065F1,B2M040120Z,B2M009120Y,BD2M065A120S1,BD2D02A120S1,BMF700R08FC4,B2D系列,B1D06065KS,B2D40120H1,B2M040120R,BMS950R08HWC4_B02,BGH50N65HS1,BGH50N65ZF1,B2D10065KF1,B2D04065E1,BTD5350,BTD5350SCWR,B3D40200H,BTD5350ECPR,BTD5350M,BTD5350MBWR,BTD21520MBPR,BTD5350S,B2D08065KS,BD2D30A120S1,BTD5350MCPR,B2D20065F1,BD2D08A120S1,B2M1000170H,BTL27523BR,BMS800R12HLWC4_B02,BD2D15A065S1,BD2D20A065S1,B2D20120H1,B2M160120Z,BTD25350MMBWR,B2D10120K1,BTD21520MAWR,B2D20065HC1,B2D30065HC1,BTD25350,B2M160120R,BTD21520EAWR,B2D40065HC1,BMS700R08HLWC4_B01,BTD5350ECWR,BTD25350MEBWR,B2D04065KF1,BGH75N65HF1,B2D10065KS,BTD21520EBPR,BMZ200R12TC4,BTD21520SBWR,B2D04065K1,B3D20120H,BMS600R12HWC4_B01,B2M160120H,BGH75N120HF1,B2M030120R,BD2D08A065S1,BTD25350系列,B2M011120HK,BTD21520SBPR,BTD3011R系列,BTD21520MAPR,B2M030120Z,B2M009120N,BTD5350MCWR,B2D06065K1,BTD5350系列,BMZ250R08TC4,B2M012120N,B3D50120H2,BTD25350MSCWR,BTL2752X系列,B2D20065H1,B2D10065E1,B2M030120H,BD2D30A065S1,B2D06065KF1,B2D05120K1,B2D02120E1,B2D06065E1,BMF950R08FC4,BD2D05A120S1,BGH50N65HF1,B2D20120F1,BD2D15A120S1,B2D20120HC1,B2D10120HC1,BTD21520EAPR,BTD25350ME,BTD21520SAWR,BTD21520,B2D20065K1,B2M018120Z,BTD25350MM,BTD25350MS,B2D16065HC1,AB2M080120R,B2D10120H1,B2M018120N,BD2D06A065S1,B2D30065H1,B2M065120Z,BTD21520SAPR,AB2M080120H,B2M065120R,B2M018120H,B2M065120H,BD2D10A120S1,BTL27523,B2D10065K1,AB2M080120Z,BTD25350MSBWR,B2M020120Y,BTL27524,B3D05120E,B2DM100120N1,BD2D40A065S1

2024/5/16  - 基本半导体  - 选型指南 代理服务 技术支持 批量订货

【IC】荣湃推出基于iDivider隔离技术的700V高低侧驱动器Pai8131/8171,可应用于高达700V母线电压系统

Pai8131/Pai8171是一款基于荣湃iDivider隔离技术的700V高低侧驱动器,能提供最大0.29A/0.6A的拉灌电流。Pai8131/Pai8171是MOSFET和IGBT的理想半桥驱动器,具有相关的高、低侧参考输出通道。逻辑输入兼容标准CMOS或TTL电压,低至3.3V逻辑,能应用于高达700V母线电压系统。

2023-07-12 -  新产品 代理服务 技术支持 批量订货

荣湃驱动器有很多系列,如何选择适合的产品系列?

荣湃驱动器系列产品有非隔离的半桥驱动器、电压输入型的单通道隔离驱动器、电流输入型的兼容光耦单通道隔离驱动器、支持死区控制的双通道隔离驱动器和具有智能保护功能的单通道智能隔离驱动器。 如果对成本敏感,可以采用非隔离的半桥驱动器Pai81XX系列。该器件可以兼容TTL和CMOS输入,并且具备很高的dv/dt。 电压输入型的单通道隔离驱动器Pai8211系列具有初级的保护功能——分离输出和米勒钳位,同时峰值驱动能力可达10A,适合推动SiC等第三代半导体器件。 电流输入型的单通道隔离驱动器Pai8201系列与主流6pin驱动光耦完全Pin对Pin兼容,可实现免改板替换,但不具备任何保护功能。 双通道隔离驱动Pai823X系列是一款高集成度的隔离驱动器,具有驱动器禁能和可编程死区保护功能,在高功率密度系统中具有较大优势。 单通道智能隔离驱动器可以实现退饱和检测、米勒钳位、故障软关断等保护功能,能够在新能源车电驱或变频器上使用。

