【产品】50A/40V的N沟道功率MOSFET DI050N04PT， 采用QFN3×3封装
DIOTEC（德欧泰克）的N沟道功率MOSFET DI050N04PT，采用QFN3×3封装，具有低导通电阻和快速开关时间的特点。电气参数方面，漏极-源极电压为40 V，栅极-源极电压为±20V，功率耗散为37W，允许通过的漏极连续电流为50A（TC = 25℃ ），漏极峰值电流为140 A，工作结温和存储温度范围-55~+150℃。适用于电源管理单元、电池供电设备、负载开关，极性保护等应用场合。
典型应用：
电源管理单元
电池供电设备
负载开关，极性保护
后缀-AQ：通过AEC-Q101认证
特征：
小型，节省空间的封装
低剖面高度
低导通电阻
快速开关时间
低栅极电荷
符合ROHS、REACH指令和冲突矿物法
图1. 产品外形、尺寸及内部结构图
机械参数：
管装/卡板托盘装：5000/13”
重约0.1 g
外壳材料阻燃等级：UL 94V-0
焊接和组装条件：260℃/10s，MSL=1
最大额定值：
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DIOTEC MOSFETs选型表
DIOTEC提供以下参数选型： Drain Source Voltage VDS[V]:-100~700、Drain Current ID[A]：-70~280、Junction Temperature Tjmax[℃]：150~175、Power Dissipation Ptot [W]：0.2~425、Peak Drain Current IDM [A]：-350~1200、Threshold Voltage VGSth[V]：-4~4.2、On-Resistance RDSon[Ω]：0.0013~15、On-Resistance ID[A]:-30~100、On-Resistance VGS[V]：-10~10、Turn-OnTime ton[ns]：3~1206、Turn-Off Time toff[ns]：7~991
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产品型号
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品类
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Type
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Package
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Drain Source Voltage VDS[V]
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Drain Current ID[A]
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Junction Temperature Tjmax[℃]
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Polarity pol
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Power Dissipation Ptot [W]
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Peak Drain Current IDM [A]
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Threshold Voltage VGSth[V]
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On-Resistance RDSon[Ω]
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On-Resistance ID[A]
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On-Resistance VGS[V]
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Turn-OnTime ton[ns]
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Turn-Off Time toff[ns]
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2N7000
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MOSFETs
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Wire-lead
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TO-92
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60
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0.2
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150
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N
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0.35
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0.5
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0.8
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5
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1
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10
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10
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10
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选型表 - DIOTEC 立即选型
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可来图定制热管最薄打扁厚度0.35±0.05mm；笔电D8热管打扁厚度1.0mm，可解40W热量；高功率D10热管可解60W热量。
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