【产品】50A/40V的N沟道功率MOSFET DI050N04PT， 采用QFN3×3封装
DIOTEC（德欧泰克）的N沟道功率MOSFET DI050N04PT，采用QFN3×3封装，具有低导通电阻和快速开关时间的特点。电气参数方面，漏极-源极电压为40 V，栅极-源极电压为±20V，功率耗散为37W，允许通过的漏极连续电流为50A（TC = 25℃ ），漏极峰值电流为140 A，工作结温和存储温度范围-55~+150℃。适用于电源管理单元、电池供电设备、负载开关，极性保护等应用场合。
典型应用：
电源管理单元
电池供电设备
负载开关，极性保护
后缀-AQ：通过AEC-Q101认证
特征：
小型，节省空间的封装
低剖面高度
低导通电阻
快速开关时间
低栅极电荷
符合ROHS、REACH指令和冲突矿物法
图1. 产品外形、尺寸及内部结构图
机械参数：
管装/卡板托盘装：5000/13”
重约0.1 g
外壳材料阻燃等级：UL 94V-0
焊接和组装条件：260℃/10s，MSL=1
最大额定值：
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