1200V CMOS数字隔离栅极驱动器满足光伏逆变器高耐压,长寿命要求

2018-06-22 世强
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光伏逆变器都拥有MOSFET或IGBT功率晶体管,用以完成将直流电源转换成交流电源的繁重任务。这些功率开关由直流/交流控制器驱动。由于多数控制器均为低压器件,功率晶体管则为相对高压器件,因此需用数字隔离栅极驱动器才能实现这种转换功能。隔离门驱动器在单一封装中集成安全认证过的电气隔离(1kV、2.5kV或5kV等级)和高压侧(high-side)电平转换功能,不需要外部隔离器件。隔离驱动器在光伏系统中的应用如图1所示,该隔离驱动器件可以实现弱电和强电的可靠隔离。


图1:隔离驱动器在光伏系统中的应用图


光伏逆变器要在高温和/或严寒中工作25年,我们在选择用于逆变器的元器件时要特别注意。很明显,一些元器件,例如用于滤波的电解电容和用于光电隔离的光电耦合器,不可能有25年的寿命。电解电容会干涸并枯竭,光电耦合器的LED亮度会逐渐暗淡,直到停止运行。对于这些脆弱元器件的解决方法是采用高质量的薄膜电容器(有更高可靠性,但也需要更高成本)进行替换。因此对驱动器件的寿命也提出了更高的要求。


针对光伏逆变器上的驱动应用不仅要满足高耐压的需求,同时要满足长寿命的需求,本文推荐SILICON LABS公司推出的先进CMOS工艺隔离驱动器Si826x系列数字隔离栅极驱动器。Silicon Labs Si826x CMOS数字隔离栅极驱动器与光驱动器相比,其时序性能比光驱动器快8到10倍。 Si826x 有峰值电流0.6A(Si826xA)或4A(Si826xB)可选,同时,欠压锁定(UVLO)阈值有5V,8V和12V可选,这取决于产品编码。所有的Si826x CMOS数字隔离栅极驱动器都支持5KV加固保护隔离和10KV浪涌保护。并且共模瞬态抑制可达35kV/uS(最小)和50kV/uS(典型值)。器件也支持IEC 60747-5-2隔离额定值为5KV的认证,包括IEC 6006510kV浪涌保护,他们也满足IEC 60950-1,61010-1,60601– 1要求(强制绝缘),工作电压1200V,这些评级允许Si826x CMOS隔离驱动器广泛的用于最恶劣的光伏环境中。


另外CMOS工艺技术提供高可靠性、低成本、高速率、小尺寸、低功耗、在极端电压和温度范围内运行稳定性,以及其他许多值得拥有的特性。与光电耦合器中所用的砷化镓(GaAs)工艺技术不同,采用CMOS工艺制造的器件没有内在机械磨损。底层CMOS隔离单元是电容性、全差分和高度优化的,这满足严格的时序性能、低功耗,以及由外场和快速共模瞬变而造成数据错误的高免疫力。事实上,将CMOS工艺技术结合专有的硅产品设计,其带来的优势使隔离器件更加牢靠,更“接近理想”隔离器件。与以前大家看到的有所不同,这些器件提供更完整的功能集成度、大幅提高可靠性(60年以上的隔离栅寿命),可在最大VDD下,支持-40℃到+125℃连续运行温度范围,大幅提高性能、降低功耗、节省电路板面积并提高易用性,从而更好的为光伏逆变器保驾护航。


因此基于以上特点Silicon Labs公司的CMOS数字隔离栅极驱动器定能成为您光伏逆变器合适驱动器件,如果需要相关产品就联系深圳世强订购吧。


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大电流低功耗变压器定制

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波导隔离器定制

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