【产品】-30V/-5.3A P沟道增强型MOSFET AS4953S，漏源导通电阻55mΩ@-10V

时间： 2020-07-10 来源：安邦

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安邦（ANBON）推出的P沟道增强型MOSFET AS4953S，具有先进的沟槽工艺技术，高密度单元设计，超低导通电阻，漏源导通电阻R_DS(on)MAX为55mΩ@-10V，85mΩ@-4.5V，漏源击穿电压V_(BR)DSS为-30V，连续漏极电流 I_D 为-5.3A，封装为SOP-8，可应用于负载开关，PWM应用，电源管理等领域。

图1 产品外形图

图2 电路原理图

特点

•先进的沟槽工艺技术

•高密度单元设计，超低导通电阻

应用

•负载开关

•PWM应用

•电源管理

绝对最大额定值（除非另有说明，否则Ta = 25℃）

封装尺寸图

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