【产品】50A/40V的N沟道功率MOSFET DI050N04PT, 采用QFN3×3封装
DIOTEC(德欧泰克)的N沟道功率MOSFET DI050N04PT,采用QFN3×3封装,具有低导通电阻和快速开关时间的特点。电气参数方面,漏极-源极电压为40 V,栅极-源极电压为±20V,功率耗散为37W,允许通过的漏极连续电流为50A(TC = 25℃ ),漏极峰值电流为140 A,工作结温和存储温度范围-55~+150℃。适用于电源管理单元、电池供电设备、负载开关,极性保护等应用场合。
典型应用:
电源管理单元
电池供电设备
负载开关,极性保护
后缀-AQ:通过AEC-Q101认证
特征:
小型,节省空间的封装
低剖面高度
低导通电阻
快速开关时间
低栅极电荷
符合ROHS、REACH指令和冲突矿物法
图1. 产品外形、尺寸及内部结构图
机械参数:
管装/卡板托盘装:5000/13”
重约0.1 g
外壳材料阻燃等级:UL 94V-0
焊接和组装条件:260℃/10s,MSL=1
最大额定值:
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DIOTEC MOSFETs选型表
DIOTEC提供以下参数选型: Drain Source Voltage VDS[V]:-100~700、Drain Current ID[A]:-70~280、Junction Temperature Tjmax[℃]:150~175、Power Dissipation Ptot [W]:0.2~425、Peak Drain Current IDM [A]:-350~1200、Threshold Voltage VGSth[V]:-4~4.2、On-Resistance RDSon[Ω]:0.0013~15、On-Resistance ID[A]:-30~100、On-Resistance VGS[V]:-10~10、Turn-OnTime ton[ns]:3~1206、Turn-Off Time toff[ns]:7~991
产品型号
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品类
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Type
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Package
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Drain Source Voltage VDS[V]
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Drain Current ID[A]
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Junction Temperature Tjmax[℃]
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Polarity pol
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Power Dissipation Ptot [W]
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Peak Drain Current IDM [A]
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Threshold Voltage VGSth[V]
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On-Resistance RDSon[Ω]
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On-Resistance ID[A]
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On-Resistance VGS[V]
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Turn-OnTime ton[ns]
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Turn-Off Time toff[ns]
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2N7000
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MOSFETs
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Wire-lead
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TO-92
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60
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0.2
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150
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N
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0.35
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0.5
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0.8
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5
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1
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10
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10
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10
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选型表 - DIOTEC 立即选型
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可根据用户的MOSFET管进行参数检测出具报告,静态参数最大电压:7500V、检测最大电流6000A;动态参数最大电压:3300V、检测最大电流:4500A。该测试标准满足GB、IEC及行业标准等,具备可靠性评估及老化实验能力。
实验室地址: 西安 提交需求>
可定制波导隔离器频率覆盖5.5GHz~110GHz,插损损低至0.25dB、隔离度、正向方向功率、封装尺寸参数。
最小起订量: 1pcs 提交需求>
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