【IC】 世迈科技兼容CXL 2.0的新型DDR5 XMM CXL模块，64GB内存容量，改写服务器和数据中心内存限制
CXL™为建立在PCI Express®基础构架之上的一种开放式产业标准互连协定，透过PCIe®5.0高速列表接口，让CPU处理器以及平台之间可以实现高速、高效的互连。首代CXL具备32Gbps PCIe 5.0性能，且越来越多新兴应用开始采用CXL技术，例如AI人工智慧与ML机器学习等。
为何需要CXL™？
随着5G、工业物联网及AI人工智慧相关应用的快速发展，这些应用在短时间内需要处理大量数据，因此每颗中央处理器核心需要更多的频宽与內存，才得以应付庞大的工作负载量。目前记忆体架构以直连式（direct-attached）为主，导致CPU接脚数量过多，从而限制了內存容量；而并列式（parallel-attached）內存所需的高速总线信号会增加系统层板数，不仅垫高成本，复杂度也相对提高。
因此，如何在这些限制下仍可增加內存来处理海量数据呢？这时CXL互连标准就可以派上用场。藉由序列式（serial-attached）內存构架，不同处理器之间得以互连，例如CPU与GPU、FPGA等加速器建立高速低延迟的互连性，再把各自的內存整合起来变成一个记忆池，共享內存资源，进而提升运算性能。
CXL如何提升服务器性能？
內存容量及频宽是影响处理海量数据的重要关键。CXL让服务器将不再受8信道或12信道频宽的限制，在不关机的情况下便可新增CXL模块。更重要的是，可以在节点之间共享CXL内存，根据不同应用、工作负载量或资源重新分发，以满足不同节点所需的吞吐量和延迟的要求，进一步扩展大数据处理能力。
举例来说，以单支128GB容量、48GB/s频宽的DDR5模块为例，主机CPU至多一次可搭载8个内存模块，总共产生1TB容量及384GB/s宽带。若主机CPU再外接四组SMART Modular世迈科技XMM CXL内存模块后，总容量可高达2TB、宽带达到640GB/s，等于容量增加两倍、总宽带也增加了约1.66倍左右。
SMART Modular世迈科技XMM CXL E3.S内存模块
SMART Modular世迈科技推出全新XMM CXL内存模块，此款新型DDR5 XMM CXL模块增加缓存一致性内存，可提升服务器和数据中心的运算性能，更超越现今大多数服务器只有8信道或12信道的限制，进一步扩展大数据处理能力。
· 兼容CXL 2.0，提供PCIe Gen5 32GT/s传输速度
· 提供64GB DDR5内存容量，未来计划扩充至256GB
· 支持CXL 2.0规范中的可靠性、可用性和可维护性（RAS）功能
· 提供EDSFF E3.S 2T（2U short）外观尺寸
· 仅需透过兼容EDSFF边缘接口（SFF-TA-1009）提供的12V电源供电
· 支持sideband接口进行即时除错、管理和系统更新，实现模块的带外管理（out-of-band management）
· 支持额外的安全功能以保护数据免受旁路攻击（side channel attacks）
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超高可靠性ZeFR™存储器
Zefr™ Memory通过改进RDIMM内存模块，显著降低内存故障率。该技术将行业标准的3,000 ppm缺陷率降低至200 ppm以下，适用于数据中心等高可靠性需求的应用。SMART Modular Technologies提供Zefr处理的DDR4和DDR5 SDRAM DIMM，包括不同容量和配置的ZDIMM，以满足不同需求。
SMART - DDR4 ZDIMM,超高可靠性ZEFR™存储器,ULTRA-HIGH RELIABILITY MEMORY,ULTRA-HIGH RELIABILITY ZEFR ™ MEMORY,DDR5 ZDIMM,超高可靠性存储器,SRZHG8RD5648-SP,SRZ4G8RD5448-SP,SRZ2047RD410825-SE,SRZ8G8RD5448-SP,SRZ1637RD440465-SM,SRZ4G8RD5288-SP,SRZ4097RD420825-SC,SRZAG8RD5846-SB,SRZ8197RD440425-SC,SRZ4097RD440425-SC,DATA CENTER,数据中心
【元件】世迈科技全新CXL®内存扩充卡系列上市，可支持业界标准DDR5内存模块
