【选型】5G微波信号放大设备发射端首选放大器----CHA-3398QDG宽带微波放大器，增益典型值可达22dB

时间： 2020-04-02 来源：世强

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在5G领域，亚洲和欧洲领先于全球已经是不争的事实。北美国家为了在新一代的移动通信领域抢的先机，宣布在部分地区部署5G的微波频段信号，其中一个频段从37GHz到40GHz，该微波频段在空中的衰减非常大，北美的大房子很多，为达到良好的信号传输，需要有信号放大设备来完善网络覆盖。根据系统的要求，在发射端需要一颗增益大于20dB，并且P-1大于17dBm的放大器。为了设计和生产方便，不接受裸片形式。

UMS公司作为欧洲航空和防务市场的顶级MMIC供应商,能提供DC-110GHz的射频芯片。CHA3398-QDG是宽带微波放大器,其工作频率从36-43.5GHz,其增益典型值可达22dB,在工作频带的低端如37GHz也有20dB，工作状态可以通过调节Vg来控制。在整个工作频段其P-1都大于17dBm.其饱和输出功率约19dBm。而且该芯片采用了24L-QFN封装，使用更方便,电气特性也较裸片更稳定。其主要特性如下

•工作频带：36-43.5GHz

•P-1：17dBm

•增益典型值：22dB

•饱和输出功率: 19dBm

•电压电流：Id=200mA@Vd=4V

•封装： 24L-QFN

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【选型】5G微波网络覆盖的好帮手：CHA2494-QEG宽带微波放大器

UMS公司的宽带微波放大器CHA2494-QEG.UMS公司是欧洲航空和防务市场的顶级MMIC供应商,能提供DC-110GHz的射频芯片. CHA2494-QEG作为宽带微波放大器,其工作频率从34-44GHz,其增益典型值可达22dB,即使在工作频带的高端也有20dB，在整个工作频段其噪声系数的典型值为3dB.而且该芯片采用了24L-QFN封装，使用更方便,电气特性也较裸片更稳定。

2020-02-15 - 器件选型代理服务技术支持采购服务

CHA2098B99F 20-40GHz高增益缓冲放大器GaAs单片微波集成电路

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UMS - 20-40GHZ高增益缓冲放大器,HIGH GAIN BROADBAND THREE-STAGE MONOLITHIC BUFFER AMPLIFIER,GAAS MONOLITHIC MICROWAVE IC,GAAS单片微波IC,高增益宽带三级单片缓冲放大器,20-40GHZ HIGH GAIN BUFFER AMPLIFIER,CHA2098B99F,CHA2098B99F/00,COMMERCIAL COMMUNICATION SYSTEMS,军事的,MILITARY,商业通信系统

27 Oct 20 - 数据手册代理服务技术支持采购服务

CHA3666-99f6-17GHz低噪声放大器GaAs单片微波集成电路

该资料介绍了CHA3666-99F是一款6-17GHz低噪声放大器，采用标准pHEMT工艺制造。具有宽带性能、低噪声系数、高增益、低功耗等特点。

UMS - 6-17GHZ低噪声放大器,6-17GHZ LOW NOISE AMPLIFIER,CHA3666-99F/00,CHA3666-99F

10 Apr 15 - 数据手册代理服务技术支持采购服务

CHA6354-QQA 27.5-30GHz 4W HPA，采用单刀双掷氮化镓单片微波IC，QFN封装

该资料详细介绍了CHA6354-QQA，一款27.5-30GHz频段，输出功率达4W的GaN高功率放大器。该放大器采用三阶GaN HEMT技术，内置SPDT开关，具有宽带性能、高线性度、低功耗等特点，适用于卫星通信上行链路和5G通信应用。

UMS - GAN MONOLITHIC MICROWAVE IC,HPA,三级单片氮化镓高功率放大器,氮化镓单片微波集成电路,THREE STAGE MONOLITHIC GAN HIGH POWER AMPLIFIER,CHA6354-QQA,SATCOM UPLINK,卫星通信上行链路,5G COMMUNICATION APPLICATIONS,5G通信应用

