【产品】采用TO-252AA封装的-40V/-50A P沟道增强型MOSFET-PJD50P04，反向传输电容139pF
PANJIT（强茂）推出了PJD50P04为P沟道增强型MOSFET。采用TO-252AA封装，其中漏-源电压最大额定值为-40V，连续漏极电流最大额定值为-50A。
图1 封装图
PJD50P04特性：
RDS(ON), VGS@-10V, ID@-10A<12mΩ
RDS(ON), VGS@-4.5V, ID@-8A<17.5mΩ
开关速度快
改进的dv/dt能力
低栅极电荷
低反向传输电容
无铅，符合欧盟RoHS 2.0标准
绿色环保塑封，符合IEC 61249标准
PJD50P04机械参数：
外壳：TO-252AA封装
端子：可焊性均符合MIL-STD-750标准（方法2026）
重量约为：0.0104盎司，0.297克
PJD50P04最大额定值和热特性：
PJD50P04电气特性：
订购信息：
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强茂（PANJIT）MOSFET选型表
提供强茂电子低压MOSFET/中压MOSFET/小信号MOSFET等产品，覆盖漏源电压20V/30V/40V ，N沟道低压MOSFET，-20V/-30V/-40V P沟道低压MOSFET ,-60至100V中压MOSFET/小信号MOSFET ,包括Single/Dual/Comple等，涵盖SOT、DFN、TO等主流贴片与插件封装。
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产品型号
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品类
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封装
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Polarity
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Config.
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VDS(V)
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VGS(V)
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ID(A)
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RDS(on) Max.(mΩ)2.5V
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RDS(on) Max.(mΩ)4.5V
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RDS(on) Max.(mΩ)10V
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Ciss Typ.(pF)
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VGS(th) Max.(V)
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Qg Typ.(nC)10V
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PJA3403_R1_00001
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低压MOS
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SOT-23
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P
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Single
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-30V
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12V
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-3.1A
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165mΩ
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114mΩ
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98mΩ
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443pF
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-1.3V
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11nc
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选型表 - PANJIT 立即选型
PJQ4411P 20V P沟道增强型MOSFET
描述- 该资料详细介绍了型号为PJQ4411P的20V P-Channel增强型MOSFET。文档涵盖了其电压、电流规格，特性（如低导通电阻、高密度单元设计），机械数据（封装类型、重量），最大额定值和热特性，电气特性（静态和动态参数），典型特性曲线以及包装信息和安装垫布局。
型号- PJQ4411P,PJQ4411P_R2_00001
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型号- PJD50P04-AU_L2_000A1,PJD50P04-AU
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型号- PJQ4443P,PJQ4443P_R2_00001
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产品型号
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品类
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Package
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Product Status
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Replacement Part
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AEC-Q101 Qualified
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ESD
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Polarity
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Config.
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VDS(V)
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VGS(±V)
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ID(A)
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RDS(on) Max. (mΩ)(10V)
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RDS(on) Max. (mΩ)(4.5V)
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RDS(on) Max. (mΩ)(2.5V)
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RDS(on) Max. (mΩ)(1.8V)
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RDS(on) Max. (mΩ)(1.5V)
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RDS(on) Max. (mΩ)(1.2V)
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Ciss Typ.(pF)
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VGS(th) Max.(V)
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Qg Typ. (nC)(10V)
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Qg Typ. (nC)(4.5V)
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PJQ5542V-AU
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Low Voltage MOSFET
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DFN5060-8L
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New Product
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AEC-Q101 Qualified
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N
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Single
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40
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3
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3.5
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选型表 - PANJIT 立即选型
PJQ4407P 30V P沟道增强型MOSFET
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型号- PJQ4407P_R2_00001,PJQ4407P
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型号- PJQ5839E-AU
PJQ5453E-Au 40V P沟道增强型MOSFET
描述- 本资料介绍了型号为PJQ5453E-AU的40V P-Channel Enhancement Mode MOSFET的特性。该器件具有低导通电阻、高电流承载能力、可靠性和符合欧盟RoHS 2.0标准等特点，适用于多种电子设备。
型号- PJQ5453E-AU_R2_002A1,PJQ5453E-AU
PJQ4403P 30V P沟道增强型MOSFET
描述- 该资料详细介绍了型号为PJQ4403P的30V P-Channel增强型MOSFET。文档涵盖了其电气特性、静态和动态参数、典型特性曲线、封装信息和包装代码等。
型号- PJQ4403P_R2_00001,PJQ4403P
【经验】 P沟道增强型MOSFET PJD16P06A-AU在电源开关中的设计使用
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PJQ4401P 30V P沟道增强型MOSFET
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型号- PJQ4401P,PJQ4401P_R2_00001
电子商城
品牌：PANJIT
品类：P-Channel Enhancement Mode MOSFET
价格：￥1.4890
现货： 60
品牌：PANJIT
品类：Dual P-Channel Enhancement Mode MOSFET
价格：￥0.3210
现货： 5,965
品牌：PANJIT
品类：P-Channel Enhancement Mode MOSFET
价格：￥0.3324
现货： 2,980
品牌：PANJIT
品类：P-Channel Enhancement Mode MOSFET
价格：￥0.9306
现货： 2,955
品牌：PANJIT
品类：P-Channel Enhancement Mode MOSFET
价格：￥0.3125
现货： 2,446
品牌：PANJIT
品类：ESD Protected P-Channel Enhancement Mode MOSFET
价格：￥0.3191
现货： 1,950
品牌：PANJIT
品类：P-Channel Enhancement Mode MOSFET
价格：￥0.8509
现货： 1,600
品牌：PANJIT
品类：P-Channel Enhancement Mode MOSFET
价格：￥0.6913
现货： 188
品牌：PANJIT
品类：P-Channel Enhancement Mode MOSFET
价格：￥1.0370
现货： 100
品牌：PANJIT
品类：P-Channel Enhancement Mode MOSFET
价格：￥0.6116
现货： 100
现货市场
服务
可定制内充多极外充多极，平面多极和内外螺旋型各类充磁产品，多级充磁最多可做256极，通过环氧树脂加入稀土，模具压制支持多尺寸定制，
最小起订量： 1 提交需求>
可定制位移传感器量程范围10~600mm，该YWD型位移传感器表面有带刻度的透明窗☐，每毫米的变化量误差不超过3ue/mm，可在静态、准静态和低频动态下工作。主要指标：非线性<0.2%；供桥电压<10v；测试精度：0.01mm。
最小起订量： 1 提交需求>
授权代理品牌：集成电路
授权代理品牌：分立元件
授权代理品牌：接插件及结构件
授权代理品牌：部件、组件及配件
授权代理品牌：电源及模块
授权代理品牌：电子材料
授权代理品牌：仪器仪表及测试配组件
授权代理品牌：电工工具及材料
授权代理品牌：机械电子元件
授权代理品牌：加工与定制
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