【产品】采用TO-252AA封装的-40V/-50A P沟道增强型MOSFET-PJD50P04，反向传输电容139pF
PANJIT（强茂）推出了PJD50P04为P沟道增强型MOSFET。采用TO-252AA封装，其中漏-源电压最大额定值为-40V，连续漏极电流最大额定值为-50A。
图1 封装图
PJD50P04特性：
RDS(ON), VGS@-10V, ID@-10A<12mΩ
RDS(ON), VGS@-4.5V, ID@-8A<17.5mΩ
开关速度快
改进的dv/dt能力
低栅极电荷
低反向传输电容
无铅，符合欧盟RoHS 2.0标准
绿色环保塑封，符合IEC 61249标准
PJD50P04机械参数：
外壳：TO-252AA封装
端子：可焊性均符合MIL-STD-750标准（方法2026）
重量约为：0.0104盎司，0.297克
PJD50P04最大额定值和热特性：
PJD50P04电气特性：
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