【选型】5G微波信号放大设备发射端首选放大器----CHA-3398QDG宽带微波放大器，增益典型值可达22dB

时间： 2020-04-02 来源：世强

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在5G领域，亚洲和欧洲领先于全球已经是不争的事实。北美国家为了在新一代的移动通信领域抢的先机，宣布在部分地区部署5G的微波频段信号，其中一个频段从37GHz到40GHz，该微波频段在空中的衰减非常大，北美的大房子很多，为达到良好的信号传输，需要有信号放大设备来完善网络覆盖。根据系统的要求，在发射端需要一颗增益大于20dB，并且P-1大于17dBm的放大器。为了设计和生产方便，不接受裸片形式。

UMS公司作为欧洲航空和防务市场的顶级MMIC供应商,能提供DC-110GHz的射频芯片。CHA3398-QDG是宽带微波放大器,其工作频率从36-43.5GHz,其增益典型值可达22dB,在工作频带的低端如37GHz也有20dB，工作状态可以通过调节Vg来控制。在整个工作频段其P-1都大于17dBm.其饱和输出功率约19dBm。而且该芯片采用了24L-QFN封装，使用更方便,电气特性也较裸片更稳定。其主要特性如下

•工作频带：36-43.5GHz

•P-1：17dBm

•增益典型值：22dB

•饱和输出功率: 19dBm

•电压电流：Id=200mA@Vd=4V

•封装： 24L-QFN

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【选型】5G微波网络覆盖的好帮手：CHA2494-QEG宽带微波放大器

UMS公司的宽带微波放大器CHA2494-QEG.UMS公司是欧洲航空和防务市场的顶级MMIC供应商,能提供DC-110GHz的射频芯片. CHA2494-QEG作为宽带微波放大器,其工作频率从34-44GHz,其增益典型值可达22dB,即使在工作频带的高端也有20dB，在整个工作频段其噪声系数的典型值为3dB.而且该芯片采用了24L-QFN封装，使用更方便,电气特性也较裸片更稳定。

2020-02-15 - 器件选型代理服务技术支持采购服务

UMS CHA6015-99F数据手册

描述- 该资料介绍了CHA6015-99F是一款2-8GHz高功率放大器（HPA），采用pHEMT工艺制造，具有宽带性能、线性增益和较高的输出功率。适用于防御应用和各种微波应用系统。

型号- CHA6015,CHA6015-99F/00,CHA6015-99F

2016年07月01日 - UMS - 数据手册代理服务技术支持采购服务

CHA2098B99F 20-40GHz高增益缓冲放大器GaAs单片微波集成电路

描述- 该资料介绍了CHA2098b99F是一款20-40GHz宽带高增益单片微波集成电路（MMIC）。它采用pHEMT工艺制造，具有宽频带性能、低直流功耗和高输出功率等特点。适用于军事和商业通信系统。

型号- CHA2098B99F,CHA2098B99F/00

27 Oct 20 - UMS - 数据手册代理服务技术支持采购服务

CHA6354-QQA 27.5-30GHz 4W HPA，采用单刀双掷氮化镓单片微波IC，QFN封装

描述- 该资料详细介绍了CHA6354-QQA，一款27.5-30GHz频段，输出功率达4W的GaN高功率放大器。该放大器采用三阶GaN HEMT技术，内置SPDT开关，具有宽带性能、高线性度、低功耗等特点，适用于卫星通信上行链路和5G通信应用。

型号- CHA6354-QQA

01 Jul 24 - UMS - 数据手册代理服务技术支持采购服务

CHA2097a-RoHS兼容20-40GHz可变增益放大器GaAs单片微波集成电路

描述- CHA2097a是一款20-40GHz可变增益宽带三阶单片微波集成电路。该芯片适用于从军事到商业通信系统的广泛应用，采用pHEMT工艺制造，具有宽频带性能、高增益控制范围和低直流功耗等特点。

型号- CHA2097A99F/00,CHA2097A

21,Jan,08 - UMS - 数据手册代理服务技术支持采购服务

CHA3396-QDG 27-33.5GHz中功率放大器砷化镓单片微波集成电路SMD无铅封装

描述- 该资料介绍了CHA3396-QDG是一款27-33.5GHz频段的单片微波功率放大器，采用pHEMT工艺制造。它具有宽带性能，输出功率为19dBm，增益为22dB。适用于军事和商业通信系统等多种应用。

