【产品】ROHM N沟道小信号MOSFET BSS138W,开关速度快,ESD保护高达2kV(HBM)

2022-07-28 ROHM
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BSS138WROHM推出的一款N沟道小信号MOSFET,该器件具有非常快的开关速度,超低压驱动(2.5V驱动),以及高达2kV的ESD保护(HBM)。绝对最大额定值(Ta=25°C)方面,其漏源电压为60V,连续漏极电流为±310mA,耗散功率为300mW(安装在陶瓷板上(30mmx30mmx0.8mm))。电气特性(Ta=25°C)方面,在VGS=10V、ID=310mA条件下,其静态漏源导通电阻RDS(on)(脉冲)最大值为2.4Ω。该器件采用SOT-323封装,无卤素,符合RoHS标准,适用于开关电路、低压侧负载开关、继电器驱动器领域,其产品外形如下图所示。

包装规格:


特点:

1)非常快的开关速度

2)超低压驱动(2.5V驱动)

3)高达2kV的ESD保护(HBM)

4)采用SOT-323封装,符合RoHS标准

5)无卤素

 

应用:

•开关电路

•低压侧负载开关

•继电器驱动器


绝对最大额定值(Ta=25°C,除非另有说明)

*1Pw≦10μs,占空比≦1%

*2安装在陶瓷板上(30mmx30mmx0.8mm)

*3安装在FR4板上(20mmx12mmx0.8mm,铜焊盘=0.8mm2)

授权代理商:世强先进(深圳)科技股份有限公司
技术资料,数据手册,3D模型库,原理图,PCB封装文件,选型指南来源平台:世强硬创平台www.sekorm.com
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