【产品】长晶科技推出的N沟道场效应晶体管CJAB40SN10，使用SGT技术，用于UPS、SMPS等领域

时间： 2023-05-12 来源：长晶科技

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CJAB40SN10是由长晶科技推出的N沟道场效应晶体管，其封装形式为PDFNWB3.3×3.3-8L。使用SGT技术，提供出色的静态导通电阻和低栅电荷。V_(BR)DSS=100V，I_D=40A。该产品主要应用于不间断电源、硬开关电路、高频电路和SMPS等领域。

产品概要

概要参数图

封装样式

封装图

特点

负载开关。

高单元密度设计，以获得极低静态导通电阻。

具有完全特征化的雪崩电压和电流。

高E_AS条件下具有良好的稳定性和一致性。

采用的封装散热性能出色。

应用

SMPS和通用应用。

硬开关电路和高频电路。

不间断电源。

型号说明

CJAB40SN10=型号

实心点=引脚1位置

XX=编码

型号说明图

等效电路

等效电路图

极限参数（T_a=25℃，除非另有说明）

MOSFET电气特性（T_a=25℃，除非另有说明）

注释

T_C=25℃，仅受最高温度限值。
P_W≤10μs，占空比≤1%。
EAS条件：V_DD=50V,V_GS=10V，L=0.1mH，R_g=25Ω，初始T_J=25℃。
脉冲测试：脉宽≤300µs，占空比≤2%。
设计参数仅供参考，实际生产会有误差。
R_θJA的值由安装在铜厚2盎司的FR-4板上的设备，在T_a=25℃的稳定环境中测试得出。

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