【选型】无锡紫光微N-MOS TTJ12N04AT可完美替换VISHAY SI9410BDY，性能更优
为了提高整机效率，很多低压输出电源会采用同步整流技术，如图1。不少厂商一般会选择VISHAY的SI9410BDY作为同步整流MOS，但随着国产化和降成本需求日益增多，急需一款国产高性能MOS进行替换。本文从电性能参数、封装等方面推荐无锡紫光微(UNIGROUP)常用N-MOS型号TTJ12N04AT 可pin-pin替换SI9410BDY。图2为两者参数对比。
图1：同步整流电路
图2：TTJ12N04AT与SI9410BDY参数对比
通过上表可知，
1、 紫光微TTJ12N04AT的Vds 为40V, Id为12A，相比SI9410BDY，在应用于电源次级低压输出时，高耐压和大电流给MOS预留充足的降额余量，防止应力超标造成MOS失效；
2、 紫光微TTJ12N04AT的Rds(on)小于10mΩ，导通损耗更低，发热少，有利于提升电源整机效率；
3、 TTJ12N04AT和SI9410BDY都有着相同的Vgs电压和TJ温度，保证MOS可靠性；
4、TTJ12N04AT和SI9410BDY有着相同的封装SOP-8，在应用时可以pin-pin替换。
除以上电性能、封装对比外，无锡紫光微TTJ12N04AT作为国产MOS，有着更低的价格和供货周期优势。
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产品型号
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品类
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V(BR)DSS(V)
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ID(A)
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RDS(ON)(mΩ)@VGS=10V Typ(Ω)
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RDS(ON)(mΩ)@VGS=10V Max(Ω)
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V(GS)thmin(V)
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V(GS)thmax(V)
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Ciss(pF)
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Qg(nC)
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封装
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TTD30N10AT
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N-Channel Trench MOSFET
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100
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20
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22
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27
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1
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2.4
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4529
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37
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TO-252
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选型表 - 无锡紫光微 立即选型
无锡紫光微MOS选型表
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产品型号
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品类
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Package
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BVdss(V)
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ID(A)Tc=25℃
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Vth(V)min
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Vth(V)max
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Rdson(Ω)Vgs=10Vtyp
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Rdson(Ω)Vgs=10Vmax
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TPW50R060C
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Super Junction MOSFET
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TO-247
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500
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47
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2.5
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4
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0.043
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0.06
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