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DDR5技术的发展与应用前景
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利用CXL®的串行存储器扩展
SMART Modular Technologies推出利用CXL技术的串行内存扩展和内存池解决方案，旨在推动数据中心技术发展。这些解决方案通过降低数据中心成本、提高应用性能，并为人工智能、高性能计算、机器学习和通信等领域引入新的机架级架构。SMART提供基于CXL的ASIC和FPGA内存模块，支持多种互连标准，并提供定制化功能，如RAS、内存交错、性能调整和低功耗模式支持。此外，还提供内存和物理调试能力以及定制包装、处理和测试服务。SMART的CXL串行内存扩展解决方案包括CXL Specification 2.0 / CXL.mem Type 3的E3.S EDSFF 2T模块，支持DDR5，并计划于2025年推出持久性（非易失性）选项。
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DDR5内存模块
DDR5内存模块旨在满足云计算、数据中心处理等应用对高效性能的需求。与DDR4相比，DDR5内存提供双倍的性能（4800至6400 MT/s）和改进的功耗效率，通过使用12V电压调节器（PMIC）和1.1 I/O电压。DDR5内存模块具有更高的带宽、更低的功耗和更高的容量，适用于高性能计算、云计算和存储、企业网络等领域。
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加固型内存DDR5、DDR4和DDR3内存模块
SMART提供一系列的DDR3、DDR4和DDR5坚固型内存模块，这些模块在-40°C至+85°C的温度范围内进行了100%的系统测试。SMART支持超出工业级范围的扩展温度范围（从-50°C到+105°C）。SMART严格的测试流程旨在确保这些加固型模块能够在恶劣的长寿命计算环境中可靠运行。此外，还包括防潮涂层、底部填充、抗硫电阻和安全锁定选项等额外加固内存选择。
SMART - DDR4 ECC SODIMM,DDR5 RDIMM,DDR3 NON-ECC SODIMM,DDR3非ECC SODIMM,DDR4 ECC UDIMM,DDR4, RUGGED MEMORY MODULES,DDR5 NON-ECC UDIMM,DDR4非ECC UDIMM,DDR4 NON-ECC SODIMM,DDR4 ECC ULP UDIMM,DDR3 NON-ECC UDIMM,DDR5非ECC SODIMM,DDR3加固型内存模块,DDR3 ECC VLP微型UDIMM,DDR3 RUGGED MEMORY MODULES,DDR4，加固型内存模块,DDR5 NON-ECC SODIMM,DDR4 MIP,DDR3 ECC VLP MINI-UDIMM,DDR3 ECC SOUDIMM,DDR4 RDIMM,DDR3非ECC UDIMM,DDR4 NON-ECC UDIMM,DDR5 RUGGED MEMORY MODULES,DDR5 ECC UDIMM,DDR5 ECC VLP UDIMM,DDR5 ECC SODIMM,DDR4非ECC SODIMM,DDR5非ECC UDIMM,DDR5加固内存模块,SRI4097SO420825-SC,SRI2G7SO5285-SB,STI5126UD451825SG,STI1027SO410825SG,STT5126MP451625MR,SPI1027SV351816NE,SPT2046SV310816GB,SRI2G7UD5285SB,SRI5126SO451625-SC,STI4097UD420825SCU,SRI4G6SO5285-SB,STT1026MP411625MF,SRI4G8RD5285-SB,SRI5126SO451625-SG,SRI4G7UD5288-SD,SPI5126SV325838NJ,SRI2047RD420425-SE,SRI4G7SO5285SB,STB4097SO420825SC,SRI4G7SO5288-SP,STI2046SO410825MR,SRI2G7UD5285-SB,SPI5127SV351816NE,STI1027SO451893SF,STI1027RD451825SG,STI4097UD420825SC,STI1026SO410825SG,STT2566MP421625NE,SRI6G7UD5385MB,STI4097SO420825MF,SPI1026UV351838NE,SPI5126UV351838NE,SRI4G7UD5285SBV,STI2046UD410825-SE,SRI4G7UD5288-SP,SRI2G7SO5288-SP,SRI4G7UD5285SB,SRI4097RD420425-SE,SPI2566SV325838NJ,SRI8G8RD5445-SB,STI1026SO410825-SE,STI4097RD420825MF,SRI2G7UD5288-SP,SRI2G7UD5285SBV,SRI1G6UD5165-SB,SRI2047SO420825-SC,SRI2G6UD5285-SB,SRI2047RD410825-SE,STT2566MP421625MG,SRI2G6SO5285-SB,STI4096SO420825-HD,STI4097SO420825SC,SRI1G6SO5165-SB,STI1026SO410893-SE,SRI8197RD440425-SC,STI2047SO410814MR,STI2046SO410825-SE,SRI2G7SO5285SB,STI2047RD410825SG,SPI5127ML351816NEV,SRI4G6UD5285-SB,SPI2567SO325838NJ,SRI4096SO420825-SC,STI2047SO410825SG,STI2047SO420825SC,STT4096UD420825MF,SRI4G7UD5285-SB,STI2046SO410893-SE,SPT2047SV310816GB,SPI5126SV351838NE,STI1026SO410825MR,SRI4097SO420825SA,SRI2G8RD5285-SB,SRI4G8RD5445-SB,SRI4097RD420825-SC,STT4097RD420825MF,SPI1026SV351838NE,SRI2G7UD5288-SD,SERVER,安防,伺服器,手机,室外电信设备,安防应用,航空航天,信息亭,数字标牌,DENSELY CONFIGURED BLADE COMPUTING,工业计算,存储应用程序,DEFENSE APPLICATIONS,基站,DEFENSE,OUTDOOR TELECOM EQUIPMENT,高密度配置的刀片式计算,工业,BASE STATIONS,INDUSTRIAL COMPUTING,DIGITAL SIGNAGE,MOBILE,STORAGE APPLICATIONS,INDUSTRIAL,AEROSPACE,KIOSK
迁移到DDR5内存模块白皮书
本文探讨了DDR5内存模块的特点和应用。DDR5内存提供低延迟、高性能、几乎无限的访问耐久性和低功耗，适用于从手持设备到复杂系统部署的各种应用。与DDR4相比，DDR5具有更高的数据速率、更大的容量、更低的功耗和增强的可靠性、可用性和服务性（RAS）功能。文章详细比较了DDR5与DDR4在性能、容量、电压、通道架构、错误检测和纠正等方面的差异，并介绍了DDR5的增强功能，如双通道架构、片上ECC、数据接收器均衡、循环冗余检查（CRC）和DQS延迟监控。此外，文章还讨论了DDR5在解决市场挑战方面的作用，如信号完整性、电源传输和布局复杂性，以及SMART Modular Technologies在DDR5内存模块发展中的作用。
SMART - DDR5 DIMM,DDR4 DRAM,DDR5 DRAM,DDR4 DIMM,DDR5 MEMORY MODULE,DDR5内存模块
DDR5 VLP ECC UDIMM
SMART Modular Technologies推出的DDR5 VLP ECC UDIMM适用于电信、网络、计算和存储应用的1U刀片服务器。这些内存模块具有高度、密度、功率和性能的优势，特别适合于对数据完整性要求极高的关键任务应用。它们支持工业级温度操作，并提供多种保护措施以确保稳定运行。
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利用CXL®高级内存实现新一代数据中心的串行内存扩展
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