罗姆第4代SiC MOSFET相对IGBT显著提升车载主驱逆变器效率,延长电动汽车的续航里程
近年来,为了实现“碳中和”等减轻环境负荷的目标,需要进一步普及下一代电动汽车(xEV),从而推动了更高效、更小型、更轻量的电动系统的开发。尤其是在电动汽车(EV)领域,为了延长续航里程并减小车载电池的尺寸,提高发挥驱动核心作用的电控系统的效率已成为一个重要课题。SiC(碳化硅)作为新一代宽禁带半导体材料,具备高电压、大电流、高温、高频率和低损耗等独特优势。因此,业内对碳化硅功率元器件在电动汽车上的应用寄予厚望。
罗姆第4代SiC MOSFET应用于“三合一”电桥
近日,上汽大众与臻驱科技联合开发的首款基于SiC技术的 “三合一”电桥完成试制。据悉,对比现有电桥产品,这款SiC“三合一”电桥在能耗表现方面非常抢眼,每百公里可节约0.645kW·h电能。以上汽大众在ID 4X车型上的测试结果为例,对比传统的IGBT方案,整车续航里程提升了4.5%。由此可知,SiC电桥方案的优势非常明显。但作为一种新技术,SiC电控系统还存在一些开发难点,比如SiC模块的本体设计,以及高速开关带来的系统EMC应对难题。值得一提的是,臻驱科技此次完成试制的“三合一”电桥采用的是罗姆第4代SiC MOSFET裸芯片,充分发挥了碳化硅器件的性能优势。
罗姆于2020年完成开发的第4代SiC MOSFET,是在不牺牲短路耐受时间的情况下实现业内超低导通电阻的产品。该产品用于车载主驱逆变器时,效率更高,与使用IGBT时相比,效率显著提升,因此非常有助于延长电动汽车的续航里程,并减少电池使用量,降低电动汽车的成本。
图 | 第4代SiC MOSFET和IGBT的逆变器效率比较
罗姆第4代SiC MOSFET的独特优势
罗姆作为碳化硅领域的深耕者,从2000年就开始了相关的研发工作,并在2009年收购碳化硅衬底供应商SiCrystal后,于2010年率先推出了商用碳化硅MOSFET,目前产品涵盖SiC SBD、SiC MOSFET和全SiC模组,其中SiC SBD、SiC MOSFET可以裸芯片的形式供货。罗姆在2015年发布了第3代也是第一款商用沟槽结构的SiC MOSFET产品,支持18V驱动。2020年,罗姆又推出了第4代SiC MOSFET。目前,不仅可供应裸芯片,还可供应分立封装的产品。分立封装的产品已经完成了面向消费电子设备和工业设备应用的产品线开发,后续将逐步开发适用于车载应用的产品。
对比罗姆的第3代SiC MOSFET产品,第4代SiC MOSFET具有导通电阻更低的特点。根据测试结果显示,在芯片尺寸相同且在不牺牲短路耐受时间的前提下,罗姆采用改进的双沟槽结构,使得MOSFET的导通电阻降低了约40%,传导损耗相应降低。此外,从RDS(on)与VGS的关系图中,我们可以发现第4代SiC MOSFET在栅极电压处于+15V和+18V之间时具有更平坦的梯度,这意味着第4代SiC MOSFET的驱动电压范围可拓展至15V-18V。
图 | 第3代和第4代SiC MOSFET导通电阻测试结果示意图
同时,第4代SiC MOSFET还改善了开关性能。通常,为了满足更大电流和更低导通电阻的需求,MOSFET存在芯片面积增大、寄生电容增加的趋势,因而存在无法充分发挥碳化硅原有的高速开关特性的课题。第4代SiC MOSFET,通过大幅降低栅漏电容(Cgd),成功地使开关损耗比以往产品降低约50%。
图 | 第3代和第4代SiC MOSFET开关损耗测试结果示意图
此外,罗姆还对第4代SiC MOSFET进行了电容比的优化,大大提高了栅极和漏极之间的电容(CGD)与栅极和源极之间的电容(CGS)之比,从而减少了寄生电容的影响。比如,可以减小在半桥中一个快速开关的SiC MOSFET施加在另一个SiC MOSFET上的高速电压瞬变(dVDS/dt)对栅源电压VGS的影响。这将降低由正VGS尖峰引起的SiC MOSFET意外寄生导通的可能性,以及可能损坏SiC MOSFET的负VGS尖峰出现的可能性。
支持工具
罗姆在官网的SiC介绍页面中,介绍了SiC MOSFET、SiC SBD和SiC功率模块等碳化硅功率半导体的概要,同时,还发布了用于快速评估和引入第4代SiC MOSFET的各种支持内容,供用户参考。
第4代SiC MOSFET的支持内容:
・概要介绍视频、产品视频
・应用指南(产品概要和评估信息、主驱逆变器、车载充电器、SMPS)
・设计模型(SPICE模型、PLECS模型、封装和Foot Print等的3D CAD数据)
・主要应用中的仿真电路(ROHM Solution Simulator)
总结
综上,罗姆通过进一步改进自有的双沟槽结构,使第4代SiC MOSFET具有低导通电阻、优秀的短路耐受时间、低寄生电容、低开关损耗等优点。凭借高性能元器件以及丰富的支持工具,罗姆将助力设计人员为未来的电力电子系统创建可行且节能的解决方案。
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 245