01 Jul 24 - 数据手册代理服务技术支持采购服务

采用贴片无铅封装的CHA3395-qdg21-29.5GHz中功率放大器GaAs单片微波集成电路

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31,Mar,15 - 数据手册代理服务技术支持采购服务

UMS CHA6015-99F数据手册

该资料介绍了CHA6015-99F是一款2-8GHz高功率放大器（HPA），采用pHEMT工艺制造，具有宽带性能、线性增益和较高的输出功率。适用于防御应用和各种微波应用系统。

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2016年07月01日 - 数据手册代理服务技术支持采购服务

CHA6682-QKB 24-27.5GHz 4W线性功率放大器氮化镓单片微波集成电路，采用QFN封装

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8 Aug 24 - 数据手册代理服务技术支持采购服务

CHA6015-99f2-8GHz高功率放大器GaAs单片微波集成电路

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UMS - 2-8GHZ大功率放大器,2-8GHZ HIGH POWER AMPLIFIER,GAAS MONOLITHIC MICROWAVE IC,HPA,GAAS单片微波IC,CHA6015-99F/00,CHA6015-99F,MICROWAVE SYSTEMS,国防申请,DEFENCE APPLICATIONS,MICROWAVE APPLICATIONS,微波应用,微波系统

27 Oct 20 - 数据手册代理服务技术支持采购服务查看更多版本

CHA3396-QDG 27-33.5GHz中功率放大器砷化镓单片微波集成电路SMD无铅封装

该资料介绍了CHA3396-QDG是一款27-33.5GHz频段的单片微波功率放大器，采用pHEMT工艺制造。它具有宽带性能，输出功率为19dBm，增益为22dB。适用于军事和商业通信系统等多种应用。

UMS - 27-33.5GHZ中等功率放大器,27-33.5GHZ MEDIUM POWER AMPLIFIER,三级单片介质功率放大器,GAAS MONOLITHIC MICROWAVE IC,3 STAGE MONOLITHIC MEDIUM POWER AMPLIFIER,GAAS单片微波IC,CHA3396-QDG/21,CHA3396-QDG/20,CHA3396-QDG/XY,CHA3396-QDG,COMMERCIAL COMMUNICATION SYSTEMS,军事的,MILITARY,商业通信系统

27 Oct 20 - 数据手册代理服务技术支持采购服务查看更多版本

CHA8612-QDB 18W X波段高功率放大器单片SMD无引线氮化镓微波集成电路

该资料介绍了CHA8612-QDB是一款工作在7.9至11GHz频段的18W X-Band高功率放大器。它采用GaN HEMT工艺制造，具有宽带性能、高输出功率和高效率等特点，适用于军事和商业雷达及通信系统。

UMS - X-BAND HIGH POWER AMPLIFIER,GAN MONOLITHIC MICROWAVE IC,TWO STAGE HIGH POWER AMPLIFIER,X波段高功率放大器,双级高功率放大器,氮化镓单片微波集成电路,CHA8612-QDB/XY,CHA8612-QDB,CHA8612-QDB/21,CHA8612-QDB/20,COMMUNICATION SYSTEMS,商用雷达,通信系统,军事的,MILITARY,COMMERCIAL RADAR

12 Feb 24 - 数据手册代理服务技术支持采购服务

CHA4220-98f0.5-20GHz驱动GaAs单片微波集成电路

该资料介绍了CHA4220-98F是一款工作频率范围为0.5至20GHz的分布式驱动放大器，采用pHEMT工艺制造。它适用于军事、电信和测试仪器等多种应用。芯片尺寸为3.04 x 1.56 x 0.1mm，具有宽带性能，线性增益典型值为17dB，噪声系数典型值为3.5dB。

