【产品】电流控制型PWM开关控制芯片RM6604NDL，支持CCM/QR混合模式，工作频率达85kHz

时间： 2023-05-04 来源：亚成微电子

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亚成微电子推出的RM6604NDL是一款内置650V GaNFET，高性能高可靠性电流控制型PWM开关控制芯片，全电压范围内待机功耗小于65mW，满足六级能效标准，并且支持CCM/QR混合模式，提高产品效率及功率密度，改善产品EMI。

集成多种工作模式，在重载情况下，系统工作在传统的固频85Khz的PWM模式下，在低压输入时会进入CCM模式；在重载情况下，系统工作在QR模式，以降低开关损耗，同时结合PFM工作模式提高系统效率；采用专有的驱动技术，搭配高压GaNFET功率器件改善EMI设计；在轻载或空载情况下，系统工作在Burst Mode模式，有效去除音频噪音，同时在该模式下，该器件本身损耗极低，因此可以做到超低待机功耗。在任何模式下，都集成了特有抖频工作模式，以改善EMI。

同时集成了多种保护模式和补偿电路，包括VCC OVP，内置OTP，外置OVP，欠压锁定（uvlo），逐周期过流保护OCP，过载保护（OLP），CS短路保护，输出肖特基短路保护等，并内置斜坡补偿。

功能特性

★支持CCM/QR混合模式；

★内置700V高压启动；

★内置650V GaNFET；

★支持最大85kHz工作频率；

★内置特有抖频技术改善EMI；

★Burst Mode去噪音；

★低启动电流（2μA），低工作电流；

★集成斜坡补偿；

★集成输入Brown out/in功能；

★外置OVP保护；

★具有输出肖特基短路保护/CS短路保护；

★内置OVP/OTP/OCP/OLP/UVLO等多种保护。

应用领域

★快速充电器

★大功率适配器

★TV电源

典型应用

结构框图

极限参数

电气特性(VCC=18V,TA=25℃。除非另作说明)

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