本文由星晴123转载自ROHM,原文标题为:罗姆第4代SiC MOSFET在电动汽车电控系统中的应用及其优势,本站所有转载文章系出于传递更多信息之目的,且明确注明来源,不希望被转载的媒体或个人可与我们联系,我们将立即进行删除处理。
评论
全部评论(245)
-
用户71904310 Lv9. 科学家 2023-04-09学习
-
Timm Lv9. 科学家 2023-02-26学习
-
蓝天之心 Lv6. 高级专家 2023-01-16学习
-
飞哥哥 Lv7. 资深专家 2022-12-29看看
-
圆梦之旅 Lv7. 资深专家 2022-12-26学习了
-
stiutk Lv8. 研究员 2022-12-24了解一下
-
妞妞 Lv6. 高级专家 2022-12-19学习
-
福如东来 Lv7. 资深专家 2022-12-15学习
-
活影忍者 Lv7. 资深专家 2022-12-12学习学习
-
活影忍者 Lv7. 资深专家 2022-12-12学习学习
相关推荐
瞻芯电子解读特斯拉Model Y电动汽车Gen-4 主驱逆变器的设计改进和创新
特斯拉Model 3 电动汽车主驱逆变器率先应用碳化硅(SiC) MOSFET,开启了EV动力总成设计的新篇章。本文将比较Model Y和Model 3车型,并列举在主驱逆变器上的主要设计改进和创新。
派恩杰在国内率先推出1200V/20mΩ SiC MOSFET,提升电动汽车性价比
据业内人士统计,使用SiC MOSFET作为主驱逆变器的电动汽车,其整车混合使用效率较传统IGBT高出5-7%!针对未来车用市场的需求,派恩杰在国内率先推出1200V 20mΩ SiC MOSFET,根据封装散热条件不同,额定电流74~105A。
罗姆与赛米控就第4代SiC MOSFET展开新合作,碳化硅技术助力开发车载eMPack®功率模块
罗姆的第4代SiC MOSFET正式被用于赛米控的车规级功率模块“eMPack®”,开启了双方合作的新征;另外,赛米控还为搭载了罗姆栅极驱动器IC的eMPack®提供评估板。未来,双方将会继续携手为全球客户提供高品质服务。
解读SiC MOSFET关键参数——Rds(on)
当代电子技术的发展不仅需要高效性能,还需要可靠和可持续的解决方案。而SiC MOSFET作为一种新型的功率器件,正在引领着未来能源转型的浪潮。今天,我们要聊的主角是碳化硅MOSFET中的一个关键参数——Rdson,这个参数的优化,就像是在节能减排的长跑中,为我们的电动汽车、可再生能源系统换上了更轻盈的跑鞋。
【应用】三相全桥1200V SiC MOSFET智能功率模块(IPM)助力电动汽车功率转换器设计
本文讨论了在电动汽车应用的功率转换器设计中选择CISSOID的1200V三相全桥SiC MOSFET智能功率模块(IPM)体系所带来的益处,尤其表现在该体系是一个可扩展的平台系列。该体系利用了低内耗技术,提供IPM这种已整合的解决方案。
Littelfuse电动汽车无线充电解决方案
电动汽车(EV)无线充电正日益接近现实。只需将车停在充电板上,车辆就会自动充电,而无需插电。本文介绍了Littelfuse如何帮助新型无线电动汽车充电站设计实现安全、高效和可靠。
ROHM(罗姆)SiC(碳化硅)MOSFET选型指南(英文)
目录- SiC MOSFETs
型号- SCT3160KL,SCT4062KR,SCT3030KLHR,SCT4013DE,SCT3080AW7,SCT2450KE,SCT3160KW7,SCT2H12NZ,SCT4062KW7HR,SCT2450KEHR,SCT4013DR,SCT3060ALHR,SCT3040KLHR,SCT4036KEHR,SCT4045DRHR,SCT3022KLHR,SCT2160KE,SCT3080KW7,SCT3017ALHR,SCT3022AL,SCT3080ALHR,SCT3060AR,SCT3105KLHR,SCT4036KR,SCT3060AL,SCT4026DEHR,SCT4062KRHR,SCT3040KR,SCT2080KE,SCT3080KR,SCT3120AL,SCT4013DW7,SCT3030KL,SCT4062KE,SCT4036KW7,SCT2280KEHR,SCT2280KE,SCT3030AR,SCT3030AL,SCT3030AW7,SCT4036KRHR,SCT4045DEHR,SCT3120AW7,SCT3040KL,SCT3105KW7,SCT2080KEHR,SCT4018KW7,SCT3080KL,SCT3030ALHR,SCT4062KW7,SCT3040KW7,SCT3022ALHR,SCT4045DW7,SCT3017AL,SCT4036KE,SCT4018KE,SCT4045DE,SCT4026DW7,SCT4062KEHR,SCT3080AR,SCT4026DW7HR,SCT4026DE,SCT4036KW7HR,SCT3080AL,SCT4045DW7HR,SCT4045DR,SCT2160KEHR,SCT3022KL,SCT4018KR,SCT4026DR,SCT3105KL,SCT3105KR,SCT3080KLHR,SCT3060AW7,SCT4026DRHR
