【产品】50A/40V的N沟道功率MOSFET DI050N04PT, 采用QFN3×3封装

2020-09-12 Diotec
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DIOTEC(德欧泰克)的N沟道功率MOSFET DI050N04PT,采用QFN3×3封装,具有低导通电阻和快速开关时间的特点。电气参数方面,漏极-源极电压为40 V,栅极-源极电压为±20V,功率耗散为37W,允许通过的漏极连续电流为50A(TC = 25℃ ),漏极峰值电流为140 A,工作结温和存储温度范围-55~+150℃。适用于电源管理单元、电池供电设备、负载开关,极性保护等应用场合。


典型应用:

电源管理单元

电池供电设备

负载开关,极性保护

后缀-AQ:通过AEC-Q101认证

 

特征:

小型,节省空间的封装

低剖面高度

低导通电阻

快速开关时间

低栅极电荷

符合ROHS、REACH指令和冲突矿物法

图1. 产品外形、尺寸及内部结构图

机械参数:

管装/卡板托盘装:5000/13”

重约0.1 g

外壳材料阻燃等级:UL 94V-0

焊接和组装条件:260℃/10s,MSL=1

 

最大额定值:

授权代理商:世强先进(深圳)科技股份有限公司
技术资料,数据手册,3D模型库,原理图,PCB封装文件,选型指南来源平台:世强硬创平台www.sekorm.com
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产品型号
品类
Type
Package
Drain Source Voltage VDS[V]
Drain Current ID[A]
Junction Temperature Tjmax[℃]
Polarity pol
Power Dissipation Ptot [W]
Peak Drain Current IDM [A]
Threshold Voltage VGSth[V]
On-Resistance RDSon[Ω]
On-Resistance ID[A]
On-Resistance VGS[V]
Turn-OnTime ton[ns]
Turn-Off Time toff[ns]
2N7000
MOSFETs
Wire-lead
TO-92
60
0.2
150
N
0.35
0.5
0.8
5
1
10
10
10

选型表  -  DIOTEC 立即选型

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