【经验】现货碳化硅MOSFET替代C2M0080120D，适用于逆变器,开关电源,UPS,电机驱动,DC/DC
延续2017年缺货、涨价的势头，今年MOSFET依然出现涨价缺货的情况。正常MOSFET的交货周期一般是12周左右，但现在部分MOSFET交期已延长到40周左右，甚至缺货，无法供应。在这种情况下，笔者推荐逆变器,开关电源,UPS,电机驱动,DC/DC等应用可使用LITTELFUSE公司的LSIC1MO120E0080替代WOLFSPEED（原CREE）公司的C2M0080120D。
LSIC1MO120E0080是Littelfuse公司推出的一款高性能MOSFET，该MOSFET针对高频，高效应用进行了优化，具有极低的栅极电荷和输出电容和用于高频开关的低栅极电阻，在所有温度下均可正常关闭。性能十分强大。推荐应用于逆变器、开关电源、UPS、电机驱动、DC/DC等应用。
器件参数：
笔者为向读者清晰阐述LSIC1MO120E0080的优势，选择了MOSFET中最为重要的参数进行对比，如下表所示：
漏-源电压 |
漏-源导通电阻 |
漏极电流 |
工作温度范围 |
封装 |
|
LSIC1MO120E0080 |
1200V |
80mΩ |
39A |
-55-150℃ |
TO247-3L |
C2M0080120D |
1200V |
80mΩ |
36V |
-55-150℃ |
TO247-3 |
参数对比：
漏-源电压是MOSFET的耐压数值，数值越大，说明MOSFET的耐压性能越好，可以在高压下稳定工作。LSIC1MO120E0080和C2M0080120D的漏-源电压都是1200V，耐高压性能较好。
漏-源导通电阻代表了MOSFET的通过电流大小的能力。漏-源导通电阻越小，通过大电流的能力越大。LSIC1MO120E0080和C2M0080120D的漏-源导通电阻均为80mΩ。通电流能力较强。
漏极电流是MOSFET的可承受导通电流大小，数值越大，说明MOSFET的导通性能越好，耐大电流能力越强。LSIC1MO120E0080的漏极电流为39A，C2M0080120D的漏极电流为36A。LSIC1MO120E0080可以通过更大的电流，因此驱动能力更强。
LSIC1MO120E0080和C2M0080120D工作温度范围均为-55-150℃，都可以在极端情况下稳定工作。
LSIC1MO120E0080和C2M0080120D都使用TO247封装，二者的封装尺寸一模一样，具有极好的互换性。
价格：
LSIC1MO120E0080对比WolfSpeed C2M0080120D MOSFET价格低5%-10%，可降低采购成本，而且电气性能比C2M0080120D更好。性价比爆棚！
总结：
通过上述对比，LSIC1MO120E0080性能极为强大，无论是器件参数还是价格方面都表现出了惊人的性价比，且世强备货能力强大，杜绝缺货情况出现，支持小量快购，批量有价格优惠。在当前C2M0080120D缺货的情况下，笔者推荐使用世强公司代理的LSIC1MO120E0080替换C2M0080120D进行设计。
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