【元件】EPC新推出80V GaN FET EPC2619，导通电阻仅4mΩ，专为电机驱动应用设计

时间： 2022-11-29 来源：EPC官网

代理服务

技术支持

现货查询

批量订货

2022年11月15日，EPC宣布推出80V、4mOhm的GaN FET——EPC2619。在新生代的eGaN器件领域内，这是一款领先产品，其功率密度是EPC上一代产品的两倍。EPC2619的R_DS(on)仅为4mOhms，尺寸仅有1.5mmx2.5mm。其最大R_DS(on)xArea为15mΩ*mm²，比80V的硅MOS管小5倍。

本产品专为系列电机驱动应用而设计。例如：电动自行车、电单车和电动工具的28V~48V转换；高密度DC-DC变换器；太阳能优化器；以及能为充电器、适配器和电视电源进行12V~20V转换的同步整流。

相比80V的硅MOS管，EPC2619所具备的典型R_DS(on)xQGD（表示在硬开关应用中的功率损耗）好10倍。这样一来，EPC2619的开关频率就比硅MOS管高了10倍，并且因为没有影响效率，从而能产生最高的功率密度。因此，EPC2619非常适合高频硬开关24V~48V应用，例如用于降压、降压-升压和升压转换器。

典型的R_DS(on)xQOSS（表示软开关应用中的功率损耗）是87mOhm*nC，比80V的硅MOS管好两倍。因此，EPC2619非常适合软开关应用，例如基于LLC的DCX DC-DC转换器的初级全桥整流。“这只是EPC新一代分立晶体管和集成电路的第一个产品。随着EPC2619的推出，EPC会继续让GaN功率器件走符合摩尔定律的道路。”EPC首席执行官兼联合创始人Alex Lidow指出。

开发板

EPC90153开发板是一款采用了EPC2619 GaN FET的半桥。该产品的最大器件电压为80V，最大输出电流为20A。推出该开发板旨在简化电源系统设计人员的评估流程，以加快其产品的上市速度。这款2“x 2”（50.8mmx50.8mm）开发板的设计旨在实现最佳开关性能，并且能提供所有关键元件，从而让设计人员很方便地进行评估。

可得性

如设计人员有意用GaN解决方案替换硅MOS管，可以获取EPC GaN Power Bench的交叉参考工具，然后根据各自的独特工作条件找到建议的替代品。

发送到邮箱 |
+1 赞 0
收藏
评论 9
| 转发至：

本文由成长的人生翻译自EPC官网，版权归世强硬创平台所有，非经授权，任何媒体、网站或个人不得转载，授权转载时须注明“来源：世强硬创平台”。

全部评论（9）

星河入梦 Lv5. 技术专家 2023-01-12

学习
一闪一闪亮眼睛 Lv7. 资深专家 2022-12-28

学习
用户_0410 Lv4. 资深工程师 2022-12-13

666
丝雨 Lv8. 研究员 2022-12-09

666
winthony Lv6. 高级专家 2022-12-05

厉害了

witt Lv7. 资深专家 2022-12-05

学习学习
titan Lv8. 研究员 2022-12-05

学习
Jackchenying Lv7. 资深专家 2022-12-05

学习
zwjiang Lv9. 科学家 2022-12-01

学习学习

没有更多评论了

【IC】EPC新推基于GaN FET的150A电机驱动器EPC9186，适用于电动出行、叉车和大功率无人机

EPC新推EPC9186，这是一款采用EPC2302 eGaN®FET的三相BLDC电机驱动逆变器。EPC9186支持14V~80V的宽输入直流电压。大功率EPC9186支持电动滑板车、小型电动汽车、农业机械、叉车和大功率无人机等应用。

2023-05-10 - 新产品代理服务技术支持现货查询批量订货

【元件】EPC新推80V车规级GaN FET EPC2252，脉冲电流75A，实现更高分辨率激光雷达

EPC推出80V、通过AEC-Q101认证的氮化镓场效应晶体管（GaN FET）EPC2252，为设计人员提供比硅MOSFET更小和更高效的解决方案，用于车规级激光雷达、48V/12V DC/DC转换和低电感电机驱动器。

2023-02-01 - 新产品代理服务技术支持现货查询批量订货

【产品】EPC新推三相无刷直流电机驱动逆变器EPC9173，缩小电动自行车和无人机的尺寸

EPC宣布推出基于氮化镓器件的逆变器参考设计的EPC9173，它是一款三相无刷直流电机驱动逆变器；在20V和85V之间的输入电源电压下工作，峰值电流可高达50Apk（35ARMS），可用于电动自行车、滑板车、城市汽车、无人机和机器人等电机驱动应用。

2022-06-06 - 新产品代理服务技术支持现货查询批量订货

EPC（宜普电源转换公司）是基于增强型氮化镓的功率管理器件领先供应商。EPC推出全球首款替代功率MOSFET器件的硅基增强型氮化镓（eGaN）场效应晶体管。GaN器件在速度，损耗，效率等性能上比硅材料的功率器件优越很多。

低压氮化镓集成驱动氮化镓IC 车规氮化镓 QFN封装氮化镓针对不同应用场景的参考Demo板

代理服务线上商城技术资料

EPC eGaN®FET/晶体管选型表

EPC提供增强型氮化镓半桥功率晶体管/增强型功率晶体管/功率晶体管的选型：配置：Dual Common Source、Dual with Sync Boot、Half Bridge、Half Bridge Driver IC、HS FET + Driver + Level Shift、Single、Single - AEC Q101、Single – Rad Hard、Single with Gate Diode、Single with Gate Diode – AEC-Q101、Dual Common Source - AEC Q101，VDS最大值（V）：15~350V；VGS最大值（V）：5.75~7V

Max RDS(on) (mΩ) @ 5 VGS