UMS - 0.5-20GHZ DRIVER,DISTRIBUTED DRIVER AMPLIFIER,GAAS MONOLITHIC MICROWAVE IC,GAAS单片微波IC,分布式驱动器放大器,0.5-20GHZ驱动,CHA4220-98F,CHA4220-98F/00,电信,军事的,MILITARY,TELECOM,测试仪器,TEST INSTRUMENTATION

27 Oct 20 - 数据手册代理服务技术支持采购服务查看更多版本

贴片封装GaAs单片微波集成电路CHA2069-faa16-32GHz低噪声放大器

该资料介绍了CHA2069-FAA是一款16-32GHz低噪声放大器，采用GaAs单片微波集成电路（MMIC）技术制造。它具有宽带性能、低噪声系数和高增益等特点，适用于空间应用和各种微波和毫米波应用系统。

UMS - LOW NOISE AMPLIFIER,THREE-STAGE SELF-BIASED WIDE BAND MONOLITHIC LOW NOISE AMPLIFIER,GAAS MONOLITHIC MICROWAVE IC,GAAS单片微波IC,三级自偏置宽带单片低噪声放大器,低噪音放大器,CHA2069-FAA,MICROWAVE SYSTEMS,空间应用,毫米波应用,MICROWAVE APPLICATIONS,MILLIMETRE WAVE APPLICATIONS,微波应用,SPACE APPLICATIONS,微波系统

21,Dec,12 - 数据手册代理服务技术支持采购服务

利用宽带、低噪声、中等功率UMS PH10 GaAs工艺2024-Winter

UMS将于2024年12月13日启动PH10 GaAs工艺的多项目晶圆共享代工服务。PH10工艺适用于生产低噪声、宽带和中等功率放大器MMIC，工作频率可达110GHz。设计者可以利用该工艺设计低噪声、可变增益放大器、中等功率放大器、混频器和多功能收发MMIC，适用于E波段通信、汽车雷达、成像传感器、光纤通信和仪器等应用。PH10工艺可在单个芯片上实现功率和低噪声性能，入门价格为2300欧元/平方毫米。资料中提供了PH10工艺的主要参数和微波性能示例，并介绍了如何参与共享代工服务，包括申请流程、晶圆尺寸、价格计算等信息。

UMS - PHEMT GAAS PROCESS,混频器,MEDIUM POWER AMPLIFIER,砷化镓工艺,高电子迁移率晶体管GAAS工艺,LOW NOISE AMPLIFIER,MIXER,中功率放大器,GAAS PROCESS,低噪音放大器,PH10,CHR1080-98F,CHA1008-99F,CHA3080-98F,CHM1080-98F,CHA2080-98F,CHA3090-98F,AUTOMOTIVE RADARS,IMAGING SENSORS,光纤通信,OPTICAL FIBRE COMMUNICATION,仪表,E-BAND COMMUNICATION RADIOS,INSTRUMENTATION,E波段通信无线电,成像传感器,汽车雷达

2024/2/2 - 技术文档代理服务技术支持采购服务

CHA3092-99F 20-33GHz中功率放大器GaAs单片微波集成电路

该资料介绍了CHA3092-99F是一款20-33GHz宽带四级单片微波功率放大器，适用于军事和商业通信系统。芯片背面为RF和DC接地，简化了组装过程。内置测试(BIT)监控代表微波输出功率的直流电压。

UMS - GAAS MONOLITHIC MICROWAVE IC,GAAS单片微波IC,20-33GHZ中等功率放大器,高增益宽带四级单片中功率放大器,HIGH GAIN BROADBAND FOUR- STAGE MONOLITHIC MEDIUM POWER AMPLIFIER,20-33GHZ MEDIUM POWER AMPLIFIER,CHA3092-99F,CHA3092-99F/00,COMMERCIAL COMMUNICATION SYSTEMS,军事的,MILITARY,商业通信系统

27 Oct 20 - 数据手册代理服务技术支持采购服务