BMH027MR07E1G3 SiC MOSFET模块
描述- 该资料介绍了Basic Semiconductor公司生产的BMH027MR07E1G3型号650V SiC MOSFET模块。该模块具有低导通电阻、高电流密度、低开关损耗等特点,适用于高频转换器/逆变器、DC-DC转换器、电动汽车充电器和UPS系统等领域。
型号- BMH027MR07E1G3
【应用】国产SiC MOSFET IV1Q12050T4助力30KW充电模块全桥LLC设计,最高效率可达96.5%
新能源汽车的快速发展,带来充电的需求,为了满足电动汽车的快速充电,充电桩直流充电模块在其中有着不可替代的作用,本文重点介绍瞻芯电子1200V的SiC MOS管 IV1Q12050T4助力30KW充电模块全桥LLC设计,最高效率可达96.5%。
罗姆第4代SiC MOSFET裸芯片批量应用于吉利集团电动汽车品牌“极氪”3种主力车型
日前,搭载了罗姆第4代SiC MOSFET裸芯片的功率模块成功应用于“极氪”电动汽车3种车型的主机逆变器上,有助于延长车辆续航距离以及提高性能。
SL87N120A 1200V 17mΩSiC MOSFET
描述- 本资料介绍了SL87N120A SiC MOSFET的特性,包括其高压、低导通电阻、高速和高工作结温等特点。该产品适用于EV主驱逆变器、光伏逆变器、电机驱动和高压DC/DC变换器等领域。
型号- SL87N120A
CRXQF40M120G1 SiC MOSFET 1200V,40mΩ,55A
描述- 本资料介绍了CRXQF40M120G1型碳化硅(SiC)MOSFET的特性、应用领域和电气参数。该器件具有高阻断电压、低导通电阻、高速开关特性,适用于太阳能逆变器、开关电源、高压直流/直流转换器和电动汽车充电器等领域。
型号- CRXQF40M120G1
SiC MOSFET 栅极-源极电压的浪涌抑制方法 Application Note
描述- 本应用手册主要探讨了SiC MOSFET在开关动作过程中栅极-源极电压浪涌的产生原因及抑制方法。详细分析了桥式电路中开关动作产生的栅极-源极电压浪涌现象,并提出了浪涌抑制电路的设计方案,包括正向和负向浪涌的抑制措施。同时,对浪涌抑制电路的布线设计进行了说明,以确保电路的稳定性和效率。
型号- SCT3040KR,SCT3040KR 4L
ROHM‘s 4th Generation SiC MOSFET Bare Chips Adopted in Three EV Models of ZEEKR from Geely Integration in Traction Inverters Extends The Cruising Range and Improves Performance
ROHM has announced the adoption of power modules equipped with 4th generation SiC MOSFET bare chips for the traction inverters in three models of ZEEKR EV brand from Zhejiang Geely Holding Group (Geely), a top 10 global automaker. Since 2023, these power modules have been mass produced and shipped from HAIMOSIC (SHANGHAI) Co., Ltd. - a joint venture between ROHM and Zhenghai Group Co., Ltd. to Viridi E-Mobility Technology (Ningbo) Co., Ltd, a Tier 1 manufacturer under Geely.
IV1Q12080D7Z–1200V 80mΩ汽车用SiC MOSFET
描述- 本资料介绍了InventChip Technology Co., Ltd.生产的1200V 80mΩ Automotive SiC MOSFET的特性、应用领域和电学参数。该器件具有低阻抗封装、高阻断电压、快速开关速度、高结温操作能力等特点,适用于太阳能逆变器、电动汽车充电器、高压直流/直流转换器和开关模式电源等领域。
型号- IV1Q12080D7Z
电子商城
现货市场
服务
定制液冷板尺寸5mm*5mm~3m*1.8m,厚度2mm-100mm,单相液冷板散热能力最高300W/cm²。
最小起订量: 1片 提交需求>
登录 | 立即注册
提交评论