【元件】EPC新推出80V GaN FET EPC2619，导通电阻仅4mΩ，专为电机驱动应用设计

时间： 2022-11-29 来源：EPC官网

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2022年11月15日，EPC宣布推出80V、4mOhm的GaN FET——EPC2619。在新生代的eGaN器件领域内，这是一款领先产品，其功率密度是EPC上一代产品的两倍。EPC2619的R_DS(on)仅为4mOhms，尺寸仅有1.5mmx2.5mm。其最大R_DS(on)xArea为15mΩ*mm²，比80V的硅MOS管小5倍。

本产品专为系列电机驱动应用而设计。例如：电动自行车、电单车和电动工具的28V~48V转换；高密度DC-DC变换器；太阳能优化器；以及能为充电器、适配器和电视电源进行12V~20V转换的同步整流。

相比80V的硅MOS管，EPC2619所具备的典型R_DS(on)xQGD（表示在硬开关应用中的功率损耗）好10倍。这样一来，EPC2619的开关频率就比硅MOS管高了10倍，并且因为没有影响效率，从而能产生最高的功率密度。因此，EPC2619非常适合高频硬开关24V~48V应用，例如用于降压、降压-升压和升压转换器。

典型的R_DS(on)xQOSS（表示软开关应用中的功率损耗）是87mOhm*nC，比80V的硅MOS管好两倍。因此，EPC2619非常适合软开关应用，例如基于LLC的DCX DC-DC转换器的初级全桥整流。“这只是EPC新一代分立晶体管和集成电路的第一个产品。随着EPC2619的推出，EPC会继续让GaN功率器件走符合摩尔定律的道路。”EPC首席执行官兼联合创始人Alex Lidow指出。

开发板

EPC90153开发板是一款采用了EPC2619 GaN FET的半桥。该产品的最大器件电压为80V，最大输出电流为20A。推出该开发板旨在简化电源系统设计人员的评估流程，以加快其产品的上市速度。这款2“x 2”（50.8mmx50.8mm）开发板的设计旨在实现最佳开关性能，并且能提供所有关键元件，从而让设计人员很方便地进行评估。

可得性

如设计人员有意用GaN解决方案替换硅MOS管，可以获取EPC GaN Power Bench的交叉参考工具，然后根据各自的独特工作条件找到建议的替代品。

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星河入梦 Lv5. 技术专家 2023-01-12

学习
一闪一闪亮眼睛 Lv7. 资深专家 2022-12-28

学习
用户_0410 Lv4. 资深工程师 2022-12-13

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丝雨 Lv8. 研究员 2022-12-09

666
winthony Lv6. 高级专家 2022-12-05

厉害了

witt Lv7. 资深专家 2022-12-05

学习学习
titan Lv8. 研究员 2022-12-05

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Jackchenying Lv7. 资深专家 2022-12-05

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zwjiang Lv9. 科学家 2022-12-01

学习学习

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