【产品】极低泄漏电流仅5.0μA的硅开关二极管CMLD3003DO、CMLD3003DOG，助力各类开关应用

时间： 2018-12-08 来源：Central Semiconductor

技术问答

Central Semiconductor （简称Central）公司是美国中央半导体公司，半导体产品处于世界领先水平，其运营团队提供最高水平的技术支持，出色的销售支持和优质的服务。Central公司推出的硅开关二极管——CMLD3003DO、CMLD3003DOG 包含两个隔离的相对配置，采用外延平面工艺制造，采用SOT-563封装，采用环氧树脂模塑，表面贴装封装，这些器件专为需要极低泄漏的开关应用而设计。其产品实物图如图1所示。

图1.CMLD3003DO、CMLD3003DOG硅开关二极管产品实物图

CMLD3003DO、CMLD3003DOG硅开关二极管的反向连续电压V_R为180V，其平均整流电流I_O的为200mA，连续正向电流I_F为600mA，低反向漏电流最大值为5.0μA（V_R=180V, T_A=150°C），具有极低泄漏电流和较高的反向耐压能力。其系列功率损耗P_D的最大值为250mW，功率损耗值极低。当正向电流I_F为10mA时，正向压降V_F的最大值仅为0.83V。可用于极低泄漏的开关应用。其封装尺寸、引脚说明图如图2所示。

图2.CMLD3003DO、CMLD3003DOG硅开关二极管封装尺寸、引脚说明图

CMLD3003DO、CMLD3003DOG硅开关二极管的峰值正向浪涌电流I_FSM为2.0A（tp=1.0μs），峰值正向浪涌电流I_FSM为1.0A（tp=1.0s），具备较强的抗浪涌冲击能力。峰值重复正向电流I_FRM为700mA，结壳热阻为500°C/W，结电容的最大值为4.0pF(V_R=0, f=1.0MHz)。工作和存储结温范围均为-65℃~+150℃，具有耐高/低温的能力，适应性能强，在恶劣的环境条件下也可正常工作，这提高了其在大功率整流电路设计中的可靠性。

CMLD3003DO、CMLD3003DOG硅开关二极管的主要特性：

•峰值重复正向电流I_FRM为700mA

•平均整流电流I_O的为200mA

•反向连续电压V_R为180V

•低反向漏电流最大值为5.0μA（V_R=180V, T_A=150°C）

•正向浪涌电流能力I_FSM为2.0A（tp=1.0μs）

•正向浪涌电流能力I_FSM为1.0A（tp=1.0s）

•工作温度和存储结温范围均为-65℃~+150℃

•结壳热阻Θ_JA为500°C/W

•功率损耗P_D为250mW

•结电容的最大值为4.0pF(V_R=0, f=1.0MHz)

•SOT-563表面贴装封装

CMLD3003DO、CMLD3003DOG硅开关二极管的主要应用领域：

•极低泄漏的开关应用

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A总 Lv6. 高级专家 2018-12-20

不错不错 ☺
A总 Lv6. 高级专家 2018-12-20

学习了

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