型号- CHA3396-QDG/21,CHA3396-QDG/20,CHA3396-QDG/XY,CHA3396-QDG

27 Oct 20 - UMS - 数据手册代理服务技术支持采购服务查看更多版本

CHA6682-QKB 24-27.5GHz 4W线性功率放大器氮化镓单片微波集成电路，采用QFN封装

描述- 该资料介绍了UMS公司的CHA6682-QKB GaN Monolithic微波集成电路（MMIC），一款适用于VSAT、卫星通信、5G通信和雷达应用的宽带高功率放大器。该芯片具有高性能和高线性度，低功耗，内置射频功率检测器。

型号- CHA6682-QKB/XY,CHA6682-QKB

8 Aug 24 - UMS - 数据手册代理服务技术支持采购服务

CHA6015-99f2-8GHz高功率放大器GaAs单片微波集成电路

描述- 该资料介绍了CHA6015-99F是一款2-8GHz频段的高功率放大器（HPA），适用于国防应用和各种微波系统。它采用pHEMT工艺制造，具有宽带的性能、线性增益和较高的输出功率。

型号- CHA6015-99F/00,CHA6015-99F

27 Oct 20 - UMS - 数据手册代理服务技术支持采购服务查看更多版本

CHA2069-99F 18-31GHz低噪声放大器GaAs单片微波集成电路

描述- 该资料介绍了CHA2069-99F是一款18-31GHz的低噪声放大器（LNA），采用pHEMT工艺制造。其主要特点是宽带性能、低噪声系数、高增益和平坦的增益特性，适用于各种无线通信系统。

型号- CHA2069-99F,CHA2069-99F/00

03,Sep,13 - UMS - 数据手册代理服务技术支持采购服务

CHA8612-QDB 18W X波段高功率放大器单片SMD无引线氮化镓微波集成电路

描述- 该资料介绍了CHA8612-QDB是一款工作在7.9至11GHz频段的18W X-Band高功率放大器。它采用GaN HEMT工艺制造，具有宽带性能、高输出功率和高效率等特点，适用于军事和商业雷达及通信系统。

型号- CHA8612-QDB/XY,CHA8612-QDB,CHA8612-QDB/21,CHA8612-QDB/20

12 Feb 24 - UMS - 数据手册代理服务技术支持采购服务

采用贴片无铅封装的CHA3395-qdg21-29.5GHz中功率放大器GaAs单片微波集成电路

描述- 该资料介绍了CHA3395-QDG是一款21-29.5GHz频段的单片微波集成电路（MMIC），具有中等功率放大功能。它采用pHEMT工艺制造，具备宽带的性能，输出功率为20dBm，增益为24dB。适用于军事和商业通信系统等多种应用。

型号- CHA3395-QDG

31,Mar,15 - UMS - 数据手册代理服务技术支持采购服务

贴片封装GaAs单片微波集成电路CHA2069-faa16-32GHz低噪声放大器

描述- 该资料介绍了CHA2069-FAA是一款16-32GHz低噪声放大器，采用GaAs单片微波集成电路（MMIC）技术制造。它具有宽带性能、低噪声系数和高增益等特点，适用于空间应用和各种微波和毫米波应用系统。

型号- CHA2069-FAA

21,Dec,12 - UMS - 数据手册代理服务技术支持采购服务

CHA6357-QKB 27-31 GHz 4W功率放大器SMD无铅封装氮化镓单片微波IC

描述- 该资料介绍了UMS公司的CHA6357-QKB GaN单片微波集成电路（MMIC），这是一款27-31 GHz带宽内的4W功率放大器。它适用于VSAT、卫星通信上行链路和5G通信应用。该芯片具有宽带性能，线性增益为28dB，饱和输出功率为36dBm，效率高达20%。内部匹配输入和输出至50欧姆，并集成了ESD射频保护。

型号- CHA6357-QKB/XY,CHA6357-QKB

15 Dec 23 - UMS - 数据手册代理服务技术支持采购服务