【产品】电流控制型PWM开关控制芯片RM6604NDL,支持CCM/QR混合模式,工作频率达85kHz
亚成微电子推出的RM6604NDL是一款内置650V GaNFET,高性能高可靠性电流控制型PWM开关控制芯片,全电压范围内待机功耗小于65mW,满足六级能效标准,并且支持CCM/QR混合模式,提高产品效率及功率密度,改善产品EMI。
集成多种工作模式,在重载情况下,系统工作在传统的固频85Khz的PWM模式下,在低压输入时会进入CCM模式;在重载情况下,系统工作在QR模式,以降低开关损耗,同时结合PFM工作模式提高系统效率;采用专有的驱动技术,搭配高压GaNFET功率器件改善EMI设计;在轻载或空载情况下,系统工作在Burst Mode模式,有效去除音频噪音,同时在该模式下,该器件本身损耗极低,因此可以做到超低待机功耗。在任何模式下,都集成了特有抖频工作模式,以改善EMI。
同时集成了多种保护模式和补偿电路,包括VCC OVP,内置OTP,外置OVP,欠压锁定(uvlo),逐周期过流保护OCP,过载保护(OLP),CS短路保护,输出肖特基短路保护等,并内置斜坡补偿。
功能特性
★支持CCM/QR混合模式;
★内置700V高压启动;
★内置650V GaNFET;
★支持最大85kHz工作频率;
★内置特有抖频技术改善EMI;
★Burst Mode去噪音;
★低启动电流(2μA),低工作电流;
★集成斜坡补偿;
★集成输入Brown out/in功能;
★外置OVP保护;
★具有输出肖特基短路保护/CS短路保护;
★内置OVP/OTP/OCP/OLP/UVLO等多种保护。
应用领域
★快速充电器
★大功率适配器
★TV电源
典型应用
结构框图
极限参数
电气特性(VCC=18V,TA=25℃。除非另作说明)
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型号- RM6648S,RM673X,RM335X系列,RM6801ND,RM6601SDL,RM3353SA,RM3432SH,RM3434SH,RM3411SL,RM3352S,RM6515D,RM3360T,RM3432SA,RM3434SA,RM6648SC,RM6801NDL,RM335X,RM6514S,RM343X,RM673X 系列,RM3365DL,RM6510T,RM6732S,RM3430T,RM3430TH,RM341X 系列,RM672X 系列,RM1342S,RM3353DA,RM3368SL,RM3364SL,RM336X,RM6602T,RM6601SN,RM6601NDL,RM3360TL,RM6727S,RM3354SA,RM6601NDQ,RM3352SA,RM6000T,RM6501S,RM3412SL,RM3435SH,RM6501SN,RM6517D,RM6820NQL,RM1342SDL,RM3402AL,RM6601SD,RM3392SH,RM6603SC,RM6801SDL,RM3436DH,RM6734S,RM341X,RM672X,RM6604NDQ,RM336X系列,RM6730S,RM6604NDL,RM343X系列,RM6314DA,RM3402SA,RM6312DA,RM6801SD,RM3363SL
亚成微电子开关电源芯片选型表
亚成微开关电源芯片,最大功率8W~120W,工作频率65KHz~130KHz
产品型号
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品类
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分类
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最大功率(W)
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功率管
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工作频率(kHz)
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封装形式
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应用领域
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RM6820NQL
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开关电源芯片
|
副边反馈(SSR)+ZVS
|
120W
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内置GaN
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85kHz
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PLP8*8
|
快速充电器、电源适配器、模块电源
|
选型表 - 亚成微电子 立即选型
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