【产品】长晶科技推出的N沟道场效应晶体管CJAB40SN10，使用SGT技术，用于UPS、SMPS等领域
CJAB40SN10是由长晶科技推出的N沟道场效应晶体管，其封装形式为PDFNWB3.3×3.3-8L。使用SGT技术，提供出色的静态导通电阻和低栅电荷。V(BR)DSS=100V，ID=40A。该产品主要应用于不间断电源、硬开关电路、高频电路和SMPS等领域。
产品概要
概要参数图
封装样式
封装图
特点
负载开关。
高单元密度设计，以获得极低静态导通电阻。
具有完全特征化的雪崩电压和电流。
高EAS条件下具有良好的稳定性和一致性。
采用的封装散热性能出色。
应用
SMPS和通用应用。
硬开关电路和高频电路。
不间断电源。
型号说明
CJAB40SN10=型号
实心点=引脚1位置
XX=编码
型号说明图
等效电路
等效电路图
极限参数（Ta=25℃，除非另有说明）
MOSFET电气特性（Ta=25℃，除非另有说明）
注释
TC=25℃，仅受最高温度限值。
PW≤10μs，占空比≤1%。
EAS条件：VDD=50V,VGS=10V，L=0.1mH，Rg=25Ω，初始TJ=25℃。
脉冲测试：脉宽≤300µs，占空比≤2%。
设计参数仅供参考，实际生产会有误差。
RθJA的值由安装在铜厚2盎司的FR-4板上的设备，在Ta=25℃的稳定环境中测试得出。
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