2024-10-30 -  技术问答 代理服务 技术支持 批量订货

【IC】数明半导体SiLM5350隔离驱动器,SiC驱动优选方案稳定高效助力工业与汽车应用

为了让SiC器件在这些大功率、高电压、高开关速度的应用中发挥出全部的特性,其驱动器的选择也至关重要。数明半导体的SiLM5350作为一款单通道30V、10A带米勒钳位的隔离驱动器,具有强大的驱动能力,能够高效、稳定地驱动SiC(碳化硅)等新型半导体器件,确保功率器件在各种复杂环境下高效的运行。

2024-04-09 -  产品 代理服务 技术支持 批量订货

一文了解荣湃双通道隔离驱动器Pai8233X系列的应用设计指南

隔离栅极驱动器的应用场景较为复杂和多样,在一些高频、大功率和存在噪声的场景下,隔离栅极驱动器可能会出现误动作甚至导致器件损坏。同时,不合理的PCB布局和外围电路设计也可能会导致上述问题。因此,本文基于Pai8233X系列隔离栅极驱动器,从芯片的基本应用建议、芯片高压侧多路供电方案到栅极驱动器中输入窄脉冲的影响,讨论了芯片在应用过程中可能存在的风险,旨在给出适当建议缓解上述风险带来的不利影响。

2024-07-26 -  原厂动态 代理服务 技术支持 批量订货

如何选择数字隔离器额定传输速率 ?

荣湃数字隔离器有5档额定传输速率可供选择,分别为A(600Mbps);E(200Mbps);M(10Mbps);S(2Mbps);U(150Kbps)。对于通讯接口隔离(如RS232,RS485,SPI等)可根据通讯速率进行选择;对于低功率开关管隔离驱动的应用,由于上下桥之间、系统与系统之间要求每个通道之间的延时差异非常小,建议选择M类产品。

2024-10-30 -  技术问答

【IC】荣湃推出单通道智能隔离式栅极驱动器Pai8263系列产品,具备高达5700V RMS的隔离耐压能力

荣湃单通道智能隔离式栅极驱动器Pai8263系列产品,设计用于直流工作电压高达2121Vpk的IGBT,Si MOSFET和SiC MOSFET等功率晶体管,芯片内部集成多种保护,如供电欠压保护、退饱和过流保护、软关断、米勒钳位、故障报警等,能够在驱动功率器件的同时监控其工作状态,使其安全运行。适用于电机驱动、光伏逆变、开关电源、车载充电器和充电桩等领域。

2024-02-02 -  产品 代理服务 技术支持 批量订货
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品牌:荣湃半导体

品类:隔离驱动器

价格:¥4.3750

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品牌:无锡恒芯微

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品牌:无锡恒芯微

品类:LED非隔离驱动

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品牌:无锡恒芯微

品类:LED非隔离驱动

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品牌:无锡恒芯微

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品牌:无锡恒芯微

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品牌:数明半导体

品类:单通道隔离驱动器

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品牌:数明半导体

品类:单通道隔离驱动器

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品牌:无锡恒芯微

品类:LED非隔离驱动

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品牌:无锡恒芯微

品类:LED非隔离驱动

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品牌:纳芯微电子

品类:隔离单通道驱动器

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品牌:纳芯微电子

品类:隔离双通道驱动器

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品牌:纳芯微电子

品类:隔离单通道驱动器

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品牌:纳芯微电子

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品牌:纳芯微电子

品类:隔离双通道驱动器

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品牌:纳芯微电子

品类:隔离双通道驱动器

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品牌:纳芯微电子

品类:高可靠性隔离式双通道栅极驱动器

价格:¥9.4118

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品牌:纳芯微电子

品类:隔离双通道驱动器

价格:¥7.0000

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品牌:SKYWORKS

品类:ISOdriver

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波导隔离器定制

可定制波导隔离器频率覆盖5.5GHz~110GHz,插损损低至0.25dB、隔离度、正向方向功率、封装尺寸参数。

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晶体回路匹配测试

测试范围:扬兴晶振全系列晶体,通过对晶体回路匹配分析,调整频率、驱动功率和起振能力,解决频偏、不起振、干扰、频率错误等问题。技术专家免费分析,测完如有问题,会进一步晶振烧录/修改电路。

实验室地址: 深圳 提交需求>

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